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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]源部件、安装源部件的设备、以及安装和移走源部件的方法-CN200680013543.0有效
发明人： P·索伊尼宁 -专利权人： BENEQ有限公司
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于将源部件装入气体沉积反应器内的设备。设备包括至少一个用于源部件的源部件配接头，源部件配接头连接到气体沉积反应器的反应空间，且源部件至少部分的装入源部件配接头或连接源部件配接头的源部件空间内。依照本发明，设备还包括在源部件配接头内用于接收源部件的接收装置，和将源部件装入源部件配接头中以便使用的适当位置的装载装置，和配设在源部件内用于固态或液态源材料(3)的腔室(1)，以及用于将腔室(1)完全与外界隔离的隔离装置
部件安装设备以及移走源方法

[发明专利]无源部件-CN202111346899.9在审
发明人：北川比沙希;姬田高志;木仓丈 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明提供包含不容易产生由热应力引起的静电电容的变动的电容器的无源部件。在绝缘性的基板的表面设置凹部。在凹部的至少一部分填充下部电极。在下部电极的表面设置介电膜。上部电极隔着介电膜与下部电极对置。
无源部件

[发明专利]无源部件-CN200880008603.9有效
发明人：水谷靖彦;牧野仁 -专利权人：双信电机株式会社
申请日： 2008-03-13 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H03H7/075 文献下载
摘要：本发明提供无源部件。在第一无源部件(10A)中，在以下的位置形成有第一并联谐振电路～第三并联谐振电路中的具有接近通频带的谐振频率的第二并联谐振电路(16B)。
无源部件

[发明专利]无源部件-CN200980138198.7有效
发明人：浦野正树;竹内普乙 -专利权人：双信电机株式会社
申请日： 2009-09-28 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01P5/10 文献下载
摘要：第一无源部件（10A）包含：具有一个不平衡输入端子（12）的一个不平衡线路（14）；与该不平衡线路（14）相对安装且具有两个平衡输出端子（第一平衡输出端子（16a）和第二平衡输出端子（16b））的一个平衡线路
无源部件

[发明专利]无源部件-CN200680036505.7有效
发明人：木村广伸;平井隆己;水谷靖彦;竹内普乙 -专利权人：双信电机株式会社
申请日： 2006-09-28 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：提供了一种具有采用非平衡输入/输出系统的滤波器部分(18)和具有两个双线耦合线(20、22)的转换部分(24)的无源部件(10)，滤波器部分具有连接到非平衡输入端子(12)的输入侧谐振器(14)和与输入侧谐振器耦合的输出侧谐振器
无源部件

[发明专利]无源部件-CN200580040448.5有效
发明人：木村广伸;平井隆己;水谷靖彦;浦野正树 -专利权人：双信电机株式会社
申请日： 2005-11-25 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：一种电介质衬底(12)，包括形成于该电介质衬底(12)内的滤波器单元(20)、不平衡/平衡转换单元(22)和将所述滤波器单元(20)电连接至所述不平衡/平衡转换单元(22)的连接单元(24)。第一谐振器(26)具有形成于第四电介质层(S4)的主表面上的电极(36)和穿透第一到第三电介质层(S1到S3)并将所述电极(36)连接至地电极(18)的通孔(38)。第二谐振器(28)具有形成于第四电介质层(S4)的主表面上的电极(42)和穿透第一到第三电介质层(S1到S3)并将所述电极(42)连接至地电极(18)的通孔(44)。
无源部件

