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[发明专利]钽铌酸铋发光材料及其熔体法晶体生长方法-CN201110003272.3无效
发明人：张庆礼;殷绍唐;孙敦陆;许兰;刘文鹏;罗建乔 -专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
申请日： 2011-01-08 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长
钽铌酸铋发光材料及其熔体法晶体生长方法

[发明专利]铁、铬、锰或钴与铝共掺杂的钽酸镓镧、铌酸镓镧晶体及其熔体法生长方法-CN201410084112.X有效
发明人：张庆礼;张琦;孙贵花;吕志萍;窦仁勤 -专利权人：安徽火天晶体科技有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁、铬、锰或钴与铝共掺杂钽酸镓镧、铌酸镓镧晶体及其熔体法生长方法，其分子式为La₃M_0.5Ga_5.5(1-x-y)14(M=Ta、Nb，M′=Fe、Cr、Mn、Co，0<x<1，0<y<1，0<x+y<1)；熔体法生长方法为>O₃、Al₂O₃按比例配制并充分混合好后，压制成形，经高温烧结后，用作晶体生长初始原料；把生长初始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长，获得具有性价比高、更有利于普及应用的压电单晶，可以广泛应用于通讯、高温压力检测等领域。
掺杂钽酸镓镧铌酸镓镧晶体及其熔体法生长方法

[发明专利]铌酸盐Cr_xTm_yHo_zBi_1-x-y-zNbO₄发光材料-CN201310431944.X无效
发明人：石祥华 -专利权人：石祥华
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：其晶体生长方法是按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长
铌酸盐 cr sub tm ho bi nbo 发光材料

[发明专利]稀土或Bi、Cr、Ti掺杂IIA族稀土氧化物发光材料及其制备方法-CN201010512595.0有效
发明人：张庆礼;殷绍唐;孙敦陆;宁凯杰;高进云;刘文鹏;罗建乔 -专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了稀土或Bi、Cr、Ti掺杂的IIA族稀土氧化物发光材料及其熔体法晶体生长方法，按比例将配制好的原料充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；获得的分子式为(D2xD′2y)ARE2(1-x-y-z)RE′2zO4、(D4xD′4y)A3RE4(1-
稀土 bi cr ti 掺杂 iia 氧化物发光材料及其制备方法

[发明专利]钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG及其熔体法晶体生长方法-CN200810018480.9有效
发明人：张庆礼;殷绍唐;孙敦陆;刘文鹏;丁丽华;谷长江;李为民;秦清海;万松明 -专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
申请日： 2008-02-03 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明为钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG及其熔体法晶体生长方法，它的分子式可表为Gd_3xY_3(1－x)Sc₂Ga_3(1+δ)2Ga_3(1+δ)O₁₂即可；配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其他熔体法来进行生长；对于需用籽晶定向生长的熔体法，籽晶为GYSGG单晶、或钇钪镓石榴石YSGG单晶、或钆钪镓石榴石单晶GSGG。
钆钇钪镓石榴石晶体 gysgg 及其熔体法晶体生长方法

[发明专利]掺杂稀土钽铌酸盐RE′_xRE_1-xNb_yTa_1-yO₄发光材料及其熔体法晶体生长方法-CN201110003116.7无效
发明人：张庆礼;殷绍唐;刘文鹏;孙敦陆;杨华军;周鹏宇 -专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
申请日： 2011-01-08 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长
掺杂稀土钽铌酸盐 re sub nb ta 发光材料及其熔体法晶体生长方法

[发明专利]氰熔体法废渣制备氰化钾联产混合硫酸钙的方法-CN201010190451.8有效
发明人：王嘉兴 -专利权人：王嘉兴
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C01C3/10 文献下载
摘要：本发明涉及氰熔体法废渣综合治理和利用技术领域，特别是涉及一种氰熔体法废渣制备氰化钾联产混合硫酸钙的方法，其主要技术方案为：用稀硫酸钾溶液洗涤氰熔体法废渣，经抽滤后放入减压蒸馏器经40～50℃的低温减压蒸馏
氰熔体法废渣制备氰化钾联产混合硫酸钙方法

[发明专利]氰熔体法废渣制备氰化钠联产混合硫酸钙的方法-CN201010190469.8无效
发明人：王嘉兴 -专利权人：王嘉兴
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C01C3/10 文献下载
摘要：本发明涉及氰熔体法废渣综合治理和利用技术领域，特别是涉及一种氰熔体法废渣制备氰化钠联产混合硫酸钙的方法，其主要技术方案为：用稀硫酸钠溶液洗涤氰熔体法废渣，经抽滤后放入减压蒸馏器经20～40℃的低温减压蒸馏
氰熔体法废渣制备氰化钠联产混合硫酸钙方法

