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[实用新型]一种基于CMOS工艺的TVS器件-CN201520847782.2有效
发明人：高秀秀;陈利;张军亮;姜帆;高耿辉 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开基于CMOS工艺的TVS器件，包括衬底，衬底上设有N阱区，N阱区上设有N1+有源注入区、P1+有源注入区、N2+有源注入区、ZP有源注入区，N1+有源注入区、P1+有源注入区、N2+有源注入区、ZP有源注入区依次从左到右排列，ZP有源注入区上设有N3+有源注入区、P23+有源注入区，P1+有源注入区连接N2+有源注入区，P1+有源注入区和N2+有源注入区都连接至输入或输出I/O端，N1+有源注入区连接N3+有源注入区，N1+有源注入区和N3+有源注入区都连接至电源VDD端，P23+有源注入区连接GND端。
一种基于 cmos 工艺 tvs 器件

[发明专利]一种用于低压电路静电防护的可控硅器件-CN202210435477.7在审
发明人：董树荣;俞方俊;邓非凡;朱信宇;陈奕鹏 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于低压电路静电防护的可控硅器件，包括衬底以及设于衬底上的器件区，所述器件区包括N阱，所述N阱内设有注入区和第三N+注入区，所述第三N+注入区围绕所述注入区连续设置，所述第三N+注入区下方设有PESD注入层；所述注入区被分割为相邻的第一N+注入区、第一P+注入区，第二N+注入区，所述第一N+注入区、第二N+注入区、N阱、PESD注入层、第三N+注入区构成NPN三极管；所述第一P+注入区、N阱、PESD注入层、第三N+注入区形成PNPN可控硅路径；所述第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区通过金属导线接入电学阳极；所述第三N+注入区通过金属导线接入电学阴极。
一种用于低压电路静电防护可控硅器件

[发明专利]窄设计窗口的对称双向可控硅静电防护器件及其制作方法-CN202010193302.0有效
发明人：杨浩泽;汪洋;杨红姣 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种窄设计窗口的对称双向可控硅静电防护器件及其制作方法，包括：P型衬底，P型外延层，第一P阱、第二P阱、第三P阱、第四P阱，第一N型深阱、第二N型深阱、第三N型深阱，第一P+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第五P+注入区、第六P+注入区，和N+注入区Ⅰ、P+注入区Ⅱ、P+注入区Ⅲ、P+注入区Ⅳ、P+注入区Ⅴ、P+注入区Ⅵ，第三P+注入区和N+注入区Ⅰ以金属相连；第四P+注入区和N+注入区Ⅵ以金属相连；第一P+注入区、第二P+注入区、第六P+注入区和N+注入区Ⅱ连接在一起并作为器件的阴极，第五P+注入区和N+注入区Ⅱ连接在一起并作为器件的阳极，如此，增加电荷泄放的通路
设计窗口对称双向可控硅静电防护器件及其制作方法

[发明专利]一种静电放电防护器件-CN201010522615.2无效
发明人：马飞;韩雁;董树荣;宋波;苗萌;李明亮;吴健;郑剑锋 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-10-28 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电放电防护器件，包括P型衬底，所述的P型衬底上设有P阱，P阱上设有从内向外同心环列的圆形或环形的第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区、第二P+注入区、第六N+注入区以及第三P+注入区；第二N+注入区、第一P+注入区和第三N+注入区依次紧挨，第五N+注入区、第二P+注入区和第六N+注入区依次紧挨，第六N+注入区和第三P+注入区通过浅壕沟隔离；第一N+注入区和第二N+注入区之间、第三N+注入区和第四N+注入区之间以及第四N+注入区和第五N+注入区之间的P阱表面覆有从下至上依次层叠的栅氧和多晶硅栅。
一种静电放电防护器件

[发明专利]一种静电放电保护结构-CN201410016868.0在审
发明人：吕宇强 -专利权人：帝奥微电子有限公司
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种静电放电保护结构，包括一衬底，P阱、N阱，N阱内包括第一N型注入区、第一P型注入区、第二N型注入区的一部分，且三者之间用氧化硅隔离；P阱内从N阱端开始依次包括所述第二N型注入区的另一部分、第三N型注入区、第二P型注入区、第四N型注入区、第三P型注入区，其中第三N型注入区、第二P型注入区、第四N型注入区、第三P型注入区之间用氧化硅隔离，第二N型注入区的另一部分和第三N型注入区之间的表面设有多晶硅栅极，第一P型注入区、第一N型注入区、第四N型注入区连接被保护管脚，多晶硅栅极、第三N型注入区、第二P型注入区、第三P型注入区接地端。
一种静电放电保护结构

