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[实用新型]一种高负荷轴承结构-CN201721132918.7有效
发明人：童明儿 -专利权人：钱潮轴承有限公司;万向集团公司
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： F16C19/50 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高负荷轴承结构，主要包括外圈沟道、内圈沟道和钢球，内圈沟道位于外圈沟道的内侧，内圈沟道与外圈沟道相对应，靠近外圈沟道处设有外圈挡边，靠近内圈沟道处设有内圈挡边，若干个钢球位于内圈沟道和外圈沟道之间
一种负荷轴承结构

[发明专利]3D NAND存储器及其形成方法-CN201910574344.6有效
发明人：王香凝;耿静静;王攀;张慧;刘新鑫;吴佳佳;肖梦 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：一种3D NAND存储器及其形成方法，所述形成方法通过使伪沟道通孔调节区中伪沟道通孔的密度大于伪沟道通孔调节区外的台阶区中的伪沟道通孔密度，相应的伪沟道通孔调节区中伪沟道通孔中伪沟道结构的密度大于伪沟道通孔调节区外的台阶区中的伪沟道通孔中伪沟道结构的密度，使伪沟道通孔调节区中伪沟道通孔中伪沟道结构的密度与所述沟道通孔调节区中沟道通孔中存储结构的密度之间的差异减小，从而使台阶区和核心区的交界处两侧或附近的堆叠结构中薄膜的应力的差异会减小，因而在刻蚀台阶区和核心区的交界处的堆叠结构形成栅极隔槽时，使得交界处的栅极隔槽的侧壁不会产生倾斜或者倾斜度大幅减小，从而防止栅极隔槽与沟道通孔短路。
nand 存储器及其形成方法

[发明专利]3D NAND存储器及其形成方法-CN201910574374.7有效
发明人：王香凝;耿静静;王攀;张慧;刘新鑫;吴佳佳;肖梦 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L27/11575 文献下载
摘要：一种3D NAND存储器及其形成方法，所述形成方法通过使所述沟道通孔调节区中形成的沟道通孔的密度小于沟道通孔调节区外的核心区中形成的沟道通孔密度，从而使得所述伪沟道通孔调节区中形成伪沟道通孔的密度与所述沟道通孔调节区中形成沟道通孔的密度之间的差异减小，相应所述沟道通孔调节区中沟道通孔中存储结构的密度小于沟道通孔调节区外的核心区中的沟道通孔中存储结构的密度，从而使得台阶区和核心区的交界处两侧或附近的堆叠结构中薄膜的应力的差异会减小，因而在刻蚀台阶区和核心区的交界处的堆叠结构形成栅极隔槽时，使得刻蚀台阶区和核心区的交界处的栅极隔槽的侧壁不会产生倾斜或者倾斜度大幅减小，从而防止栅极隔槽与沟道通孔短路。
nand 存储器及其形成方法

[发明专利]3D NAND存储器及其形成方法-CN202110538662.4有效
发明人：王香凝;耿静静;王攀;张慧;刘新鑫;吴佳佳;肖梦 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/11575 文献下载
摘要：一种3D NAND存储器及其形成方法，所述形成方法通过使所述沟道通孔调节区中形成的沟道通孔的密度小于沟道通孔调节区外的核心区中形成的沟道通孔密度，从而使得所述伪沟道通孔调节区中形成伪沟道通孔的密度与所述沟道通孔调节区中形成沟道通孔的密度之间的差异减小，相应所述沟道通孔调节区中沟道通孔中存储结构的密度小于沟道通孔调节区外的核心区中的沟道通孔中存储结构的密度，从而使得台阶区和核心区的交界处两侧或附近的堆叠结构中薄膜的应力的差异会减小，因而在刻蚀台阶区和核心区的交界处的堆叠结构形成栅极隔槽时，使得刻蚀台阶区和核心区的交界处的栅极隔槽的侧壁不会产生倾斜或者倾斜度大幅减小，从而防止栅极隔槽与沟道通孔短路。
nand 存储器及其形成方法

[发明专利]一种少模光纤-CN202111231720.5在审
发明人：葛大伟;张德朝;李晗 -专利权人：中国移动通信有限公司研究院;中国移动通信集团有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G02B6/028 文献下载
摘要：所述少模光纤包括纤芯层、包覆所述纤芯层的沟道层和包覆所述沟道层的包层；其中，所述沟道层的折射率与所述纤芯层的折射率形成连续梯度渐变型分布，所述连续梯度渐变型分布的起点为所述纤芯层的中心位置处的中心折射率，所述连续梯度渐变型分布的终点为所述沟道层的沟道半径处的折射率；所述包层的折射率位于所述中心折射率与所述沟道层的沟道半径处的折射率之间。
一种光纤