[发明专利]集成无源部件-CN202110410481.3在审
发明人：木仓丈;多田敏博;鹫森直史 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种集成无源部件，其不易产生由热应力引起的裂纹，能够抑制无源电路的特性的降低。在绝缘性的基板之上配置电容器。还在基板之上配置有包括至少一端与电容器连接的导体图案的电感器。
集成无源部件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110307557.X在审
发明人：江国诚;朱熙甯;程冠伦;王志豪;庄正吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体结构包括：源极部件；漏极部件；一个或多个沟道层，连接源极部件与漏极部件；以及栅极结构，在源极部件与漏极部件之间。该栅极结构与一个或多个沟道层中的每一个接合。该半导体结构还包括：第一源极硅化物部件，在源极部件上方；源极接触件，在第一源极硅化物部件上方；第二源极硅化物部件，在源极部件下方；通孔，在第二源极硅化物部件下方；以及电源轨，在通孔下方。第一源极硅化物部件和第二源极硅化物部件在截面图中完全包围源极部件。电源轨是背侧电源轨。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]基于电学测量的电路布线布局修改方法和系统-CN201410150407.2有效
发明人： G·贝尔;D·迈尔;G·梅茨格-布吕克尔;R·洛伊施纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-04-15 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：通过测量在第一衬底上制造的无源部件的电感或电容值，存储无源部件和无源部件各自的测定值之间的个体关联，并且基于无源部件和无源部件各自的测定值之间的个体关联为无源部件确定电连接，来调整电学电路的电容或电感。相应的系统包括：测试器，可操作为测量在第一衬底上制造的无源部件的电感或电容值；存储系统，可操作为存储无源部件和无源部件各自的测定值之间的个体关联；和处理电路，可操作为基于无源部件和无源部件各自的测定值之间的个体关联为无源部件确定电连接
基于电学测量电路布线布局修改方法系统

[发明专利]具有无源激活部件的密封部件-CN201410254346.4有效
发明人： H·格拉夫 -专利权人：索尤若驱动有限及两合公司
申请日： 2009-11-16 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： F16J15/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种密封部件，其位置固定地设置在壳体(1)上，所述密封部件包括密封唇口(5)，该密封唇口通过加固件、尤其是螺旋形弹簧(7)被压到一可动的部件、尤其是转动的轴(2)上，其中在密封唇口(5)的背离流体侧(4)的一侧上设置有由亲脂的材料组成的激活部件(9，10)。
具有无源激活部件密封

[发明专利]具有无源激活部件的密封部件-CN201410255194.X有效
发明人： H·格拉夫 -专利权人：索尤若驱动有限及两合公司
申请日： 2009-11-16 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： F16J15/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种密封部件，其位置固定地设置在壳体(1)上，所述密封部件包括密封唇口(5)，该密封唇口通过加固件、尤其是螺旋形弹簧(7)被压到一可动的部件、尤其是转动的轴(2)上，其中在密封唇口(5)的背离流体侧(4)的一侧上设置有由亲脂的材料组成的激活部件(9，10)。
具有无源激活部件密封

[发明专利]电子部件和无源部件-CN200880113938.7有效
发明人：高濑耕平 -专利权人：双信电机株式会社
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：一种电子部件和无源部件限定了一对相同图案之间的距离与在层压方向上彼此相邻的各对相同图案之间的距离的相关性，并且可以进一步改进电感器的值(Q)，从而可以确保相邻频带内的衰减并且以低损耗实现低功率消耗。
电子部件无源

[发明专利]具有无源激活部件的密封部件-CN200980146279.1有效
发明人： H·格拉夫 -专利权人：索尤若驱动有限及两合公司
申请日： 2009-11-16 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： F16J15/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种密封部件，其位置固定地设置在壳体(1)上，所述密封部件包括密封唇口(5)，该密封唇口通过加固件、尤其是螺旋形弹簧(7)被压到一可动的部件、尤其是转动的轴(2)上，其中在密封唇口(5)的背离流体侧(4)的一侧上设置有由亲脂的材料组成的激活部件(9，10)。
具有无源激活部件密封

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110294664.3在审
发明人：黄禹轩;黄家恩;蔡庆威;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体结构包括电源轨、位于电源轨上的第一源极/漏极导电部件、连接电源轨与第一源极/漏极导电部件的沟道；位于第一源极/漏极导电部件上的隔离部件，以及位于隔离部件上的第二源极/漏极导电部件，其中第一源极/漏极导电部件和第二源极/漏极导电部件的导电类型相反。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构-CN202110660780.2在审
发明人：朱峯庆;李威养;林家彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括：隔离结构；第一源极/漏极部件(S/D)以及第二源极/漏极部件，在隔离结构上，定义第一方向，在俯视图中，第一方向从第一源极/漏极部件至第二源极/漏极部件；一个或多个通道层，连接第一源极/漏极部件以及第二源极/漏极部件；栅极结构，在第一源极/漏极部件以及第二源极/漏极部件之间，且齿合每个通道层；以及导孔结构，在第一源极/漏极部件下方，且电性连接至第一源极/漏极部件。
半导体结构

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