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- [发明专利]用于处理基底的设备和方法-CN201380036581.8在审
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M·亚乌希艾宁;P·索伊尼宁
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BENEQ有限公司
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2013-07-08
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2015-03-18
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C23C16/455
- 本发明涉及用于通过使基底(20，30)的表面(32)承受第一前体和第二前体的相继表面反应来处理基底的表面(32)的设备和方法。所述设备包括：喷嘴头(6，7)，所述喷嘴头具有两个或者更多个前体喷嘴；和运动机构(8，10)，所述运动机构用于使喷嘴头(6，7)以非线性振荡运动的方式沿第一运动方向和第二运动方向在第一极限位置(B)和第二极限位置(C)之间运动经过中央位置(A)。所述运动机构包括：第一驱动装置(21，22)，其用于使喷嘴头(6，7)沿第一运动方向加速以及使喷嘴头沿第二运动方向减速；和第二驱动装置(23，24)，其用于使喷嘴头(6，7)沿第二运动方向加速以及使喷嘴头(6，7)沿第一运动方向减速。
- 用于处理基底设备方法
- [发明专利]一种装置-CN201180041749.5有效
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T·阿拉萨雷拉;P·索伊尼宁
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BENEQ有限公司
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2011-08-22
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2013-08-07
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C23C16/455
- 本发明涉及一种装置，其通过使基板(6)的表面(4)经受至少第一前体及第二前体的连续表面反应而对基板(6)的表面(4)进行处理。本发明的装置包括至少一个喷嘴头(2,40)及运动机构(42,44)。喷嘴头(2,40)包括两个或更多个前体区域(14,16)，用于使基板(6)之表面(4)经受至少第一前体及第二前体的作用。运动机构(42,44)在第一结束位置及第二结束位置之间以振荡运动方式使喷嘴头(2,40)运动。根据本发明所述，喷嘴头(2,40)的振荡中所释放的喷嘴头(2,40)的至少部分动能由运动机构(42,44)储存。
- 一种装置
- [发明专利]装置-CN201180041751.2有效
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P·索伊尼宁;T·阿拉萨雷拉
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BENEQ有限公司
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2011-08-29
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2013-05-15
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C23C16/455
- 本发明涉及一种用于处理基底（6）的表面（4）的装置。该装置包括喷嘴头（2），用于使基底（6）的表面（4）经受至少第一前驱物（A）和第二前驱物（B）的相继表面反应。喷嘴头（2）包括：一个或多个用于使基底（6）的表面（4）经受第一前驱物（A）作用的第一前驱物喷嘴（8）；一个或多个用于使基底（6）的表面（4）经受第二前驱物（B）作用的第二前驱物喷嘴（10）；以及一个或多个位于第一前驱物喷嘴（8）与第二前驱物喷嘴（10）之间的清除气体区域（12）。根据本发明的喷嘴头（2）设置用于在基底（6）的表面（4）上方沿着环路路径移动，以使得第一和第二前驱物喷嘴（8、10）的取向保持基本不变。
- 装置
- [发明专利]喷嘴头和装置-CN201180041752.7有效
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P·索伊尼宁;O·佩科宁
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BENEQ有限公司
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2011-08-29
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2013-05-15
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C23C16/455
- 本发明涉及一种涂布基板（6）的表面（4）的装置及喷嘴头。该装置包括：处理室（26），处理室内具有气体环境（14）；喷嘴头（2），该喷嘴头布置在该处理室（26）内；前驱物供应及排放构件。该喷嘴头（2）包括：一个或更多个第一前驱物喷嘴（8），用于使该基板（6）的该表面（4）历经第一前驱物（A）；一个或更多个第二前驱物喷嘴（10），用于使该基板（6）的该表面（4）历经第二前驱物（B）；以及一个或更多个冲洗气体通道（12），介于所述第一前驱物喷嘴与第二前驱物喷嘴（8，10）之间。在本发明中，该冲洗气体通道（12）至少部分地朝包括冲洗气体的该气体环境（14）敞开，使该基板（6）的该表面（4）历经冲洗气体。
- 喷嘴装置
- [发明专利]喷嘴头-CN201180041766.9有效
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P·索伊尼宁;O·迫科南
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BENEQ有限公司
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2011-08-25