[发明专利]失配和噪声不敏感的自旋扭矩转移磁随机存取存储器-CN201680011881.4有效
发明人： J.K.德布罗斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G11C7/00 文献下载
摘要：比较器具有在节点A处的第一输入以及在节点B处的第二输入。在所述节点A处，第一n沟道晶体管连接到第一p沟道晶体管。在所述节点B处，第二n沟道晶体管连接到第二p沟道晶体管。多路复用器配置用来选择性地将第一参考单元或所述数据单元连接到所述第一n沟道晶体管，并且多路复用器配置用来选择性地将所述数据单元或第二参考单元连接到所述第二n沟道晶体管。所述比较器基于所述节点A处的节点A电压和所述节点B处的节点B电压输入输出所述数据单元的所述数据状态。
失配噪声敏感自旋扭矩转移随机存取存储器

[发明专利]一种层叠可调发光区域的大面积光源结构-CN202111059657.1在审
发明人：陈恩果;谢建龙;肖世杰;叶芸;徐胜;郭太良 -专利权人：福州大学
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本发明提出一种层叠可调发光区域的大面积光源结构，包括多个顺序地置于背板顶面的沟道处形成光源阵列的发光单元；沟道的一端为减光侧，另一端为增光侧；发光单元为可在沟道处滑移的板状物；光源阵列的光输出端包括各发光单元顶部处的发光面；发光单元一侧为置于沟道处滑移的滑行端；在沟道的增光侧方向上，发光单元的底面滑置于下一发光单元顶面处形成遮光面；各发光单元滑行端均朝向沟道的减光侧；当光源阵列各发光单元向沟道减光侧滑移时，各发光单元之间的遮光面增大以减少发光量，各发光单元向沟道增光侧滑移时，各发光单元之间的遮光面减小以增大发光量；本发明能解决现有平板显示技术下，侧入式背光不能进行区域动态调光和角度可调的问题。
一种层叠可调发光区域大面积光源结构

[实用新型]一种双锁口满球角接触球轴承-CN201720729688.6有效
发明人：段素爽;赵盛 -专利权人：国机智能技术研究院有限公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： F16C33/58 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种双锁口满球角接触球轴承，一种双锁口满球角接触球轴承，包括外圈、钢球和内圈，外圈的内壁具有外圈沟道、外圈锁口和外圈斜挡边，内圈的外壁具有内圈沟道和内圈锁口，钢球布满外圈沟道和内圈沟道合套后形成的滚道内，钢球分别与外圈沟道和内圈沟道点接触滚动连接；外圈锁口的两端分别连接外圈沟道的一端和外圈斜挡边，外圈斜挡边为其边缘处直径大于其与外圈锁口连接处直径的斜直边，外圈锁口为凹陷的弧面；内圈锁口与外圈沟道的另一端上或下对应的内圈沟道的一端连接，内圈锁口为其边缘处直径小于其与内圈沟道连接处直径的斜直边。
一种双锁口满球角接触球轴承

[实用新型]控制沟道与地下建筑物连接处相对沉降的结构-CN201220620447.5有效
发明人：王健;张雪茜;王晓东;王宝树 -专利权人：中国核电工程有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： E02D29/16 文献下载
摘要：本实用新型属于建筑结构设计技术，具体涉及一种控制沟道与地下建筑物连接处相对沉降的结构，其包括建筑物外墙、沟道底板和/或顶板，在建筑物外墙上与沟道底板和/或顶板相连处顶板外侧和/或底板外侧设有外凸的挑耳。本实用新型通过在建筑物与沟道连接处的外墙（5）上设置向外突起的挑耳（6），限制沟道底板（8）和/或顶板（7）的竖直位移，可有效控制因沉降不均匀而引起的连接处变形甚至错位。本实用新型所提供的结构可广泛用于深埋建筑物与沟道连接处以控制因沟道与建筑物沉降不均匀引起的错位，从而确保设计功能的实现。
控制沟道地下建筑物连接相对沉降结构

[实用新型]一种水力侵蚀运移过程物理模拟装置-CN201920112783.0有效
发明人：张平仓;黄金权;胡波;王一峰;董林垚;崔豪;童晓霞;李昊;任亮;李建明;喻志强 -专利权人：长江水利委员会长江科学院
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： G01N33/24 文献下载
摘要：本实用新型提供一种水力侵蚀运移过程物理模拟装置，包括底座、设于底座上的沟道系统、设于沟道系统中的定向动力驱动装置、以及设于沟道系统上部的过程降雨模拟装置，所述沟道系统由多条沟道组成闭合循环回路，相邻沟道形成弧形沟道连接处，外侧弧形沟道处设置定向动力驱动装置，所述过程降雨模拟装置按规程固定安装在任一沟道上，用于人工模拟降雨。
沟道系统水力侵蚀动力驱动装置降雨模拟装置物理模拟装置本实用新型弧形沟道沟道底座闭合循环回路人工模拟降雨不确定性过程参数机理研究相邻沟道自然条件观测规程

