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[发明专利]一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法-CN201010529157.5有效
发明人：高树良;张雪囡;王彦君;王岩;王遵义;周卫斌;郝一巍;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2010-11-03 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法，包括区熔气相重掺杂和拉晶工艺，区熔气相重掺杂和拉晶工艺中采用的区熔气相重掺杂装置使高浓度的硼烷气体在充入高温的炉膛内的过程中不发生分解，所述区熔气相重掺杂装置包括一个放置于保温桶下方的重掺杂硼烷、氮气和氩气的三路联合进气管道；采用本方法所生产的气相重掺硼区熔硅单晶具有氧含量为1ppm以下，轴向电阻率均匀度为±15％以内，电阻率达到0.004Ω.cm的特点，运用该发明方法生产的重掺硼区熔p型硅单晶很好地满足了国内外瞬态电压抑制器
一种气相重掺硼区熔硅单晶制备方法

[发明专利]考虑电熔接头不圆度与配合公差的最小熔区深度确定方法-CN202110621888.0在审
发明人：曹雨桦;任亦心;胡裕锐;施建峰;郑津洋 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G06F17/18 文献下载
摘要：本发明涉及电熔接头焊接技术，旨在提供一种考虑电熔接头不圆度与配合公差的最小熔区深度确定方法。e；计算间隙e的均值μe和间隙e的标准差σe；根据置信度选取最小熔区深度δmin；拟合不同公称直径管材dn与最小熔区深度δmin之间的函数关系。通过本发明，可以得到不同直径管材、管件配合时电熔焊接合格接头需要的最小熔区深度，有利于电熔焊机的焊接工艺优化。可以参考熔区深度对焊接质量进行判断，生产厂家可根据熔区深度计算公式进行焊接，不需要再通过试验确定焊接时间，节约企业成本。
考虑熔接头不圆度配合公差最小深度确定方法

[发明专利]熔盐堆堆芯及熔盐堆系统-CN202111079829.1在审
发明人：伍建辉;蔡翔舟;陈金根;邹春燕;余呈刚;邹杨;赵宏凯 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G21C15/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种熔盐堆堆芯及熔盐堆系统。熔盐堆堆芯包括堆芯活性区、反射层、冷却剂进口和冷却剂出口，反射层围绕堆芯活性区的外侧设置，反射层内设置有控制鼓；堆芯活性区设置有冷却剂管道区和燃料熔盐区，冷却剂管道区设置有多根冷却剂管道，冷却剂管道内流通有氦氙混合气或超临界二氧化碳；燃料熔盐区内填充有燃料熔盐；冷却剂管道区与燃料熔盐区的体积比为(6～9):10；冷却剂管道的顶端与冷却剂出口相连，所述冷却剂管道的底端与所述冷却剂进口相连。本发明的熔盐堆堆芯结构简单、提升了堆芯的换热效率、降低了堆芯的建造成本和建造门槛、运行更加安全，同时极大程度上提高了熔盐堆系统的电功率。
堆堆熔盐堆系统

[发明专利]熔丝结构及其制作方法-CN202110553275.8在审
发明人：李雄 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种熔丝结构及其制作方法，其中，熔丝结构包括：衬底；有源区，位于衬底上方；熔丝栅极结构，环绕于有源区的周向外表面，电连接第一电源；控制栅极结构，环绕于熔丝栅极结构的周向外表面，电连接第二电源；本申请熔丝结构由于熔丝栅极结构环绕于有源区的周向外表面，控制栅极结构环绕于熔丝栅极结构的周向外表面，使得有源区的周向外表面内均可以形成导电沟道，从而可以有效节约面积。同时，控制栅极结构与熔丝栅极结构环绕层叠设置，从而合并为一颗栅极结构，所以本申请可以很大程度地节约面积，极大地提高熔丝电路的集成度。
结构及其制作方法

[实用新型]一种方便加工的锅具-CN201920146478.3有效
发明人：朱泽春;徐磊阳;高朝岗 -专利权人：九阳股份有限公司
申请日： 2019-01-27 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： A47J27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种方便加工的锅具，属于电磁加热用锅具技术领域，包括铝制的锅体，所述锅体的底部设有凸台，所述凸台的底部设有熔射区和围绕在所述熔射区外侧的定位区，所述熔射区内熔射有导磁层，所述定位区用于在熔射导磁层时定位遮喷工装，遮喷工装遮挡定位区，以避免导磁层熔射到定位区外侧的锅体上。采用本实用新型中的锅具，在加工时能够通过定位遮喷工装，以保证熔射区内全部熔射导磁粉末，又能避免导磁粉末熔射到定位区外侧的锅体上，由此提高了产品合格率。
熔射定位区锅体导磁层工装锅具本实用新型导磁粉末凸台产品合格率电磁加热铝制加工遮挡保证

