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[发明专利]PN结的扩散方法、气体扩散装置和晶体硅太阳能电池片-CN201510134303.7有效
发明人：徐建龙;吕日祥 -专利权人：江西泰明光伏有限公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明公开了一种PN结的扩散方法，包括将硅片插到扩散炉内并升至第一预设温度；经扩散炉管向扩散炉通入小氮、氧气和大氮，同时通过变量流量计调控所述小氮的流量，持续第一预设时间；扩散炉内温度升至第二预设温度，并经扩散炉管向扩散炉通入预设含量的氧气和大氮，持续第二预设时间；扩散过程结束，在扩散炉降温后取出硅片。本发明所公开的PN结的扩散方法，通过变量流量计调控所述小氮的流量，从而改变扩散炉内三氯氧磷的浓度，进而改变扩散源进入硅片内部的扩散量，从而形成更明显的浓度梯度，有效的提升太阳能电池片的光电转换效率。
pn 扩散方法气体装置晶体太阳能电池

[发明专利]晶体硅太阳能电池及其扩散方法-CN201510508879.5在审
发明人：梁杭伟;李家兰;叶雄新;孙小菩;彭华 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体硅太阳能电池及其扩散方法。该晶体硅太阳能电池的扩散方法，包括如下步骤：步骤一：在通入氧气和氮气的条件下，将硅片于800～820℃保温氧化；步骤二：在通入扩散氮、氧气及氮气的条件下，将硅片于800～820℃保温扩散；步骤三：在通入氮气的条件下，将硅片于860～890℃保温扩散；步骤四：在通入氧气和扩散氮的条件下，将硅片于810～850℃保温扩散；步骤五：在通入氧气和氮气的条件下，将硅片于810～850℃保温反应，扩散氮为携带有三氯氧磷的氮气，且步骤四中的扩散氮的流量小于步骤二中的扩散氮的流量。上述扩散方法能够提升晶体硅太阳能电池的短路电流。
晶体太阳能电池及其扩散方法

[发明专利]使扩散式氮氢检漏仪不受环境本底影响的装置-CN201310412243.1无效
发明人：艾子蔚;刘德亮 -专利权人：博益（天津）气动技术研究所有限公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： G01M3/20 文献下载
摘要：本发明提供一种使扩散式氮氢检漏仪不受环境本底影响的装置，包括开关阀、储气罐、进气阀、罩盒、扩散式氮氢检漏仪，且依次串联气路连接；被测物局部或全部位于罩盒内，罩盒还连接一排气阀，开关阀与储气罐间联接一压力控制器；本发明用于辅助扩散式氮氢检漏仪的泄漏检测，避免了环境本底对检测的影响，提高了扩散式氮氢检漏仪的稳定性、正确性和精度，解决了扩散式氮氢检漏仪的弊端，降低了扩散式氮氢检漏仪对用户现场环境本底的限制要求。
扩散式氮氢检漏不受环境本底影响装置

[实用新型]使扩散式氮氢检漏仪不受环境本底影响的装置-CN201320563612.2有效
发明人：艾子蔚;刘德亮 -专利权人：博益（天津）气动技术研究所有限公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： G01M3/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种使扩散式氮氢检漏仪不受环境本底影响的装置，包括开关阀、储气罐、进气阀、罩盒、扩散式氮氢检漏仪，且依次串联气路连接；被测物局部或全部位于罩盒内，罩盒还连接一排气阀，开关阀与储气罐间联接一压力控制器；本实用新型用于辅助扩散式氮氢检漏仪的泄漏检测，避免了环境本底对检测的影响，提高了扩散式氮氢检漏仪的稳定性、正确性和精度，解决了扩散式氮氢检漏仪的弊端，降低了扩散式氮氢检漏仪对用户现场环境本底的限制要求
扩散式氮氢检漏不受环境本底影响装置

[发明专利]太阳能电池片扩散工艺-CN201710788544.2在审
发明人：张冠纶;扈静;李跃 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池片扩散工艺，包括以下步骤：B.将扩散炉炉腔升温至第一温度，并持续通入大氮；C.将炉腔维持在第一温度，并向炉腔内通入大氮和氧气对电池片进行氧化；D.在第一温度下进行低温扩散，此过程中持续向炉腔内通入大氮、小氮、氧气；E.将扩散炉炉腔升温至第二温度同时推进磷原子，继续通入大氮；F.将炉腔维持在第二温度并进行高温扩散，此过程中持续向炉腔内通入大氮、小氮、氧气；G.将扩散炉炉腔升温至第三温度同时推进磷原子，继续通入大氮；H.在第三温度下持续推进磷原子，此过程中持续向炉腔内通入大氮、氧气；I.降温并进行氧化同时推进磷原子，此过程中持续向炉腔内通入大氮、氧气。
炉腔大氮氧气磷原子扩散炉太阳能电池片扩散工艺小氮低温扩散高温扩散电池片