[发明专利]一种内圈沟道分离式满球轴承-CN202110848869.1有效
发明人：王春建 -专利权人：江苏万达特种轴承股份有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： F16C19/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种内圈沟道分离式满球轴承，它包括外圈、内圈、钢球、半沟道挡圈，外圈内侧中间设计有外沟道，外沟道是截面呈圆弧状的环形外沟道，所述内圈是半沟道台阶内圈，内圈外侧设计成环形的半沟道，内圈外侧还设计有环形台阶，半沟道挡圈的外侧设计成环形的半沟道，半沟道挡圈的内侧是内孔，半沟道挡圈的内孔卡在内圈的环形台阶上，半沟道挡圈上的半沟道与内圈上的半沟道对接形成一个截面呈圆弧状的环形内沟道，钢球安装再外沟道与内沟道之间优点是结构简单、组装方便，且无需内外套圈开填球口或破裂套圈从而破坏内外沟道面，因此避免了钢球于填球口处的卡球或裂纹处的跳动异响问题的发生，而且相对于双半内圈满装球轴承更加不易散架。
一种内圈沟道分离球轴承

[发明专利]竖直晶体管-CN202111029910.9在审
发明人：李宜芳;刘鸿威;陆宁;A·A·卡恩德卡尔;J·B·赫尔;S·博尔萨里 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种竖直晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、竖直位于所述顶部与底部源极/漏极区之间的沟道区及可操作地横向邻近所述沟道区的栅极。所述顶部源极/漏极区与所述沟道区具有顶部界面，且所述底部源极/漏极区与所述沟道区具有底部界面。所述沟道区是结晶的，且其晶粒具有小于20纳米的平均晶粒度。所述顶部界面处或所述底部界面处的所述沟道区具有比竖直位于所述顶部及底部界面处的所述晶粒之间的所述沟道区中的所述晶粒的体积大的水平织构。公开其它实施例及方面。
竖直晶体管

[发明专利]3D NAND存储器的形成方法-CN201910114036.5有效
发明人：霍宗亮;薛家倩 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：一种3D NAND存储器的形成方法，包括：半导体衬底，半导体衬底上形成有包括若干交替层叠的牺牲层和隔离层的堆叠结构，堆叠结构中具有连通第一沟道孔和第二沟道孔，且第二沟道孔相对于第一沟道孔存在对准偏移，在第一沟道孔和第二沟道孔的交界处形成台阶，第一沟道孔中填充满牺牲材料层；在第二沟道孔的侧壁形成侧墙；去除部分所述牺牲材料层；刻蚀第一沟道孔使得第一沟道孔的宽度变宽，使得台阶的宽度变小；在第一沟道孔和第二沟道孔侧壁和底部上形成电荷存储层；在电荷存储层上形成沟道孔牺牲层；依次刻蚀第一沟道孔底部上的沟道孔牺牲层和电荷存储层，形成开口。本发明的方法防止台阶处的电荷存储层被刻断或损伤，从而防止存储器失效。
nand 存储器形成方法

[发明专利]3D NAND存储器的形成方法-CN201910114038.4有效
发明人：霍宗亮;薛家倩 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种3D NAND存储器的形成方法，包括：半导体衬底，半导体衬底上形成有所述堆叠结构包括若干交替层叠的牺牲层和隔离层，堆叠结构中具有连通第一沟道孔和第二沟道孔，且所述第二沟道孔相对于第一沟道孔存在对准偏移，在所述第一沟道孔和第二沟道孔的交界处形成台阶，所述的第一沟道孔中填充满牺牲材料层；在所述第二沟道孔的侧壁形成侧墙；刻蚀所述第一沟道孔使得第一沟道孔的宽度变宽，使得台阶的宽度变小；在第一沟道孔和第二沟道孔侧壁和底部上形成电荷存储层；在电荷存储层上形成沟道孔牺牲层；依次刻蚀第一沟道孔底部上的沟道孔牺牲层和电荷存储层，形成开口。本发明的方法防止台阶处的电荷存储层被刻断或损伤，从而防止存储器失效。
nand 存储器形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010214197.4在审
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底和位于衬底上的多个沟道结构，衬底包括相邻接的器件区和隔离区，位于隔离区的沟道结构为伪沟道结构，位于器件区的沟道结构为器件沟道结构；形成横跨沟道结构的初始栅极结构；刻蚀隔离区和器件区交界处的沟道结构，以及与交界处的沟道结构相交的初始栅极结构，形成断开沟道结构和初始栅极结构的开口。本发明实施例中栅极结构的形成步骤通常包括：在基底上形成栅极材料层，刻蚀栅极结构材料层，形成初始栅极结构，隔离区和器件区的沟道结构的图形密度较为均一，使得沟道结构出现弯曲或倾斜问题的概率较低，有利于改善器件的性能以及性能均一性
半导体结构及其形成方法

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