[发明专利]一种基于阶梯回火的激光熔覆方法-CN202110593021.9有效
发明人：胡乾午;曾晓雁;颜睿;王邓志;牛莅;严国鹏 -专利权人：武汉飞能达激光技术有限公司;武汉瀚海智能激光工程有限公司;华中科技大学
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本发明公开一种基于阶梯回火的激光熔覆方法，属于激光表面强化处理领域，其利用基体表面激光熔覆层的热循环过程对基体表面的马氏体区进行不同温度的阶梯回火，逐渐将所述马氏体转变为回火索氏体，具体的，根据马氏体区底部出现稳定回火区所需的温度基准值为判断标准，再根据需要进行熔覆次数的要求，调整激光熔覆的工艺参数，进而实现对单次熔覆层的厚度的调整，使得马氏体区底部和马氏体区表面均能完成稳定回火。本发明制定的工艺规范稳定性好，工艺适应性强，熔覆界面强度高、韧性好。
一种基于阶梯回火激光方法

[发明专利]一种碳纤维热塑性预浸料熔渗复合装置-CN202211494750.X在审
发明人：曹伟伟;朱安平;王永伟;卢建鹏;刘玉兰;张敏;朱波 -专利权人：山东大学;天津工业大学;山东宽原新材料科技有限公司
申请日： 2022-11-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B29C70/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纤维热塑性预浸料熔渗复合装置，属于热塑性预浸料熔渗技术领域，包括依次设置的预热定位区、加热熔渗区和后处理成型区；预热定位区设置多组对辊组件对预浸料预先加热贴敷于碳纤维织物表面并实现定位；加热熔渗区内部设置异型平面腔体，异型平面腔体两侧设置圆柱状辊体，实现预浸料的快速熔渗复合；后处理成型区包括依次设置的冷却对辊组件与刺针装置，实现预浸料的束间气体排除，达到预浸料层间致密成型。该装置可以实现热塑性树脂薄膜与碳纤维平面织物结构的快速熔渗复合成型，可有效提高树脂在纤维内部的熔渗效果。
一种碳纤维塑性预浸料熔渗复合装置

[实用新型]一种12芯单层熔配一体化托盘-CN201420483091.4有效
发明人：吴体荣;朱孟达;史红兰;朱楼;冉飞 -专利权人：南京华脉科技股份有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： G02B6/255 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种12芯单层熔配一体化托盘，包括底板、盖板、导线套、熔纤芯片，底板为一侧开口托盘，熔纤芯片设置于底板内中心，盖板覆盖在底板上，导线套设置于底板开口处右侧端，所述底板为单层托盘设置，所述底板包括带状分支器卡接区、熔纤芯片、存贮区、光缆接入区、挡纤区、适配器安装区、绑扎点；1、采用单层结构、零件数量减少，降低了日常生产成本与模具费用；2、除熔配一体化托盘外，另外还可作为直熔盘和终端盘使用，且不用购买更换任何零部件，真正在“一个盘”内实现多种功能；3、仅需开制底板、盖板、熔纤芯片、导线套4副模具。
一种 12 单层一体化托盘

[发明专利]反熔丝结构及其形成方法-CN201310124030.9有效
发明人：冯军宏;甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种反熔丝结构及其形成方法，所述反熔丝结构包括半导体衬底，所述半导体衬底包括反熔丝区和互连区；位于所述半导体衬底内的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构将所述反熔丝区隔离成至少一个有源区；位于所述有源区全部表面的栅氧化层，所述有源区边缘位置的栅氧化层的厚度小于中间位置的栅氧化层厚度，位于所述栅氧化层表面和部分浅沟槽隔离结构表面的栅电极；位于所述半导体衬底的互连区表面的第一电极，所述第一电极与所述有源区电学连接。由于整个有源区边缘部分都会形成变薄的栅氧化层，变薄的栅氧化层的区域变大，会降低栅氧化层反熔丝进行编程的编程电压。
反熔丝结构及其形成方法

[发明专利]一种用于熔盐储能供蒸汽的蒸汽发生系统布置结构-CN202110037585.4在审
发明人：汉京晓;李仲博;张立申;郑策;闫硕;曾祥静;穆世慧 -专利权人：北京市热力集团有限责任公司;北京热力市政工程建设有限公司;北京民利储能技术有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： F22B1/02 文献下载
摘要：本发明为一种用于熔盐储能供蒸汽的蒸汽发生系统布置结构，包括高温熔盐储罐和低温熔盐储罐，该布置结构设置有支撑钢构架布置区和辅助设备布置区；支撑钢构架布置区布置有蒸汽发生系统核心设备，辅助设备布置区布置有蒸汽发生系统附属设备，支撑钢构架布置区上布置的蒸汽发生系统设备高度高于高、低温熔盐储罐拱顶，辅助设备布置区设置在地面零米层。该布置结构简单、可防止熔盐凝固、能满足系统性能及运行要求，用于光热电站或供暖热力站中的熔盐储能系统中，该布置结构对汽包式蒸汽发生系统设备及其他附件进行合理布置，使整个系统布置简化。
一种用于熔盐储能供蒸汽发生系统布置结构