[发明专利]Yb掺杂的锗酸钆、锗酸镧及其熔体法生长方法-CN200710023307.3有效
发明人：张庆礼;殷绍唐;丁丽华;刘文鹏;孙敦陆;谷长江 -专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
申请日： 2007-06-06 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种两种Yb掺杂的锗酸盐及其熔体法生长方法，它们的分子式可表为Yb_2xLa_2(1－x)GeO₅、Yb_2x2(1－x)GeO₅(RE＝La，Gd)即可；配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；对于需用籽晶来定向生长的熔体法，籽晶为Yb_2xRE_2(1－x)GeO₅
yb 掺杂锗酸钆锗酸镧及其熔体法生长方法

[实用新型]一种混色射咀-CN201520286061.9有效
发明人：王玉海 -专利权人：宁波巴斯顿机械科技有限公司
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： B29C45/20 文献下载
摘要：本混色射咀包括射咀头以及套设在射咀头尾部的前体法兰，在射咀头内部开设有空腔且在空腔内设有与前体法兰相连的过胶梳，过胶梳能接收由前体法兰卸出的熔料并将熔料输送至射咀头。本实用新型具有混色效果好的优点。
一种混色射咀

[发明专利]一种钪酸钆钇晶体及熔体法晶体生长方法-CN201711396801.4在审
发明人：彭方;马孙明;王晓梅;郭玉勇 -专利权人：苏州晶享嘉世光电科技有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明公开一种钪酸钆钇晶体及其熔体法晶体生长方法，分子式可表示为Gd1‑xYxScO3ScO3即可；配制好的原料经充分混合、压制成圆饼，经高温烧结或不进行高温烧结，成为晶体生长的初始原料；生长初始原料放入坩埚加热完全熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其他熔体法来进行生长。
一种钪酸钆钇晶体熔体法晶体生长方法

[发明专利]掺杂铌酸盐、钽酸盐及其混晶发光材料及其熔体法晶体生长方法-CN200810246216.0无效
发明人：张庆礼;殷绍唐;孙敦陆;刘文鹏;丁丽华;谷长江;秦清海;李为民 -专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
申请日： 2008-12-30 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本发明公开了掺杂铌酸盐、钽酸盐及其混晶发光材料及其熔体法晶体生长方法，化合物的分子式表示为(RE_xRE′_y)M_1-x-y-z-δM′熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；(
掺杂铌酸盐钽酸盐及其发光材料熔体法晶体生长方法

[发明专利]一种制备硅粉的方法-CN201510582093.8有效
发明人：刘相法;周晓璐;朱向镇;武玉英 -专利权人：山东大学;山东吕美熔体技术有限公司
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： B22F9/30 文献下载
摘要：本发明属金属材料领域，是一种利用熔体法制备硅粉的方法。该方法以工业硅块、Si‑P合金和工业纯铝为原料，采用熔体法将工业硅块熔化后，加入Si‑P合金和工业纯铝，熔化搅拌，完全反应后，浇铸于模具中；将制得的铸锭放于水(或空气中)中使其充分水解、粉化；将粉化后的粉状材料干燥本发明采用熔体法，利用化学反应完成从硅块到硅粉的过程。不同于传统的挤压粉碎和冲击粉碎等物理破碎方法，本发明更加安全、环保、节能。
一种制备方法

[发明专利]一种氟硼酸铯晶体的生长方法-CN202210637282.0在审
发明人：潘世烈;史宏声 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氟硼酸铯晶体的生长方法，该方法用熔体法生长晶体，通过在氟硼酸铯原料中添加降粘剂，使得高温熔体的粘度大大降低，同时由于降粘剂在熔体法生长氟硼酸铯晶体中的分凝系数远小于1，因此通过温场调控手段使得晶体实现微凸界面生长可以将降粘剂在生长界面处排到熔体中
一种硼酸晶体生长方法

[发明专利]熔体法生长碳化硅单晶用碳源供应装置-CN202010776039.8在审
发明人：郑红军 -专利权人：郑红军
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶体生长装置领域，具体而言，涉及一种熔体法生长碳化硅单晶用碳源供应装置。熔体法生长碳化硅单晶用碳源供应装置包括坩埚本体和碳源块；所述坩埚本体内设置有熔体；所述碳源块放置在所述坩埚本体的内部的底部，且被所述熔体覆盖，所述熔体用于将所述碳源块溶解为碳化硅晶体生长所需的碳源。本发明的有益效果是：通过在坩埚本体内的底部放置碳源块，熔体覆盖碳源块，能够使碳源块进行充分溶解，进而通过碳源块给碳化硅晶体生长提供稳定的、足够的碳源，形成稳定的碳供应。
熔体法生长碳化硅单晶用碳源供应装置