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[发明专利]有源矩阵显示装置-CN200310124529.6无效
发明人：山崎舜平;福永健司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1997-02-09 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种有源矩阵显示装置，其特征在于，该装置包括在衬底上形成的有源矩阵电路和驱动器电路；所述驱动器电路至少包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括：含有第一源/漏区、一对轻掺杂区及它们之间的第一沟道形成区的第一半导体层，以及隔着第一栅绝缘层邻接于所述第一沟道形成区的第一栅电极；所述第二薄膜晶体管包括：含有第二源/漏区及它们之间的第二沟道形成区的第二半导体层，以及隔着第二栅绝缘层邻接于所述第二沟道形成区的第二栅电极；其中：所述第二沟道形成区与所述第二源/漏区直接接触，含n型杂质与p型杂质的一对区段分别邻接于所述第二源/漏区而形成，且所述一对区段中至少有一个与电极连接。
有源矩阵显示装置

[发明专利]轴套构造及其制造方法-CN01124246.9无效
发明人：李达义 -专利权人：旭丽股份有限公司
申请日： 2001-08-17 - 公布日： 2003-03-12 - 主分类号： F16C35/10 文献下载
摘要：本发明为一种轴套构造及其制造方法，适用于沿一导杆进行滑动的模块单元，该轴套构造包含一透孔；一第一轴承；以及一第二轴承，该方法步骤包含提供一滑块，该滑块包含有一第一区段、一开口区段以及一中央区段，该第一区段的外径大于该第二区段的外径，而该中央区段的外径的变化为接近该第一区段处的外径大于接近该第二区段处的外径；当形成该模块单元时将该滑块的第一区段、第二区段以及中央区段包覆其中；提供一驱动力将该滑块由该第二区段朝该第一区段的方向抽出，
轴套构造及其制造方法

[发明专利]只读存储器及其制作方法-CN03106859.6无效
发明人：徐清祥;翁伟哲;沈士杰;陈信铭;黄士展;何明洲 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2003-03-05 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：该第一PMOS选择晶体管包括电连接字线的选择栅极，电连接源极线的第一P⁺源极掺杂区，以及第一P⁺漏极掺杂区。该第二PMOS晶体管包括浮置栅、电连接第一P⁺漏极掺杂区的第二P⁺源极掺杂区，以及电连接位线的第二P⁺漏极掺杂区，且第二P⁺源极掺杂区和第二P⁺漏极掺杂区定义一浮置栅极P型沟道区。当该存储器单元需写入数据“1”时，P型杂质在定义浮置栅极之前被预先利用一额外的掩模注入该浮置栅极P型沟道区，使该PMOS浮置栅极晶体管成为耗尽模式操作。
只读存储器及其制作方法

[发明专利]一种基于硼碳氮纳米材料的场效应晶体管及其制备方法-CN200710099322.6无效
发明人：王恩哥;许智;白雪冬;王文龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2007-05-16 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该场效应晶体管由硅衬底(1)，其上的绝缘层(2)，以及源区(3)、漏区(5)和位于源区(3)和漏区(5)之间的一维硼碳氮纳米材料导电通道(4)组成；其中源区(3)和漏区(5)由与硼碳氮纳米材料有良好接触性能的金属膜构成，在制作源区(3)和漏区(5)之前，一维硼碳氮纳米材料被均匀地布散在栅区(2)上。
一种基于硼碳氮纳米材料场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种增强脱氮效果的膜生物反应器污水处理工艺-CN200810053468.1无效
发明人：邢锴;张宏伟;杜启云;龙树勇 -专利权人：天津大学
申请日： 2008-06-10 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： C02F3/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强脱氮效果的膜生物反应器污水处理工艺，它包括以下步骤：原水进入反应器的缺氧区；通过泵将缺氧区内的混合液送入反应器的同步硝化反硝化区进行同步硝化反硝化反应；将同步硝化反硝化区内的混合液一部分通过第一溢流口送入在其内设置有膜组件的反应器膜区，一部分混合液通过带有流量计的虹吸管回流至反应器的兼性区；反应器的膜区中的混合液一部分被膜组件过滤净化后排放，一部分通过第二溢流口回流进入反应器的兼性区；进入兼性区的混合液在该区释放溶解氧，然后通过兼性区上设置的第三溢流口进入所述的缺氧区进行反硝化反应
一种增强效果生物反应器污水处理工艺

