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[发明专利]半导体基板及其制法-CN201310751011.9有效
发明人：张维哲 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种半导体基板及其制法，该制法包括：于一基板本体上形成第一介电层；形成多个贯穿该第一介电层且外露该基板本体的第一介电层盲孔；于该第一介电层上与外露的该基板本体上形成第二介电层，且该第二介电层还延伸至该第一介电层盲孔的孔壁上；蚀刻该第二介电层，以于该第二介电层中形成多个连通该第一介电层盲孔的介电层凹槽，并于各该第一介电层盲孔中的第二介电层中形成外露该基板本体的第二介电层盲孔，且该第一介电层盲孔的孔壁上保留有该第二介电层；以及于各该第二介电层盲孔中形成电性连接该基板本体的导电盲孔，并于该介电层凹槽中形成电性连接该导电盲孔的线路层。
介电层盲孔基板本体外露制法半导体基板导电盲孔电性连接孔壁蚀刻线路层连通保留贯穿延伸

[发明专利]磁介电基板、电路材料和具有其的组件-CN201580052765.2在审
发明人：克里斯季·潘采;卡尔·什普伦托尔;穆拉利·塞瑟马达范 -专利权人：罗杰斯公司
申请日： 2015-10-01 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：磁介电基板包括第一介电层；与第一介电层间隔开的第二介电层；以及布置在第一介电层和第二介电层之间并与第一介电层和第二介电层密切接触的至少一个磁性增强层。
磁介电基板电路材料具有组件

[发明专利]内连接结构-CN202210314558.1在审
发明人：郑凯方;张孝慷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种内连接结构，包括一第一介电层、一第一导电特征部件、一第二介电层、一导电层、一衬层、一第三介电层、一第二导电特征部件以及一第一上盖层。第一导电特征部件设置于第一介电层内。第二介电层形成于第一介电层上，且第二介电层与第一介电层直接接触。导电层设置于第二介电层内。衬层设置于导电层与第二介电层之间。第三介电层形成于第二介电层上第二导电特征部件设置于第三介电层内。第一上盖层设置于第二导电特征部件与第三介电层之间。
连接结构

[发明专利]介电谐振器天线、天线模块以及电子装置-CN202210201598.5在审
发明人：李杬澈;金元基;柳正基;李炯眞;林大气;朴柱亨;安成庸 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：本公开提供一种介电谐振器天线、天线模块以及电子装置。所述介电谐振器天线包括：第一介电材料块；第二介电材料块，在第一方向上堆叠在所述第一介电材料块上；结合层，设置在所述第一介电材料块和所述第二介电材料块之间，并且结合到所述第一介电材料块和所述第二介电材料块；馈电件，设置在所述第一介电材料块上；馈电图案，设置在所述第一介电材料块和所述第二介电材料块之间并且连接到所述馈电件；以及天线贴片，设置在所述第一介电材料块和所述第二介电材料块之间并且与所述馈电图案间隔开
谐振器天线模块以及电子装置

[发明专利]包括介电层的半导体装置及其形成方法-CN202310107180.2在审
发明人：金恩善;朴报恩;安哲现;金亨俊;朴影根;庞桢一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：在第一电极上形成包括第一介电层和第二介电层的介电层。在介电层上形成第二电极。形成介电层的步骤包括：在第一电极上形成具有单晶钙钛矿结构的第一介电层；以及在第一介电层上形成第二介电层。第一介电层的与第二介电层相邻的上表面具有比第二介电层的上表面大的表面粗糙度。第一介电层的上表面与第二介电层相邻设置，并且第二介电层的上表面与第二电极相邻设置。
包括介电层半导体装置及其形成方法

[发明专利]电路板及其制作方法-CN200710102399.4有效
发明人：张志敏;刘道元 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2007-04-30 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种电路板，其包括混合介电结构、两个软性介电层与第一线路层。混合介电结构包括至少两个硬性介电部与至少一个软性介电部，其配置于这些硬性介电部之间。这些软性介电层分别配置于混合介电结构的相对两侧上。各个软性介电层与这些硬性介电部以及软性介电部相接触，且软性介电部的材质不同于这些软性介电层的材质。第一线路层配置于这些软性介电层之一上。
电路板及其制作方法

[发明专利]形成半导体器件的方法及半导体器件-CN201911206411.5有效
发明人：陈宪伟;陈明发 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：第一介电层位于衬底上方。第一互连件位于第一介电层中。第二介电层位于第一介电层和第一互连件上方。导电通孔延伸穿过第一介电层、第二介电层和衬底。导电通孔的最上表面与第二介电层的最上表面齐平。第三介电层位于第二介电层和导电通孔的上方。第四介电层位于第三介电层的上方。第二互连件位于第四介电层中。第二互连件延伸穿过第三介电层和第二介电层并且与第一互连件物理接触。
形成半导体器件方法

[发明专利]半导体装置-CN202011187508.9在审
发明人：林志昌;苏焕杰;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体装置包括半导体鳍状物、多个半导体纳米结构、栅极结构、介电鳍状物、介电结构及介电层。半导体鳍状物自半导体基板垂直凸起。多个半导体纳米结构直接位于半导体鳍状物上。介电鳍状物位于基板上。介电结构位于介电鳍状物上。介电结构的上表面高于栅极的上表面。介电层位于基板上。介电鳍状物横向分开栅极与介电层，并横向分开半导体纳米结构与介电层。介电层的上表面高于栅极结构的上表面与介电结构的上表面。介电层的下表面低于介电鳍状物的上表面。
半导体装置