[发明专利]一种高效气体渗氮方法-CN202310706998.6在审
发明人：陈汪林;王文豪;孟显娜;李苏洋 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C8/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效气体渗氮方法，具体涉及钢表面化学热处理技术工艺领域。本发明所提供的高效气体渗氮方法，先使金属基体表面形成一层氮扩散层，而后将氮扩散层转变为金属‑氮化合物层，最后再使金属‑氮化合物分解，重新形成氮扩散层且氮扩散层厚度提高，在常规的渗氮时间内，采用本发明所提供的高效渗氮方法进行渗氮得到的金属表面渗氮层，厚度最低也有189.6μm，且渗氮层的厚度和硬度分别能够最高达到326.5μm和1205.7HV，磨损率最低仅为1.47×10‑4mm3<
一种高效气体方法

[发明专利]具有铬固体粒子-磨损保护层和耐腐蚀侧面的活塞环-CN201280071431.6有效
发明人：克里斯蒂安·赫布斯特-德德里希斯;瓦尔德马·乌尔巴泽卡;斯特凡·杜尔多特;彼得-克劳斯·埃塞尔 -专利权人：联邦摩高布尔沙伊德公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： C23C8/02 文献下载
摘要：本发明提供了被覆层的活塞环，其具有由含有多于10重量％的铬的铬钢制成的基体，该活塞环具有内圆周面、第一侧面、第二侧面和外圆周面，其中，第一侧面包括层厚为5–300μm的渗氮扩散层、直接在渗氮扩散层上布置的层厚为0.5–15μm的渗氮结合层和直接在渗氮结合层上布置的层厚为0.05–3μm的氧化物层，第二侧面包括渗氮扩散层，且外圆周面包括渗氮扩散层和在渗氮扩散层上布置的铬固体粒子层，其具有相对于铬固体粒子层的总体积为
具有固体粒子磨损保护层腐蚀侧面活塞环

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201711037435.3有效
发明人：邓银屏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极凹槽；在所述栅极凹槽的底部和侧壁上形成功函数层；在所述功函数层上形成富金属的扩散阻挡层；在所述富金属的扩散阻挡层上形成富氮的扩散阻挡层；在所述富氮的扩散阻挡层上形成填充所述栅极凹槽的金属栅电极。本发明提供的半导体器件及其制造方法，在功函数层上依次形成了富金属的扩散阻挡层和富氮的扩散阻挡层，所述富金属的扩散阻挡层能够避免功函数层中的金属扩散到扩散阻挡层中，所述富氮的扩散阻挡层提高了扩散阻挡层整体的扩散阻挡能力
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种流量控制方法及流量控制装置-CN201711456622.5有效
发明人：吴华德;熊光涌;蒋方丹;邢国强;王栩生 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种流量控制方法及流量控制装置，该流量控制方法包括：获取扩散炉中当前扩散工艺的运行序数；根据扩散工艺的运行序数和小氮流量值的对应关系以及当前扩散工艺的运行序数，得到当前执行扩散工艺所需要的小氮流量值；按照当前执行扩散工艺所需要的小氮流量值，向扩散炉输入小氮。本发明实施例提供的流量控制方法不需要进行人工调节，有利于自动化生产，解决了现有技术中向扩散炉中通入恒定流量的小氮，再通过调节推进温度调节方阻，增加人力成本但得到的硅片方阻波动大，批次间硅片方阻均匀性差的问题
一种流量控制方法装置

[发明专利]提高低温SCR催化剂活性并且抑制副产物N₂O的SCR反应器-CN201810347148.0在审
发明人：徐瑞年;周向;张传波;任乐 -专利权人：中冶京诚工程技术有限公司
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： B01D53/90 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高低温SCR催化剂活性并且抑制副产物N2O的SCR反应器，按烟气的流动方向包括烟气入口、反应器主体及烟气出口，在反应器主体内部设有用于放置低温SCR催化剂的催化剂床层，在催化剂床层中插装有氨氮混合气扩散管组，氨氮混合气扩散管组包括氨氮混合气输入管和由上至下并排设置的至少两排扩散总管，每排扩散总管由水平设置的多根扩散管构成，每根扩散管上分别连接有多根扩散支管，氨氮混合气输入管连接于外部氨氮混合气供气装置与各所述扩散总管之间，在各扩散管和各所述扩散支管上均开设有若干扩散孔。
扩散管氨氮扩散低温SCR 副产物混合气总管混合气输入管催化剂床层催化剂活性反应器主体支管低温催化剂并排设置低温催化供气装置水平设置脱硝效率烟气出口烟气入口扩散孔两排烟气催化剂外部流动