[发明专利]半导体元件-CN202010151595.6有效
发明人：黄庆玲 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件，包含一基底；位在该基底上的一隔离层，其中该隔离层具有两端；形成在该基底中并位在该隔离层的该两端中的其中之一端的一第一掺杂区；形成在该基底中并位在该隔离层的该两端中的另一端的一第二掺杂区，其中该第二掺杂区相对该第一掺杂区设置；位在该隔离层上的一控制端子；位在该控制端子上并电性连接该第一掺杂区的一第一熔丝头；位在该第一熔丝头上的一第二熔丝头；以及位在该第一熔丝头与该第二熔丝头之间的一熔丝区
半导体元件

[实用新型]用于区域熔炼设备的隔热节能罩-CN201220436848.5有效
发明人：郑林;陈直;曾小龙;钟光平;李公权 -专利权人：四川鑫龙碲业科技开发有限责任公司
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于区域熔炼设备的隔热节能罩，包括设置在机座上的区熔管（2）和套装在区熔管（2）外并可沿区熔管（2）轴向运动的移动加热车（1），所述在区熔管（2）和移动加热车（1）外围设置隔热节能罩（3），所述区熔管（2）的两端从该隔热节能罩（3）的两端伸出，该隔热节能罩使熔炼设备的热损失降低，操作也十分安全，其人工操作环境好、工艺条件更加稳定，并且区熔管的轴向及横向温度的梯度更小，系统内部的工况稳定性得到了较大的提高
用于区域熔炼设备隔热节能

[发明专利]一种矿用重载车辆柴油机凸轮轴再制造工艺-CN202210554521.6在审
发明人：葛宪纲;陈延辉;宗洧安;董世运;闫世兴;葛瑞达;方燕妃 -专利权人：北京中康增材科技有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种矿用重载车辆柴油机凸轮轴再制造工艺，包括以下步骤：对凸轮轴的桃尖区进行机械处理；对桃尖区进行机械处理后的所述凸轮轴进行逆向建模，得到三维模型；对所述三维模型的桃尖区进行路径规划及机器人仿真；对所述凸轮轴进行装卡定位；设定工艺参数，以同轴送粉的方式使用熔覆材料对所述凸轮轴的桃尖区进行激光熔覆处理，得到熔覆层；对进行激光熔覆处理后所述凸轮轴进行缓冷；对所述凸轮轴的桃尖区的熔覆层进行机械加工，恢复凸轮轴桃尖区结构尺寸；清理凸轮轴，解决了凸轮轴因磨损报废造成的资源浪费、更换成本高的问题，在桃尖区获得一定厚度的熔覆层，提高凸轮轴熔覆区耐热、耐强撞击性能，从而提高发动机可靠性和寿命。
一种重载车辆柴油机凸轮轴制造工艺

[发明专利]具保护复合层的半导体元件及其制造方法-CN200610101518.X无效
发明人：胡伯康;董大卫 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2006-07-12 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包含一具一熔丝窗的熔丝区，该熔丝窗具一窗底及二侧壁；一具一焊垫窗的焊垫区，该焊垫窗具一窗底及二侧壁；以及一保护复合层，其包含牺牲介电层以及覆盖该牺牲介电层的最终保护层，覆盖于该熔丝区及该焊垫区而于该二区仅暴露该熔丝窗的窗底及该焊垫窗的窗底。该保护复合层不但可有效保护熔丝窗侧壁不受空气中水气或杂质的污染，且与熔丝窗侧壁具有良好的附着力，故可避免保护层与熔丝窗侧壁间的易剥离问题，有效提升半导体元件的工艺成品率。
保护复合半导体元件及其制造方法

[发明专利]多层非织造原位层压体及其制备方法-CN200980157628.X有效
发明人： A·D·韦斯特伍德 -专利权人：埃克森美孚化学专利公司
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： B32B5/26 文献下载
摘要：本文描述了包括两个或更多个熔纺织物层的熔纺层压体，其中彼此相邻的层彼此原位缠结而界定各层之间混合纤维的界面区域。本文还描述了熔纺原位层压体的制造方法，包括将彼此相邻的两种或更多种聚合物熔体同时熔纺以形成相邻的织物，其中彼此相邻的层彼此原位缠结而形成各层之间混合纤维的界面区域。本文还描述了包括一个或多个模头的熔纺设备，每个模头包括两个或更多个熔纺区，其中每个区包括与相应区流体连接的多个喷嘴，和其中每个区与熔体挤出机流体连接。
多层织造原位层压及其制备方法