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[发明专利]具有扩散层PVD轴瓦的生产方法-CN200710093218.6有效
发明人：冀庆康;唐太平;吴文俊 -专利权人：重庆跃进机械厂
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： F16C33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有扩散层PVD轴瓦的生产方法，包括溅前处理、将轴瓦装入夹具、抽真空、溅射镍栅层(Ni)、溅射铝合金减摩层(AlSnCu)、检查尺寸及外观，其关键在于：所述溅射舱抽真空后，在PVD轴瓦基体溅射镍栅层(Ni)之前先磁控溅射增设第一扩散层；所述溅射镍栅层(Ni)之后，溅射铝合金减摩层(AlSnCu)之前先磁控溅射增设第二扩散层；本发明提供一种溅射层与基体以及溅射层与溅射层之间通过磁控溅射扩散层的方法，通过扩散层的金属健结构和机械互锁结构，提高溅射层与基体以及溅射层与溅射层之间附着强度。
具有扩散 pvd 轴瓦生产方法

[发明专利]通过溅射舱内轴瓦溅前负偏压清洗的PVD轴瓦磁控溅射工艺-CN200710093216.7有效
发明人：冀庆康;吴文俊;张永红 -专利权人：重庆跃进机械厂
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过溅射舱内轴瓦溅前负偏压清洗的PVD轴瓦磁控溅射工艺，包括溅前处理、轴瓦装入夹具、抽真空、溅射镍栅层(Ni)、溅射铝合金减摩层(AlSnCu)、检查尺寸及外观，其关键在于：在所述溅射舱抽真空后、轴瓦溅前负偏压清洗，该轴瓦溅前负偏压清洗与PVD轴瓦基体溅射镍栅层(Ni)之间增设磁控溅射第一扩散层；所述溅射镍栅层(Ni)之后，溅射铝合金减摩层(AlSnCu)之前先磁控溅射增设第二扩散层；本发明对PVD轴瓦内表面的进行负偏压清洗，提高PVD轴瓦溅射膜层与基体之间的附着强度。在溅射层与基体以及溅射层与溅射层之间通过磁控溅射扩散层的方法，通过扩散层的金属健结构和机械互锁结构，提高溅射层与基体以及溅射层与溅射层之间附着强度。
通过溅射轴瓦溅前负偏压清洗 pvd 磁控溅射工艺

[发明专利]一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法-CN201310549471.3无效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法，包括：交流溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷，在Si3N4层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；交流溅射硅铝旋转靶，在AZO层上磁控溅射Si3N4层。
一种红外屏蔽功能薄膜制备方法

[发明专利]一种Mini LED外延结构及其制造方法-CN202111622943.4在审
发明人：刘恒山;吴永胜;解向荣;马野;江辉煌 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种Mini LED外延结构及其制造方法，在衬底层上生长氮化物缓冲层后，在氮化物缓冲层上溅射第一溅射层；在第一溅射层上生长N型氮化镓层；在N型氮化镓层上溅射第二溅射层；在第二溅射层上生长应力缓冲层；在应力缓冲层上溅射第三溅射层；在第三溅射层上生长量子阱层；最终得到依次层叠的衬底层、氮化物缓冲层、第一溅射层、N型氮化镓层、第二溅射层、应力缓冲层、第三溅射层及量子阱层；本发明通过在存在较明显的晶格失配的层级之间设置溅射层抵消应力的影响，通过设置多层溅射层实现对应力的层层抵消，避免了最终累积对量子阱层产生影响，确保了成品Mini LED芯片的品质。
一种 mini led 外延结构及其制造方法

[发明专利]一种超高透高性能低辐射膜的制备方法-CN201310567790.7有效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，包括：A、直流溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；B、直流溅射Nb平面靶，在Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；C、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Nb2O5层上磁控溅射AZO层；D、直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；E、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；F、直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；G、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；H、交流溅射ZnSn合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。
一种超高性能辐射制备方法

[发明专利]一种TSV通孔及其溅射工艺-CN201810759488.4在审
发明人：李春阳;于政;方梁洪;罗立辉 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种TSV通孔及其溅射工艺，所述溅射工艺包括种子层溅射，所述种子层溅射采用分步溅射法。本发明通过调整、优化溅射功率及沉积速率，能够使溅射的阻挡层和种子层更加的连续、致密；通过电镀后的通孔填充效果，确定了阻挡层和种子层最佳溅射厚度；同时开发了种子层分步溅射法，防止种子层连续溅射过程中温度过高对芯片造成的损伤，也避免连续溅射产生的膜层异常。
溅射种子层连续溅射溅射法阻挡层致密溅射功率通孔填充电镀膜层中温沉积损伤芯片优化开发

[发明专利]一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法-CN201310567780.3在审
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本金色低辐射率薄膜的制备方法，包括：A、直流电源溅射不锈钢平面靶，在玻璃基板上磁控溅射SSTOx层；B、直流电源溅射铬平面靶，在SSTOx层上磁控溅射CrNx层；C、直流电源溅射银平面靶，在CrNx层上磁控溅射Ag层；D、直流电源溅射铜平面靶，在Ag层上磁控溅射Si层；E、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Si层上磁控溅射AZO层；F、直流电源溅射铜平面靶，在AZO层上磁控溅射Cu层；G、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Cu层上磁控溅射AZO层；H、交流电源溅射硅铝合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射SiO2层。
一种低成本金色辐射薄膜制备方法