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2013-05-01
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C23C16/455
- 本发明涉及一种喷嘴头（2），该喷嘴头用于使基底（6）的表面（4）经受至少第一前驱物（A）和第二前驱物（B）的相继表面反应。喷嘴头（2）包括两个或更多个用于第一前驱物（A）的第一前驱物喷嘴（8）和两个或更多个用于第二前驱物（B）的第二前驱物喷嘴（10），所述第一前驱物喷嘴（8）具有至少一个第一入口端口（18）和至少一个第一出口端口（20），所述第二前驱物喷嘴（10）具有至少一个第二入口端口（22）和至少一个第二出口端口（24）。根据本发明，喷嘴头（2）包括至少一个第一连接元件（30），用于将第一前驱物（A）从一个第一前驱物喷嘴（8）导引至一个或多个其他第一前驱物喷嘴（8）。
- 喷嘴
- [发明专利]装置-CN201180041762.0有效
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T·阿拉萨雷拉;P·索伊尼宁
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BENEQ有限公司
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2011-08-29
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2013-05-01
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C23C16/455
- 本发明涉及一种处理至少部分圆柱状的表面（4,5）的装置。所述装置包括至少一个喷嘴头（2），喷嘴头（2）包括：一个或多个第一前体区域（14），用于使圆柱状物体（6）的基体（7）或表面（4）受到第一前体的作用；和一个或多个第二前体区域（16），用于使圆柱状物体（6）的表面（4）受到第二前体的作用。根据本发明，喷嘴头（2）形成为圆柱体，所述圆柱体具有中心轴线和包括输出面的大致圆形的外周，并且所述输出面具有一个或多个第一前体区域（14）和一个或多个第二前体区域（16）。
- 装置
- [发明专利]喷嘴头-CN201180041750.8有效
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P·索伊尼宁;R·恩霍尔姆
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BENEQ有限公司
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2011-08-29
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2013-05-01
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C23C16/455
- 本发明是关于一种喷嘴头(2)，用于用于使基板(6)的表面(4)经受至少第一前体(A)及第二前体(B)的连续表面反应。该喷嘴头(2)包括两个或更多细长型前体喷嘴(8，10)，使该基板(6)的该表面(4)经受该第一前体及第二前体(A，B)。根据本发明，该喷嘴头(2)包括位于输出面(5)上的复数个前体喷嘴(8，10)、复数个冲洗气体通道(12)、及复数个排放通道(42，46)，其连续顺序如下：至少一个第一前体喷嘴(8)、第排放通道(42)、冲洗气体通道(12)、第二前体喷嘴(10)、第二排放通道(46)、及冲洗气体通道(12)，可选地重复多次。
- 喷嘴
- [发明专利]设备-CN201080026506.X有效
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P·索伊尼宁;J·斯卡普
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BENEQ有限公司
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2010-06-14
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2012-11-28
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C23C16/54
- 本发明涉及一种用于在衬底表面上进行原子层沉积的设备(1)，通过对衬底(11)表面进行交替的起始物料表面反应来进行原子层沉积，该设备包括：两个或更多个低压室(2)；两个或更多个独立的反应室(8，12)，这些反应室设置用于放在低压室(2)内部；以及至少一个起始物料输入系统(5)，它由两个或更多个低压室(2)共用，以进行原子层沉积。根据本发明，该设备包括至少一个装载装置(6，16)，设置成给反应室(8，12)装载和卸载衬底(11)，以及进一步给低压室(2)装载和卸载反应室(8，12)。
- 设备
- [发明专利]闸装置、生产线和方法-CN201080006803.8无效
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P·索伊尼宁;J·斯卡普
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BENEQ有限公司
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2010-02-08
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2012-01-04
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C23C16/54
- 本发明涉及一种闸装置(10、11)，基体(8)可穿过闸装置送入处理室(4)和/或从处理室(4)移出，该闸装置(10、11)包括隔离阀(12、22)，基体(8)穿过隔离阀导入处理室(4)和/或从处理室(4)移出。根据本发明，闸装置(10、11)包括与隔离阀(12、22)相连的至少一个扩散闸(14、16、24、26)，当将基体导入和/或移出处理室(4)时，基体(8)在穿过闸装置(10、11)的同时大体上阻塞该扩散闸。本发明还涉及包括该闸装置(10、11)的生产线和用于将基体(8)送入和/或移出处理室(2、4、6)的方法。
- 装置生产线方法
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