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[发明专利]复合热释电陶瓷材料及其制备方法-CN202211646342.1有效
发明人：胡立磊;张衡 -专利权人：惠州市鑫永诚光电科技有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明揭示了一种复合热释电陶瓷材料及其制备方法，其中，复合热释电陶瓷材料包括第一热释电陶瓷以及第二热释电陶瓷，第一热释电陶瓷的化学通式为：(Pb1‑xSr0.09)1‑yO3，其中0≦x≦0.05，0.01≦y≦0.1；第二热释电陶瓷的通式为本申请通过第一热释电陶瓷和第二热释电陶瓷复合得到复合热释电陶瓷材料，使得复合热释电陶瓷材料具有第一热释电陶瓷的致密性高、损耗低、介电常数低等优良性能的同时，还具有第二热释电陶瓷热释电性能高的优点，提升了复合热释电陶瓷材料的多种性能
复合热释电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法-CN201911154752.2有效
发明人：沈孟;姜胜林;张光祖 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明属于热释电能量收集领域，更具体地，涉及一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法。本发明提供了一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度的方法，其通过在热释电陶瓷材料中引入高热导率半导体材料，利用半导体材料的电荷补偿效应来调控自由电荷的传输从而提高复合陶瓷材料的热释电系数，同时半导体材料的高热导率提升了复合陶瓷的温度变化率，从而提高该复合陶瓷材料的能量密度，由此解决现有技术制备表面形状复杂的热释电陶瓷工艺复杂，成本高，难以与无源器件的应用需求相兼容等的技术问题。
一种提高热释电复合陶瓷材料能量密度方法

[发明专利]铌镁酸铅-钛酸铅二元系高热释电陶瓷材料及其制备工艺-CN200710043899.5无效
发明人：孙大志;朱杰;朱玉丹;张兰兰;钱娟娟 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： C04B35/472 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌镁酸铅-钛酸铅二元系高热释电陶瓷材料，所述陶瓷材料是以铌镁酸铅(PMN)-钛酸铅(PT)二元系为基元组成构成的单组分线性热释电陶瓷材料或多组分非线性热释电陶瓷材料，基元组成配方为：xPb本发明的热释电系数比一般传统的热释电陶瓷材料高，热释电陶瓷的介电系数在1000～8000之间可调，适宜与红外焦平面器件匹配。本发明的制备工艺比凝胶注模成型法操作简单，原料处理方便，而且成本低廉。
铌镁酸铅钛酸铅二元高热陶瓷材料及其制备工艺

[发明专利]一种铁电-反铁电相变热释电陶瓷材料、陶瓷元件及其制备方法-CN201010170613.1有效
发明人：董显林;张红玲;陈学锋;曹菲;王根水 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-05-11 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁电-反铁电相变热释电陶瓷材料，属于热释电陶瓷领域。本发明公开了一种铁电-反铁电相变热释电陶瓷材料、热释电陶瓷元件及其制备方法。该陶瓷材料的化学成分符合化学通式(Pb1-3x/2Lax)(ZryTizSn1-y-z)O3，其中0＜x≤0.025，y＝0.38～0.46，z＝0.14～0.18；所述陶瓷材料在室温下为铁电相，有无外加电场时，随温度变化均会发生可逆的铁电-反铁电相变。该热释电陶瓷元件经极化处理后或在直流偏压作用下，伴随FE-AFE相变有较大的极化变化，从而获得较大的热释电响应，比传统热释电系数高2-4倍，基本不存在热滞，可用于非制冷红外探测技术或热-电能量转换等领域
一种反铁电相变热释电陶瓷材料陶瓷元件及其制备方法

