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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种铝金属线的制作方法-CN201210186603.6有效
发明人：赵强 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种铝金属线制作方法，包括粘合层沉积工艺、铝金属层沉积工艺、抗反射膜沉积工艺、铝金属线刻蚀工艺以及电介质层沉积工艺，所述粘合层沉积工艺包括以离子化金属工艺在衬底上沉积钛层，并在沉积过程中，对沉积表面施加一方向控制电场，使钛层晶粒的沉积方向一致，所述电介质层沉积工艺采用分阶段的等离子体增强工艺。通过提高钛层的沉积密度和方向，以及减少电介质层的沉积应力，达到提高铝金属线的成型品质。
一种金属线制作方法

[发明专利]沉积铝层的方法-CN201210035053.8有效
发明人： R·辛德曼;S·伯吉斯 -专利权人： SPTS技术有限公司
申请日： 2012-02-16 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种沉积铝层的方法。特别地，本发明涉及在薄基材上沉积铝层或铝膜。本发明包括将基材放置在支撑体上；将第一铝层沉积到基材上，该基材处于未固定条件；将基材固定到支撑体上，并且沉积与第一层连续的第二铝层，其中第二层比第一层厚，并且在小于22℃的基材温度下沉积第二层。
沉积方法

[发明专利]氧化物层中深孔铝的填充方法-CN202011262136.1在审
发明人：韩为鹏;邓斌 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物层中深孔铝的填充方法，包括：在氧化层的上表面、深孔的孔壁及深孔的底部沉积金属钛和氮化钛，形成粘附层；在粘附层上沉积金属钨，形成阻挡层；在阻挡层上沉积金属铝，形成铝薄膜；在铝薄膜上以预设温度沉积金属铝至完全填充深孔；在粘附层沉积金属钨作为阻挡层，可以在相对较薄的厚度下，提高对热铝扩散的阻碍作用，同时金属钨的电阻率较氮化钛低，对铝的电学性能影响较小。
氧化物层中深孔铝填充方法

[发明专利]一种铝衬垫成膜工艺方法-CN201210191240.5在审
发明人：赵波;纪登峰 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出一种铝衬垫成膜工艺方法，包括：在硅片上沉积第一金属层；在第一金属层上沉积铝金属层；对铝金属层进行顶部化学机械平坦化；在所述铝金属层上再沉积第二金属层，完成铝衬垫成膜。采用该方法能有效减少铝金属表面的根须状凸起缺陷。
一种衬垫工艺方法

[发明专利]一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的新工艺-CN201310578991.7有效
发明人：封铁柱 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的新工艺。包括以下步骤：在二氧化硅衬底上，采用物理气相沉积方法低温沉积粘附层钛薄膜，粘附层钛薄膜覆盖在二氧化硅上表面；沉积阻挡层氮化钛薄膜，阻挡层氮化钛薄膜覆盖在粘附层钛薄膜上表面；高温沉积铝薄膜，铝薄膜覆盖在阻挡层氮化钛薄膜上表面；铝薄膜上表面沉积一层氧化铝薄膜之后再在氧化铝薄膜上表面沉积一层防反射层氮化钛薄膜，或者在铝薄膜上表面直接沉积一层防反射层氮化钛薄膜然后通入氮气直至防反射层氮化钛薄膜中的氮含量达到饱和。本发明的有益效果是：采用简单的工艺流程克服了铝薄膜在生产工艺过程中铝晶粒无序增大使铝薄膜产生小丘状的缺陷。
一种减少薄膜产生小丘缺陷新工艺

[发明专利]一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的工艺-CN201610440482.1有效
发明人：封铁柱 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的工艺。包括以下步骤：在二氧化硅衬底上，采用物理气相沉积方法低温沉积粘附层钛薄膜，粘附层钛薄膜覆盖在二氧化硅上表面；沉积阻挡层氮化钛薄膜，阻挡层氮化钛薄膜覆盖在粘附层钛薄膜上表面；高温沉积铝薄膜，铝薄膜覆盖在阻挡层氮化钛薄膜上表面；铝薄膜上表面沉积一层氧化铝薄膜之后再在氧化铝薄膜上表面沉积一层防反射层氮化钛薄膜，或者在铝薄膜上表面直接沉积一层防反射层氮化钛薄膜然后通入氮气直至防反射层氮化钛薄膜中的氮含量达到饱和。本发明的有益效果是：采用简单的工艺流程克服了铝薄膜在生产工艺过程中铝晶粒无序增大使铝薄膜产生小丘状的缺陷。
一种减少薄膜产生小丘缺陷工艺

[发明专利]一种镁合金表面铝复合防护层的制备方法-CN201710387110.1有效
发明人：石倩;侯惠君;林松盛;代明江;韦春贝;李洪;苏一凡;胡芳 -专利权人：广东省新材料研究所
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：一种镁合金表面铝复合防护层的制备方法，由镁合金表面清洗、表面沉积铝过渡层、铝过渡层上沉积铝面层和化学转化步骤组成，采用磁控溅射技术或热蒸发技术，在铝过渡层上沉积铝面层，再对铝面层喷丸处理，重复沉积铝面层和喷丸处理步骤本发明提供一种结合力好、涂层致密、较厚、耐腐蚀性好的镁合金表面铝复合防护层，以解决一般物理气相沉积的镁合金防护层厚度薄、致密性差、结合性不佳的主要技术瓶颈，满足镁合金表面耐腐蚀的应用需求。
一种镁合金表面复合防护制备方法