[发明专利]瞬态电压抑制器及其制造方法-CN201811256316.1有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：南京溧水高新创业投资管理有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，包括：第一导电类型的衬底；阱区，包括第一导电类型的第一阱区与第二导电类型的第二阱区，所述第一阱区与所述第二阱区相邻；注入区，包括第二导电类型的第一注入区、第二导电类型的第二注入区及第一导电类型的第三注入区，所述第一注入区包括第一子注入区与第二子注入区，所述第二注入区包括第三子注入区与第四子注入区，所述第三注入区包括第五子注入区与第六子注入区；介质层，覆盖所述阱区及所述注入区的上表面；金属层，包括第一子金属层与第二子金属层
瞬态电压抑制器及其制造方法

[发明专利]LDMOS-SCR器件-CN201810480779.X在审
发明人：陈卓俊;曾云;彭伟;金湘亮;张云;吴志强 -专利权人：湖南大学
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOS‑SCR器件，包括P型硅衬底，P型硅衬底上设有深N阱，深N阱内从左到右依次设有P阱和N阱，P阱内设有第一P+注入区和N+注入区组件，N+注入区组件包括从左到右依次设置的第一N+注入区和第二N+注入区，N阱内设有第二P+注入区和第三N+注入区；第一N+注入区和第二N+注入区之间设有N型沟道，N型沟道区上方设有第一薄栅氧化层，薄栅氧化层上覆盖有第一多晶硅栅，第一多晶硅栅连接栅极，N+注入区组件中其中一个N+注入区连接阴极，第三N+注入区连接阳极，第一P+注入区与N+注入区组件之间构成第一二极管，第二P+注入区和N+注入区之间构成第二二极管，第一N+注入区和第二N+注入区之间设有NMOS结构。
注入区薄栅氧化层二极管多晶硅栅深N阱衬底阴极触发电压依次设置组件包括阳极覆盖

[实用新型]一种单向瞬态电压抑制保护器件及电子产品-CN202123271155.3有效
发明人：张富生;许成宗;韩业星 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种单向瞬态电压抑制保护器件及电子设备，所述保护器件包括衬底，第一阱，第二阱，第一注入区，第二注入区，第三注入区和第四注入区；第一注入区，第二注入区，第三注入区和第四注入区依次从左到右相互间隔设置在衬底上，第一阱，第二阱和第三注入区的掺杂类型相同，衬底，第一注入区、第二注入区和第四注入区的掺杂类型相同，第一注入区设置在与其掺杂类型不同的第一阱中，第二注入区设置在与其掺杂类型不同的第二阱中，本申请提供的保护器件具有低电容低触发电压的优点
一种单向瞬态电压抑制保护器件电子产品

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置-CN201710566154.0有效
发明人：刘剑 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，包括：器件衬底，包括元胞区以及环绕所述元胞区的终端保护环区；第一注入区，设置在所述器件衬底的背面并与所述终端保护环区相对；第二注入区，设置在所述背面并与所述元胞区相对，所述第一注入区环绕所述第二注入区；第三注入区，设置在所述第一注入区中并靠近所述第二注入区，其中，所述第二注入区、所述第三注入区的掺杂浓度均大于所述第一注入区的掺杂浓度。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202310840227.6在审
发明人：沈安星;张有志;党文 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，通过以预设倾斜角度对存储器件区的第一漏端注入区以及对高压器件区的第二源端注入区和第二漏端注入区进行轻掺杂离子注入，可以使注入第一漏端注入区的部分离子被图形化的光刻胶层遮挡而使得第一漏端注入区上形成阴影区域，并利用阴影区域使注入第一漏端注入区的离子的剂量小于注入第二源端注入区或第二漏端注入区的离子的剂量。如此，可以利用同一图形化的光刻胶层为掩膜，同时对高压器件区和存储器件区进行轻掺杂离子注入，使注入第一漏端注入区的离子的剂量小于注入第二源端注入区或第二漏端注入区的离子的剂量，可以节省掩膜，简化工艺流程，并保证存储器件区的有效沟道长度。
半导体器件制造方法