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810135597.5无效
发明人：崔容建 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种半导体器件的高压区或低压区中的STI，该半导体器件可以通过设置具有浅沟槽隔离结构、高压区和低压区的半导体衬底来制造。在包括浅沟槽隔离结构的高压区和低压区顶部的整个表面上方形成覆盖层。在覆盖层的顶部上方形成光刻胶图样以暴露包括形成在高压区内的一部分浅沟槽隔离结构的高压区。通过使用光刻胶图样作为掩模实施蚀刻工艺来去除高压区的覆盖层。在从其上去除了覆盖层的高压区的浅沟槽隔离结构的顶部拐角上实施氧化工艺。然后实施离子注入。可以使用倾斜方法通过注入硼来实施离子注入。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]光干涉式彩色显示面板的制造方法-CN200510007688.7无效
发明人：林文坚 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2005-02-07 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：之后在第一电极结构上定义出至少一第一区域、第二区域与第三区域。接着，在第一区域、第二区域与第三区域内的第一电极结构上形成一第一牺牲层，在第二区域与第三区域内的第一牺牲层上形成一第二牺牲层，并在第三区域内的第二牺牲层上形成一第三牺牲层，而对于相同或不同的蚀刻液而言，
干涉彩色显示面板制造方法

[实用新型]一种防滑助力鞋底-CN201520007597.2有效
发明人：朱雪虹 -专利权人：朱雪虹
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： A43B13/22 文献下载
摘要：本实用新型具体公开一种防滑助力鞋底，包括前掌底面，前掌底面上设有第一防滑区、第二防滑区和第三防滑区，第一防滑区呈C字形设置在前掌底面前端缘，第二防滑区呈C字形并设置在第一防滑区和第三防滑区之间；第二防滑区上设置有多个第二三角凸块本实用新型由于第二防滑区上的第二三角凸块具有朝向前掌地面前方的第一坡形壁面以及向后下方倾斜的第二坡形壁面，使得鞋底前掌部具有良好的防滑性能和助力推进功能。
一种防滑助力鞋底

[实用新型]鞋垫结构-CN201520370161.X有效
发明人：陈富景 -专利权人：富声国际股份有限公司
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： A43B17/02 文献下载
摘要：一种鞋垫结构，将一上表层及一下表层的边缘处进行封边处理后，形成有一容置空间，该容置空间经由分隔边区隔出有一前脚掌支撑散压区、一中段脚掌支撑散压区及一脚后跟支撑散压区，该中段脚掌支撑散压区包含非足弓支撑散压区及足弓支撑散压区，而每一支撑散压区内皆容置有多颗的颗粒固态粘弹性体，且每一分隔边上可视需求设置至少一个含以上的通道，使不同支撑散压区内的多个颗粒固态粘弹性体可经由人体手拨动透过通道由其中一支撑散压区拨入或拨出相邻的支撑散压区；当脚掌施予重力于各支撑散压区时，能有适当量的颗粒固态粘弹性体会塑型出脚掌形状，以达到3D(三度空间)塑型支撑兼具散压舒适的功效。
鞋垫结构

[实用新型]自动装网刻槽一体机-CN201420257611.X有效
发明人：李良有;张良 -专利权人：杭州和良机电设备有限公司
申请日： 2014-05-19 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： B21D17/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自动装网刻槽一体机，包括有机座和进料机构，机座上设有装网区和刻槽区，该装网区包括定位槽和装网机构，该装网机构包括：定位块；顶推气缸，带有用于朝向定位块顶推的顶推杆；第一推送气缸，带有用于朝向刻槽区推送的第一活塞杆；刻槽区由两个与机座转动配合的滚轮围成，该刻槽区的上方还架设有刻槽机构，该刻槽机构包括：驱动电机，与至少一只滚轮联动配合；顶压气缸，带有用于朝向刻槽区顶压的顶压杆；刻槽轮，铰接于顶压杆上、且正对刻槽区设置；第二推送气缸，带有用于贯穿刻槽区上方的第二活塞杆。
自动装网刻槽一体机