[发明专利]一种无铅热释电陶瓷材料及其制备方法-CN201310129721.8无效
发明人：王根水;章晶;董显林;高峰 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-04-15 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铅热释电陶瓷材料及其制备方法。所述的无铅热释电陶瓷材料具有如下组成通式：Ca_x(Sr_0.5Ba_0.5)_1-xNb₂O热释电陶瓷材料可以采用传统的固相法制粉和空气烧结工艺制备而成。所制备的无铅热释电陶瓷材料不仅具有晶粒尺寸小，介电常数适中，在室温下呈典型的铁电相优点，而且具有优良的本征热释电性能，在室温下的热释电系数可与PZT系含铅热释电陶瓷相比拟。
一种无铅热释电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种热释电陶瓷材料及其制备方法-CN201110398678.6无效
发明人：郭少波;董显林;王根水;姚春华;曹菲;陈建和 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种热释电陶瓷材料及其制备方法。所述的热释电陶瓷材料具有如下组成通式：(Pb1+δ)(Mg1/3Nb2/3)z(ZrxSn1-x-yTiy)1-zO3+w at.所述的热释电陶瓷材料的制备包括：合成陶瓷粉体、制备陶瓷坯体、进行烧结、化学法镀Ni电极、在硅油中进行极化等步骤。本发明的热释电陶瓷材料具有稳定而适中的热释电系数、较低的介电常数、较低的介电损耗、较大范围内可调的电阻率，可望应用于非制冷红外探测领域。
一种热释电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种热释电材料的应用-CN202010473493.6有效
发明人：张妍;谢文韬;吕治东;唐仲鼎;李晓茹;范凯龙;周科朝 -专利权人：中南大学
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种热释电材料的应用，将热释电材料用于热能收集，利用温度变化将热能转化为电能，所述热释电材料为多孔锆钙钛酸钡陶瓷材料；所述温度变化≥1℃；所述多孔锆钙钛酸钡陶瓷材料的孔隙率为10％～60％。本发明首创的将多孔锆钙钛酸钡陶瓷材料应用于热能收集，发明人发现，多孔锆钙钛酸钡可作为热释电材料，其工作原理为当环境温度发生变化，热释电材料由于热释电效应，使材料的上下表面产生电压，将热能转换为电能，本发明中将多孔锆钙钛酸钡作为热释电材料用于热能收集，其热能转化为电能的条件为温度波动≥1℃，即只需有1℃的温度波动，即能实现热能收集，热能收集的效率相对于现有技术的热电材料大幅提升。
一种热释电材料应用

[发明专利]热释电陶瓷材料及其制备方法-CN201811537224.0在审
发明人：严盛喜;赵明;陈域;陈思源;汪玮玺 -专利权人：扬州江嘉科技有限公司;江苏江佳电子股份有限公司
申请日： 2018-12-15 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明涉及一种热释电陶瓷材料及其制备方法。本发明制备的富锆型热释电陶瓷材料在10℃~80℃温度范围内，均具有较高的热释电系数,较高的探测率优值,以此陶瓷材料制作的热释电红外传感器，在陶瓷比较厚的情况下（例如0.15mm），传感器灵敏度在10℃~80℃温度范围内也可以具有较高水平，可以满足制作高性能红外热释电传感器的要求。
热释电陶瓷材料制备红外热释电传感器热释电红外传感器传感器灵敏度热释电系数陶瓷材料探测率制作陶瓷

[发明专利]一种热释电传感器用敏感元材料大尺寸制备方法-CN201910785805.4在审
发明人：姚春华;郭少波 -专利权人：苏州英瑞传感技术有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种热释电传感器用敏感元材料大尺寸制备方法，具体涉及一种大尺寸的高密度钛酸锶钡热释电陶瓷材料及其制备方法，所述高密度钛酸锶钡热释电陶瓷材料的化学式Ba
热释电陶瓷材料钛酸锶钡制备热释电传感敏感元圆片状优选