[发明专利]三步功率沉积铝的半导体填孔方法-CN200910110494.8有效
发明人：孟昭生;平延磊 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体的制造方法，一种半导体填孔方法，包括如下步骤：采用第一功率沉积第一层铝；采用低于所述第一功率的第二功率在所述第一层铝上沉积第二层铝；采用第三功率在所述第二层铝上沉积金属连线。实验表明，采用低于所述第一功率的第二功率在所述第一层铝上沉积第二层铝，克服了传统的工艺中铝填孔能力不足，显著地提高了半导体制造中，模塑料层沉积铝的能力，降低了成本。
功率沉积半导体方法

[实用新型]一种铝硫电池用石墨烯涂层负极-CN201420671637.9有效
发明人：赵宇光;骆建洲 -专利权人：南京中储新能源有限公司
申请日： 2014-11-12 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种铝硫电池用石墨烯涂层负极，包括：①集流体；②沉积在所述集流体两侧的电沉积铝层；③涂覆在所述电沉积铝层上的石墨烯层。该负极具有结构简单、易于制作、铝电化学沉积-溶出效率高、铝利用率高、循环性能好等优点。
一种电池石墨涂层负极

[发明专利]铝金属栅极的形成方法-CN201210264971.8有效
发明人：周鸣;平延磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝金属栅极的形成方法，在该方法中，使得位于沟槽开口处的浸润层排斥铝的化学气相沉积工艺，由此，当后续利用化学气相沉积工艺形成铝种子层时，所述铝种子层将不能在沟槽开口处积聚，从而再通过沉积铝体层填满所述沟槽时，能够方便、可靠地将所述沟槽填满，避免了包括铝种子层及铝体层的铝金属层中空洞的产生，从而能够得到高可靠性的铝金属栅极。
金属栅极形成方法

[发明专利]使用相同功函数材料的复合功函数层的形成-CN202110063658.7在审
发明人：李欣怡;洪正隆;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及使用相同功函数材料的复合功函数层的形成。方法包括在半导体区上形成栅极电介质层，和使用第一含铝前驱物沉积第一含铝功函数层。所述第一含铝功函数层在所述栅极电介质层上方。使用第二含铝前驱物沉积第二含铝功函数层，所述第二含铝前驱物不同于所述第一含铝前驱物。所述第二含铝功函数层沉积在所述第一含铝功函数层上方。在所述第二含铝功函数层上方形成传导区。
使用相同函数材料复合形成

[实用新型]超疏水镜片-CN201921243200.4有效
发明人：闪雷雷;朱小康 -专利权人：深圳陆鼎光电科技有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G02B1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超疏水镜片，其包括基片、两层二氧化硅/三氧化二铝涂层、两层AF涂层和一层超疏水膜涂层；一层二氧化硅/三氧化二铝涂层沉积于基片的正面上，一层AF涂层沉积于一层二氧化硅/三氧化二铝涂层上；另一层二氧化硅/三氧化二铝涂层沉积于基片的反面上，另一层AF涂层沉积于另一层二氧化硅/三氧化二铝涂层上，一层超疏水膜涂层沉积于一层AF涂层或另一层AF涂层上。本实用新型通过将二氧化硅/三氧化二铝涂层沉积于基片的正面和反面上，AF涂层沉积于二氧化硅/三氧化二铝涂层上，超疏水膜涂层沉积于AF涂层上，在保证了透光率的同时，超疏水镜片表面的疏水角超过115°，从而提升了用户体验
疏水镜片

[发明专利]铝金属栅极的制作方法-CN202110953380.0在审
发明人：黄清俊;邓允斌;何荣;顾颂;张幼弟;谈文毅 -专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种铝金属栅极的制作方法，其包含提供一基底，一层间介电层覆盖基底，一沟槽位于层间介电层中，进行一沉积工艺以形成一铝金属层填入沟槽并且覆盖层间介电层，其中沉积工艺包含：在一第一温度开始沉积铝金属层，在沉积工艺的过程中，第一温度逐渐升温至一第二温度，第一温度小于第二温度，最后进行一平坦化工艺，移除在沟槽之外的铝金属层，以形成铝金属栅极。
金属栅极制作方法

[发明专利]一种用于沉积厚铝铜薄膜层的方法-CN201210081755.X有效
发明人：赵波 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于沉积厚度大于等于10KA的厚铝铜薄膜层的方法，包含：步骤1、在第一反应腔中，在晶圆表面沉积形成一层铝铜薄膜；步骤2、将已沉积铝铜薄膜的晶圆传送至第二反应腔进行冷却；该第二反应腔内的温度低于第一反应腔内的温度；步骤3、将冷却后的晶圆传送至第一反应腔中，并循环执行步骤1的沉积过程和步骤2的冷却过程，依次在晶圆上沉积多层铝铜薄膜，并在每次完成一层铝铜薄膜的沉积步骤后，将晶圆传送至第二反应腔内进行冷却，直至所沉积的铝铜薄膜的厚度达到目标值；步骤4、在所述的铝铜薄膜层的顶部沉积氮化钛薄膜。本发明方法利用循环执行沉积步骤和冷却步骤，避免晶圆温度过高，且有效抑制铝铜薄膜层表面晶须的生成。
一种用于沉积厚铝铜薄膜方法

[发明专利]用于改善具有敏感层及反应层的膜堆叠物的方法与结构-CN201580057814.1在审
发明人：叶祉渊;鲍新宇;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;大卫·K·卡尔森;潘根用 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：所述膜堆叠物包括含磷层，所述含磷层被沉积在硅基板上方；含GaAs层，所述含GaAs层被沉积在所述含磷层上；及含铝层，所述含铝层被沉积在所述含GaAs层上。介于所述含磷层与所述含铝层之间的所述含GaAs层改善所述含铝层的表面平滑度。
用于改善具有敏感反应堆叠方法结构

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