[发明专利]具有至少3层高－K介电层的模拟电容器和制造它的方法-CN200410082530.1有效
发明人：郑镛国;元皙俊;权大振;金元洪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-09-20 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01G4/00 文献下载
摘要：提供一种具有至少3层高－k介电层的模拟电容器和制造它的方法。该模拟电容器包含下电极、上电极、置于下电极与上电极之间的至少3层高－k介电层。该至少3层高－k介电层包含接触下电极的底介电层、接触上电极的顶介电层和置于底介电层与顶介电层之间的中介电层。而且，各底介电层和顶介电层是，与中介电层相比，VCC的二次系数的绝对值相对低的高－k介电层，中介电层是，与底介电层和顶介电层相比，漏电流相对低的高－k介电层。因此，由于使用至少3层高－k介电层，可以使模拟电容器的VCC特性和漏电流特性最佳。
具有至少层高介电层模拟电容器制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110652211.3在审
发明人：魏宇晨;巫丰印;谢子逸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在牺牲栅极结构上方形成第一介电层。在第一介电层上方形成第二介电层。平坦化第二介电层和第一介电层并且使第二介电层和第一介电层凹进，并且牺牲栅极结构的上部暴露，而牺牲栅极结构的下部嵌入在第一介电层中。在暴露的牺牲栅极结构上方和第一介电层上方形成第三介电层。在第三介电层上方形成第四介电层。平坦化第四介电层和第三介电层，并且牺牲栅电极暴露，并且第三介电层的一部分保留在凹进的第一介电层上。
制造半导体器件方法

[发明专利]线路基板制程、线路基板及半导体制程-CN201010532066.7有效
发明人：陈国祚 -专利权人：光明电子股份有限公司
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：首先，提供具有接垫的基材及介电迭层。介电迭层配置于基材上而覆盖接垫。介电迭层包括第一介电层、第二介电层及位于第一与第二介电层之间的第三介电层。第三介电层的蚀刻速率大于第一介电层及第二介电层的蚀刻速率。接着，形成对位于接垫的开口于介电迭层。湿蚀刻介电迭层，以移除第三介电层围绕开口的部分，而形成空隙于第一介电层围绕开口的部分与第二介电层围绕开口的部分之间。进行镀膜制程以分别形成被空隙隔离的第一镀层及第二镀层于介电迭层及接垫。
线路基板制程半导体

[发明专利]一种高损耗材料微波介电性能的高精度测试方法-CN202010006812.2有效
发明人：向锋;熊刚;李建壮;张波;郭永钊;董亦鹏 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用电场对称结构测量高损耗材料微波介电性能的方法，在传统谐振法的基础上，采用具有电场对称结构的微扰法，主要由以下结构组成：TE011模式金属谐振腔体将圆形长棒状待测试样放入圆环形TE011模式介质谐振器中，可让被测样品更好地处于金属谐振腔体轴心位置，减小位置偏移带来的误差，保证了电场结构为对称结构，改善了两种不同电性能材料界面处的电场分布均匀性，可有效提高介电性能的测试精度。
一种损耗材料微波性能高精度测试方法

[实用新型]集成芯片-CN202320998641.5有效
发明人：刘建宏;黄国钦;庄学理;吴伟成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本实用新型与集成芯片相关，集成芯片包括覆盖衬底的第一介电层和在第一介电层内的第一导电互连线。接合层在第一介电层上方。接合层包括接合介电层和在接合介电层中的接合互连线。第一带电介电层在沿第一介电层的底部。第二带电的介电层在沿第一介电层的顶部。第一带电介电层和第二带电介电层具有相同的极性。
集成芯片

[发明专利]半导体结构-CN202210678089.1在审
发明人：姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德;彭羽筠;陈科夆;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体结构可包括基板；第一接点结构与第二接点结构，彼此相邻并位于基板上；以及第一介电层与第二介电层，分别形成于第一接点结构与第二接点结构上。第一介电层的顶部可包括第一介电材料。第一介电层的底部可包括第二介电材料，且第二介电材料与第一介电材料不同。第二介电层可包括第三介电材料，且第三介电材料与第一介电材料不同。
半导体结构

[发明专利]一种基于频谱分析法的高压油纸频域介电测试仪及测试方法-CN201811115459.0在审
发明人：蔡礼;杨萍豪;方旎;马庆;胡裕峰;张义平;曹宏裕;姜敏;欧阳武;高洁 -专利权人：国网江西省电力有限公司南昌供电分公司;国家电网有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于频谱分析法的高压油纸频域介电测试方法，步骤为：S1)数据采集：通过对被测电气设备施加频率变化的交变电压，记录复电容的实部与虚部，并将介质损耗正切记录于工程机上；S2)数据处理：频率以及介质损耗正切与电位移量进行处理，得到介质损耗正切曲线与复电容实部、虚部曲线，S3)比较判断：以被测设备初始状态的介电损耗正切曲线与复电容实部、虚部曲线作为标准曲线；设备检修时重复步骤S1和S2,所得的介电损耗正切曲线、复电容实部与虚部曲线为测试曲线
电容实部虚部介质损耗正切标准曲线介电损耗正切频谱分析法被测设备测试曲线高压油纸绝缘状态频域比较判断电气设备交变电压介电测试频率变化设备检修事故发生数据采集数据处理测试仪电位移记录介电检修施加测试受损重复