[发明专利]一种热释电陶瓷材料及其制备方法-CN201210580297.4有效
发明人：郭少波;董显林;王根水;姚春华;曹菲;杨冰冰 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明涉及一种热释电陶瓷材料及其制备方法，所述热释电陶瓷材料具有如下组成通式：Pb[(Ni1/3Sb2/3)x(Zr1-yTiy)1-x]1-φMnφO3，其中：0≤x≤0.10，0.10≤y≤0.25本发明的热释电陶瓷材料具有稳定而适中的热释电系数、较低的介电常数、较低的介电损耗、较大范围内可调节的电阻率，可望应用于非制冷红外探测领域。
一种热释电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种氧化镁改性的锆钛酸铅热释电陶瓷材料及其制备方法-CN201210514211.8无效
发明人：董显林;王军霞;陈学锋;王根水;聂恒昌 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化镁改性的锆钛酸铅热释电陶瓷材料及其制备方法，所述热释电陶瓷材料是以掺铌的锆钛酸铅Pb0.99(ZrxTi1-x)0.98Nb0.02O3为基体，采用氧化镁进行改性的陶瓷材料；具有如下组成通式本发明的MgO改性锆钛酸铅热释电陶瓷材料的FRL-FRH相变温度降低至10～55℃,甚至能够移到室温（20～33℃）；在室温下介电常数和损耗变化小，而且具有较高的热释电性能，可以满足制作高性能单元热释电探测器的性能要求
一种氧化镁改性锆钛酸铅热释电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]热释电陶瓷材料的烧结改性助剂-CN201610122760.9有效
发明人：白旭春;张殿德;李雪;常飞;郑国恩;刘欣 -专利权人：森霸传感科技股份有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C04B35/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种热释电陶瓷材料的烧结改性助剂，属于陶瓷材料的技术领域。本发明的热释电陶瓷材料的烧结改性助剂，以质量百分比计含有：15.0‑25.0%的ZnO，12.5‑17.5%的CuO，10.0‑15.0%的Al₂O₃，10.0本发明的烧结改性助剂用于PMN‑PZT陶瓷材料的制备，可以降低烧结温度，减少PbO的挥发，同时使晶粒细化，弱化PMN‑PZT晶界，显著提高材料的韧性和机械强度，并使断裂特性由脆性断裂变为了韧性断裂，断裂方式为穿晶断裂，制得的热释电陶瓷材料综合性能良好，可以满足热释电传感器对陶瓷敏感元的性能要求。
热释电陶瓷材料烧结改性助剂

[发明专利]一种经掺杂改性的钛酸钡锶钙热释电陶瓷材料及其制备方法-CN201010584351.3有效
发明人：董显林;曹盛;王根水;毛朝梁;姚春华 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种经掺杂改性的钛酸钡锶钙热释电陶瓷材料，其组成通式为(Ba0.6Sr0.3Ca0.1)1-xYxTi0.999Mn0.001O3，其中x＝0.001～0.010。本发明的热释电陶瓷材料是以简单的固相法制粉和气氛烧结工艺制备而成。本发明的经Y、Mn掺杂改性的钛酸钡锶钙热释电陶瓷材料不仅具有晶粒尺寸小，介电常数大，而且具有较高的热释电性能，可满足制作非制冷红外焦平面器件的性能要求，有效的解决了细晶粒尺寸和高热释电性能之间的矛盾。
一种掺杂改性钛酸钡锶钙热释电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种高居里温度铌酸锶钡热释电陶瓷材料及其制备方法-CN201610738896.2在审
发明人：王根水;陈慧;郭少波;姚春华;曹菲;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种高居里温度铌酸锶钡热释电陶瓷材料及其制备方法，所述铌酸锶钡热释电陶瓷材料的组成通式为SrxBa1‑xNb2O6，其中0.25≤x≤0.35。本发明的SBN陶瓷材料是以固相法制备粉末、冷等静压成型等工艺制得SBN坯体，然后将所得SBN坯体放置于模具中，使用ZrO2粉体对SBN坯体进行填充和覆盖，先升温至1100～1150℃后，再以模具的中轴线为热压轴方向线性均匀加压至100～200MPa并同时升温至1200～1300℃，空气气氛下保温保压2～4小时，最后线性卸压随炉冷却降温到室温，得到所述高致密度、高热释电性能的SBN热释电陶瓷，解决了高居里温度SBN组分热释电性能差的问题
一种居里温度铌酸锶钡热释电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种低介电损耗BNT基无铅热释电陶瓷材料及其制备方法-CN201811504840.6在审
发明人：王根水;贾佳慧;郭少波;姚春华;曹菲;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种低介电损耗BNT基无铅热释电陶瓷材料及其制备方法，所述BNT基无铅热释电陶瓷材料的化学组成为：(1‑x)(Bi_0.5Na_0.5)TiO
热释电陶瓷材料基无低介电损耗制备化学组成

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