[发明专利]一种磷扩散方法、P型电池制备方法及N型电池制备方法-CN201310263648.3有效
发明人：王英超;熊景峰;胡志岩;李高非;赵文超 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷扩散方法、P型电池制备方法以及N型电池制备方法，所述磷扩散方法包括：对扩散炉进行加热；当加热至三氯氧磷与氧气反应的温度后，通入设定流量的小氮以及氧气，并持续加热，其中，所述小氮为携带三氯氧磷的氮气，所述小氮的流量小于氧气的流量；当扩散内温度稳定在磷扩散要求的工艺温度后，使小氮的流量大于氧气的流量，开始磷扩散；预设时间的磷扩散后，进行退火处理。所述磷扩散方法在进行加热以及稳定炉温阶段，可去除硅片表面的金属离子，从而避免了进行磷扩散时，金属离子扩散入硅片内形成复合中心，采用所述磷扩散方法制备的P型电池以及N型电池具有较高的转换效率。
一种扩散方法电池制备

[发明专利]太阳能电池片的扩散方法-CN201210002878.X无效
发明人：李新富 -专利权人：浙江金贝能源科技有限公司
申请日： 2012-01-06 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池片的扩散方法，该方法将太阳能电池片放入扩散炉中，升温至预定温度，并向扩散炉通入大氮、氧气和小氮进行扩散；其中大氮的通入流量为10～15L/min，氧气的通入流量为0.4～0.6L/min，小氮的通入流量为0.5～0.8L/min；且扩散时间约为20～30min。
太阳能电池扩散方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202111088037.0在审
发明人：穆克军 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括形成氧化材料层；于氧化材料层的表面形成扩散阻挡材料层；对所得结构进行氮化处理，以使得部分氧化材料层转化为含氮材料层；含氮材料层位于扩散阻挡材料层与保留的氧化材料层之间本申请提供的半导体结构的制备方法通过对所得结构进行氮元素掺杂，能够有效地阻挡硼扩散，减少由于硼扩散而导致的NBTI效应；同时，通过仅使得部分氧化材料层转化为含氮材料层，由于氮元素的掺杂深度小于氧化材料层的厚度以及扩散阻挡材料层的阻挡作用，可以精确地控制氮元素位于氧化材料层上表面，减少NBTI效应，提升器件性能的可靠性和稳定性。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种硼（B）扩散掺杂的方法-CN201210301219.6有效
发明人：汤叶华;周春兰;王文静;费建明;曹红彬 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2012-08-22 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C30B31/06 文献下载
摘要：一种硼（B）扩散掺杂的方法，其步骤如下：（1）腐蚀清洗待掺杂的衬底表面，清洗完成后将衬底干燥；（2）扩散炉升温，同时向扩散石英管内导入大氮；当温度达到850-1050°C后，将步骤（1）制备好的清洁衬底放入扩散石英管恒温区，密封扩散炉炉口；待扩散炉温度稳定后，向扩散石英管内通入氧气、携带硼源的小氮和气态水；所述的大氮的流量为12-20slm/min；所述的氧气的流量为2000-5000sccm/min；所述的携源小氮的流量800-3000sccm/min；所述的气态水的流量范围为100-900sccm/min；（3）待扩散过程结束后将衬底取出冷却。
一种扩散掺杂方法

[实用新型]一种土壤碱解性氮扩散皿-CN201220710442.1有效
发明人：张玉霞;张少庆;王国平 -专利权人：中国科学院东北地理与农业生态研究所
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种土壤碱解性氮扩散皿，通过在原有碱解性氮扩散皿的外室设计一个带加液口的加液室，解决了现有碱解性氮扩散皿中存在的问题：在加入氢氧化钠溶液时，氢氧化钠溶液很容易误入扩散皿内室，导致结果偏高或硼酸指示剂溶液变色，需要将扩散洗净重新操作。通过在原有碱解性氮扩散皿的外室设计一个带加液口的加液室，限制氢氧化钠溶液加入时溶液的流向，防止溶液进入到扩散皿内室，使溶液的加入更加方便快捷，得到的实验结果更加准确可信。
一种土壤碱解性氮扩散

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