专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果687123个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]激光退火装置-CN201980076630.8在审
  • 水村通伸 - 株式会社V技术
  • 2019-11-27 - 2021-06-29 - H01L21/20
  • 提供一种激光退火装置,其对非晶硅膜的要进行改性改性预定区域照射激光来使所述改性预定区域生长为晶化硅膜以进行改性,其中,所述激光退火装置具备:第一照射部,其对所述非晶硅膜进行用于形成籽晶区域的第一激光的照射;以及第二照射部,其进行第二激光的照射,在所述第二激光的照射中,使向所述非晶硅膜的表面照射的激光的光束点以所述籽晶区域为起点而以包罗所述改性预定区域内的方式移动,从而使所述改性预定区域内的所述非晶硅膜改性成为所述晶化硅膜
  • 激光退火装置
  • [发明专利]一种用于激光隐形切割改性层的形位检测方法-CN202310903094.2在审
  • 白倩;石芳媛;何传欣;何昊 - 大连理工大学
  • 2023-07-21 - 2023-09-19 - B23K26/38
  • 本发明公开了一种用于激光隐形切割改性层的形位检测方法,包括以下步骤:激光器发射检测激光束经偏振片、聚焦物镜变为线偏振光聚焦在激光隐形切割样品内部;光电检测器经偏振分光镜、格兰镜等采集在激光隐形切割样品改性层偏振状态发生改变的线偏振光;上位机对采集的数据进行处理并对激光隐形切割样品改性层进行三维重构。本发明根据偏振激光散射原理,仅检测偏振状态发生改变的线偏振光的光强即可实现对激光隐形切割样品改性层质量的检测。本发明通过聚焦物镜、聚焦透镜和针孔,极大提高了对激光隐形切割样品改性层的形位检测精度。本发明可直接用于现有的激光隐形切割设备,实现对激光隐形切割技术改性层质量的在线高精度检测。
  • 一种用于激光隐形切割改性检测方法
  • [发明专利]激光加工方法-CN201010531431.2有效
  • 仓知孝介;久保田雅彦;冈野明彦;平本笃司 - 佳能株式会社
  • 2010-11-04 - 2011-05-25 - B23K26/00
  • 本发明提供一种能够提高加工形状的精度和加工形状的自由度的激光加工方法。当在作为待加工对象的基板(W)中形成凹部时,用作为第一激光改性激光(L1)的会聚点(LS1)扫描基板(W)的内部,以在与凹部的底部对应的位置中形成改性层(Wr),所述改性层(Wr)成为激光加工区域(R1)的边界(改性层形成步骤)。然后,用作为第二激光的会聚加工激光照射基板(W)的表面(Wa)以去除和加工由改性层(Wr)限定的激光加工区域(R1),以由此形成凹部(去除/加工步骤)。
  • 激光加工方法
  • [发明专利]激光退火方法及薄膜晶体管的制造方法-CN201980076602.6在审
  • 水村通伸 - 株式会社V技术
  • 2019-12-03 - 2021-07-23 - H01L21/20
  • 提供一种激光退火方法,其是对非晶硅膜的要进行改性改性预定区域照射激光来使所述改性预定区域改性为晶化硅膜的激光退火方法,其中,所述激光退火方法包括:第一照射工序,在该第一照射工序中,对所述改性预定区域的外侧的所述非晶硅膜进行用于形成由微晶硅构成的籽晶区域的第一激光的照射;以及第二照射工序,在该第二照射工序中,以所述籽晶区域为起点,对所述非晶硅膜的表面进行第二激光的照射而进行晶体生长,以使所述改性预定区域内的所述非晶硅膜成为所述晶化硅膜。
  • 激光退火方法薄膜晶体管制造
  • [发明专利]处理系统和处理方法-CN201980056207.1有效
  • 田之上隼斗 - 东京毅力科创株式会社
  • 2019-09-03 - 2023-08-22 - B23K26/53
  • 一种对处理对象体进行处理的处理系统,该处理系统具有:改性装置,其在所述处理对象体的内部沿面方向形成内部面改性层;以及分离装置,其以所述内部面改性层为基点分离所述处理对象体,所述改性装置具有:激光照射部,其向所述处理对象体的内部照射多个激光束;以及移动机构,其使所述激光照射部和所述处理对象体相对地移动,所述改性装置利用所述移动机构使来自所述激光照射部的所述多个激光束相对于所述处理对象体相对地移动,而形成所述内部面改性
  • 处理系统方法
  • [发明专利]一种二维材料的氧掺杂改性方法-CN201910465627.7有效
  • 杨奉佑;陈胜垚;王晓丰;刘前 - 国家纳米科学中心
  • 2019-05-30 - 2021-11-16 - C01G39/06
  • 本发明提供了一种二维材料的氧掺杂改性方法。本发明提供的方法包括以下步骤:(1)将二维材料置于激光直写系统中,用定位系统找到待改性区域;(2)使用所述激光直写系统在步骤(1)所述待改性区域按照设定的图案进行激光直写,得到氧掺杂改性的二维材料。该方法通过利用定位系统精确定位二维材料的待改性区域,并按照图案对二维材料进行激光直写,可以实现对选定区域的氧掺杂改性,而不影响其他区域,该氧掺杂改性的方法精确度达到100nm;并且通过使用灰度图,根据所述灰度图的不同灰阶分别用不同能量的激光进行激光直写可实现不同掺杂位置具有不同的氧掺杂量
  • 一种二维材料掺杂改性方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top