[实用新型]一种多段控温变形热箱-CN201420818487.X有效
发明人：胡少英;潘岳洪 -专利权人：浙江纪元丝绸服装有限公司
申请日： 2014-12-20 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： D02J13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多段控温变形热箱，包括箱体、加热通道、第一联苯罐、第二联苯罐、第三联苯罐、回流罐和回流泵，所述箱体内设有若干加热通道，加热通道内安装有导丝通道，加热通道由上至下包括第一加热区、第二加热区和第三加热区，第一加热区通过管道与第一联苯罐相连接，第二加热区通过管道与第二联苯罐相连接，第三加热区通过管道与第三联苯罐相连接，第一加热区、第二加热区和第三加热区底部均通过回流管与回流罐相连接，所述回流罐通过回流泵分别与第一联苯罐
一种多段控温变形

[实用新型]一种电子设备-CN201520053937.5有效
发明人：张奕淦;张旭辉 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：配置有第一触控参数的第一触控模块，第一触控模块用于采用第一触控参数感应第一触控操作；配置有第二触控参数的第二触控模块，第二触控模块用于采用第二触控参数感应第二触控操作，第一触控参数高于第二触控参数；包含第一显示区和第二显示区的显示模块，第一显示区和第二显示区分布在同一显示面；第一触控模块的感应区的面积小于第二触控模块的感应区的面积；第一触控模块的感应区和第一触控模块的感应区均朝向第一方向，第一方向垂直于第一显示区和第二显示区所分布的显示面
一种电子设备

[实用新型]一种化学-生物联合去除硝氮和氨氮的反应器-CN201520210819.0有效
发明人：郑平;厉巍;陈俊杰;王东豪;李晨旭;林潇羽 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：布水区从下到上设排泥管、回流-进水管；短程反硝化区下端设H₂进气管，与复合多孔陶瓷催化柱组相通，短程反硝化区上端设H₂循环管；短程反硝化区与厌氧氨氧化区之间通过法兰相连，设一个三孔隔板，板上安有三根导液管；厌氧氨氧化区下部设支撑筛板，上部设阻泥筛板；厌氧氨氧化区与分离区通过法兰相连，设一个双孔隔板，板上分别安有导流管和导泥管；分离区侧壁从下到上依次设有排泥口、溢流槽和出水管，分离区中央设双效三相分离器，中部侧壁设回流管，顶端设可拆卸的液封集气罩。
一种化学生物联合去除反应器

[实用新型]一种成品烟输送整理装箱装置-CN201420343720.3有效
发明人：阳林峰;胡维明;江海波 -专利权人：湖南中烟工业有限责任公司;长沙市嘉沙实业有限公司
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： B65B5/06 文献下载
摘要：一种成品烟输送整理装箱装置，装箱系统包括整理区和装料区，装料区设有入口和出口，整理区的同一侧设置有两个入口，第一入口直接与输入轨道连接，第二入口与水平转向装置的出口连接，水平转向装置通过第一推杆机构将输入轨道上的烟箱推入水平转向装置的入口，第一入口上设有第二推杆机构，第二推杆机构与输入轨道垂直设置，第二推杆机构将进入整理区的烟箱沿整理区移动一个烟箱位，整理区可以容纳经过水平转向装置旋转90度后的烟箱两箱和经过输入轨道进入的烟箱三箱，五烟箱为一组烟箱，装料区设有抓取机械臂，抓取机械臂的抓取端刚好可以抓取一组烟箱，抓取机械臂可以实现三轴移动，装料区的入口和出口之间设置输送托箱架的传送装置，托箱架底部大小与两组烟箱的大小相匹配，本实用新型结构简单、使用方便
一种成品输送整理装箱装置

[实用新型]高频非穿通型绝缘栅双极型晶体管-CN201420603707.7有效
发明人：龚利汀;陈丽兰;龚利贞 -专利权人：无锡固电半导体股份有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高频非穿通型绝缘栅双极型晶体管，包括N-型衬底，在N-型衬底上形成有多个网状分布的元胞；在N-型衬底的正面形成有各元胞的P型阱区和围绕晶体管有源区的P型场限环；在N-型衬底的正面最外围形成有N+电场截止环；在各元胞的P型阱区内形成有N+型发射区，在一侧的P型阱区和N+型发射区上方的表面形成有栅氧化层，栅氧化层上形成有元胞多晶硅层，元胞多晶硅层上形成有栅极金属；在另一侧的P型阱区和N+型发射区上方表面形成有发射区金属；各元胞的元胞多晶硅层、栅极金属、发射区金属均分别一一对应互连。
高频非穿通型绝缘栅双极型晶体管