[发明专利]一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法-CN201310567856.2在审
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种可钢异地加工低辐射薄膜的制备方法，包括：A、交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；B、直流电源溅射不锈钢平面靶，在Si3N4层上磁控溅射SSTOx层；C、直流电源溅射铬平面靶，在SSTOx层上磁控溅射CrNx层；D、直流电源溅射银平面靶，在CrNx层上磁控溅射Ag层；E、直流电源溅射铜平面靶，在Ag层上磁控溅射Si层；F、直流电源溅射NiCr合金平面靶，在Si层上磁控溅射NiCr层；G、交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层；H、交流电源溅射硅铝旋转靶，在ZnSnO3层上磁控溅射Si3N4层。
一种异地加工辐射薄膜制备方法

[发明专利]一种低成本防辐射薄膜的制备方法-CN201310554538.2有效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本防辐射薄膜的制备方法，包括：交流电源溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷，在Si3N4层上磁控溅射AZO层；直流电源溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；直流电源溅射铜平面靶，在Ag层上磁控溅射Cu层；交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Cu层上磁控溅射AZO层；直流电源溅射铜平面靶，在AZO层上磁控溅射Cu层；交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Cu层上磁控溅射AZO层；交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。
一种低成本防辐射薄膜制备方法

[发明专利]一种低辐射玻璃的制作方法-CN201310718118.3无效
发明人：魏佳坤 -专利权人：揭阳市宏光镀膜玻璃有限公司
申请日： 2013-12-21 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种低辐射玻璃的制作方法,其特征在于包括以下步骤：A、交流中频电源溅射陶瓷钛靶，在玻璃基板上磁控溅射TiO₂介质层；B、直流电源溅射铬平面靶，在TiO₂介质层上磁控溅射CrNx阻挡层；C、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在TiO₂介质层上磁控溅射AZO平整层；D、直流电源溅射银平面靶，在AZO平整层上磁控溅射Ag功能层；E、直流电源溅射，在Ag功能层上磁控溅射(NiCr)xOy层；F、交流中频电源溅射锡靶，在(NiCr)xOy层上磁控溅射SnO₂保护层；G、直流电流溅射石墨靶，在步SnO₂保护层上磁控溅射C层。
一种辐射玻璃制作方法

[发明专利]一种防辐射薄膜的制备方法-CN201310549332.0无效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种防辐射薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射TiO2层；B、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在TiO2层上磁控溅射AZO层；C、直流电源溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；D、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；E、直流电源溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；F、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；G、交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。
一种防辐射薄膜制备方法

[发明专利]一种耐腐蚀薄膜的制备方法-CN201310552861.6有效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐腐蚀薄膜的制备方法，包括：A、直流电源溅射Bi平面靶，在透明耐热基板上磁控溅射Bi2O3层；B、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在Bi2O3层上磁控溅射TiOx层；C、直流电源溅射铬平面靶，在TiOx层上磁控溅射CrNx层；D、直流电源溅射铜平面靶，在CrNx层上磁控溅射Cu层；E、直流电源溅射NiCr合金平面靶，在Cu层上磁控溅射NiCr层；F、交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。
一种腐蚀薄膜制备方法

[发明专利]一种金色薄膜的制备方法-CN201310567819.1无效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种金色薄膜的制备方法,包括：A、直流电源溅射不锈钢平面靶，在玻璃基板上磁控溅射SSTOx层；B、直流电源溅射铬平面靶，在SSTOx层上磁控溅射CrNx层；C、直流电源溅射银平面靶，在CrNx层上磁控溅射Ag层；D、直流电源溅射硅平面靶，在Ag层上磁控溅射Si层；E、直流电源溅射NiCr合金，在Si层上磁控溅射NiCr层；F、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。
一种金色薄膜制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒柔性薄膜电池的钼层制备方法-CN201710590940.4在审
发明人：张情情;张啸潮;张卫卫;朱家宽;刘杰鹏;高锦龙 -专利权人：旭科新能源股份有限公司
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒柔性薄膜电池的钼层制备方法，它包括a）选取优质的聚酰亚胺薄膜作为铜铟镓硒太阳能电池的衬底，用化学水浴法将聚酰亚胺薄膜表面清洗干净；b）采用多靶溅射方法，首先在聚酰亚胺薄膜的正面溅射至少一层疏松的钼层，然后在疏松的钼层上再溅射至少一层致密的钼层；其次在背面以同样方式溅射一层平衡正面钼层应力的镀层；多靶溅射至少包括3个溅射靶机，其中第一溅射靶机在聚酰亚胺薄膜的正面溅射疏松的钼层，第二溅射靶机在聚酰亚胺薄膜的背面溅射一层钼层，第三溅射靶机在正面疏松的钼层上面再溅射一层致密的钼层；它具有方法简单可靠，能防止聚酰亚胺柔性衬底产生卷曲的现象以及能防止铜铟镓硒柔性薄膜太阳能电池脱落及卷曲等特点。
一种铜铟镓硒柔性薄膜电池制备方法

[发明专利]一种高透薄膜的制备方法-CN201310548946.7有效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种高透薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、直流电源溅射Nb平面靶，在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层；B、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在Nb2O5层上磁控溅射TiO2层；C、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶，在TiO2层上磁控溅射AZO层；D、直流电源溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；E、直流电源溅射NiCr合金平面靶，在Ag层上磁控溅射NiCr层；F、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在NiCr层上磁控溅射TiO2层。
一种薄膜制备方法

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