[实用新型]ESD保护器件-CN202221140124.6有效
发明人：程仁豪 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种ESD保护器件，包括形成于衬底中的阵列排布的多个有源区，相邻的所述有源区之间接触连接，所述有源区包括第三注入区、围绕所述第三注入区且与所述第三注入区间隔设置的至少一个第二注入区及围绕最内侧的第二注入区的至少一个第一注入区，所述第二注入区与所述第一注入区从内到外交替间隔排布且最外侧为第一注入区；所述第一注入区和所述第三注入区为第一导电类型离子注入区，所述第二注入区为第二导电类型离子注入区。
esd 保护器件

[发明专利]一种用于集成电路的可控硅静电防护器件-CN202210313795.6在审
发明人：董树荣;俞方俊;朱信宇;邓非凡;陈奕鹏 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于集成电路的可控硅静电防护器件，包括衬底以及设于衬底上的器件区，器件区包括相邻设置的N阱和P阱，N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区和第二P+注入区，P阱内设有第二N+注入区、第三N+注入区和第三P+注入区，器件区外还设有第一多晶硅和第二多晶硅，第一多晶硅与第一P+注入区、N阱、第二P+注入区构成PMOS管；第二多晶硅与第二N+注入区、P阱、第三N+注入区构成NMOS管；第一P+注入区、第一多晶硅、第二N+注入区通过金属导线相连并接入电学阳极；第二P+注入区、第二多晶硅、第三N+注入区通过金属导线相连并接入电学阴极；第一N+注入区与第三P+注入区通过金属导线相连。
一种用于集成电路可控硅静电防护器件

[发明专利]非对称双向可控硅静电防护器件及其制作方法-CN201911129665.1在审
发明人：李炜峰;王欣;王谞芃;汪洋;杨红姣 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种非对称双向可控硅静电防护器件及其制作方法，P型衬底中有N型埋层、第一P阱和第四P阱；N型埋层的上为第一N型深阱、第二N型深阱、第三N型深阱、第二P阱和第三P阱；第二N型深阱上为第一N阱，第三N型深阱上为第二N阱；第一P阱内有第一P+注入区；第二P阱内有第二P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、第三P+注入区和第四P+注入区；第一N阱内有第三N+注入区；第三P阱内有第五P+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区、第六P+注入区和第七P+注入区；第二N阱内有第六N+注入区；第四P阱内有第八P+注入区；第一P+注入区、第二P+注入区、第一N+注入区和第八P+注入区作为阴极；第五P+注入区与第四N+注入区作为阳极。
对称双向可控硅静电防护器件及其制作方法

[发明专利]锗硅异质结双极晶体管-CN201010511184.X有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，其集电区由形成于有源区中的离子注入区一加上形成于有源区两侧的场氧区底部的离子注入区二和离子注入区三组成。所述离子注入区三和场氧区底部表面相隔一纵向距离、其宽度和场氧区的宽度相同。离子注入区二位于离子注入区三的顶部、且离子注入区二的底部和离子注入区三交叠并连接。离子注入区一的深度大于场氧区的底部深度、离子注入区一的底部和离子注入区二相连接。离子注入区三的掺杂浓度大于离子注入区一和离子注入区二的掺杂浓度。通过赝埋层顶部场氧区中的深孔接触引出集电区。
锗硅异质结双极晶体管

[发明专利]高维持低阻均匀导通双向可控硅静电防护器件及制作方法-CN202211324316.7在审
发明人：董鹏;余博;汪洋;李幸;骆生辉 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种高维持低阻均匀导通双向可控硅静电防护器件及制作方法，第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区与第三N+注入区通过导线直接相连作为器件的阳极，第二P+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区与第六N+注入区通过导线直接相连并作为器件的阴极；第一浮空P+注入区设置于第一P阱内的第三N+注入区右侧，第四浮空P+注入区设置于第二P阱内的第四N+注入区左侧；所述第一P阱和第二P阱之间设有N型阱，N型阱中间位置设有浮空N+注入区，第二浮空P+注入区和第三浮空P+注入区分别设置横跨在第一P阱、N型阱和第二P阱中间位置，第二浮空P+注入区和浮空N+注入区之间设有第一栅极，第三浮空P+注入区和浮空N+注入区之间设有第二栅极。
维持均匀双向可控硅静电防护器件制作方法

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