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[发明专利]一种氧化铒透明陶瓷的制备方法-CN201910166130.5有效
发明人：吕滨;刘旭;汪莉鎔;詹志康 -专利权人：宁波大学
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：一种氧化铒透明陶瓷的制备方法，将钼酸铵溶液滴加到硝酸铒母盐溶液中，产生钼酸铒；继续滴加氨水，在滴加结束后，陈化，得到大量白色沉淀，过滤洗涤，获得含有钼酸铒的硝酸盐类铒基层状化合物，再将该化合物加入到硫酸铵溶液中浸泡进行离子交换后，经洗涤、干燥、研磨及过筛处理，煅烧，获得含有钼酸铒烧结助剂的氧化铒纳米粉末；预压、再冷等静压成型、高温无压烧结，经退火处理和机械加工后，获得氧化铒透明陶瓷。优点是：通过反应自生成的钼酸铒沉淀作为烧结助剂，以及硫酸铵作为离子交换剂制备出颗粒粒度小、粒度均匀、分散性好的高活性氧化铒粉体，采用该氧化铒粉体通过无压烧结获得直线透过率高的氧化铒透明陶瓷。
一种氧化透明陶瓷制备方法

[发明专利]一种利用低品位氧化铒制备铝铒中间合金的方法-CN201810793471.0在审
发明人：戚海冰 -专利权人：广西南宁桂尔创环保科技有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用低品位氧化铒制备铝铒中间合金的方法。本发明首先将氧化铒、铝锭和溶剂按照质量比(4～6)：(20～40)：(0.02～0.5)进行称量，然后将氧化铒和溶剂放入球磨机中进行球磨混匀，然后取出混合物料装入非真空中频感应炉中，将铝锭插入氧化铒和溶剂混合物料中发生铝热还原反应，撒入打渣剂进行扒渣，将铝热还原反应后的熔融物料进行立式浇铸，快速冷却得到铝铒中间合金锭，最后进行表面处理和检测包装得到本发明的铝铒中间合金。本发明的溶剂能够将氧化铒的纯度要求从99.9%降低到60～95%，能够显著降低原料氧化铒的单价成本，从而降低产品铝铒中间合金的价格，有利于最终制备低价的铝铒合金，推广铝铒合金在汽车、铁路和航空航天器领域的应用
氧化铒中间合金溶剂制备铝热还原反应铝铒合金低品位铝锭球磨机非真空中频感应炉航空航天器中间合金锭纯度要求单价成本混合物料快速冷却立式浇铸熔融物料溶剂混合打渣剂质量比扒渣称量放入混匀球磨装入取出检测铁路汽车应用

[发明专利]铒掺杂氧化铟纳米气敏材料及其制备方法和用途-CN200910083602.7无效
发明人：郭广生;樊军;顾福博 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2009-05-06 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种铒掺杂氧化铟纳米气敏材料及其制备方法和用途。铒掺杂氧化铟纳米气敏材料是氧化铒掺杂的氧化铟纳米材料，可表示为Er₂O₃-In₂O₃，其中Er/In摩尔比为0.25～2.5∶100；其中氧化铟为由30～60nm的颗粒组成的直径为200～300nm的中空球；氧化铒附着在氧化铟颗粒表面。本发明以铟盐、甲酰胺、间苯二酚为原料，采用水热法合成氢氧化铟中空微球，再经干燥、煅烧，得到氧化铟载体；再向氧化铟中加入铒盐溶液，经研磨、干燥、煅烧，得到铒掺杂氧化铟纳米材料。
掺杂氧化纳米材料及其制备方法用途

[发明专利]一种稀土铒合金的制备方法及稀土铒合金-CN201511015192.4在审
发明人：陈宇昕;张志宏;张先恒;郑天仓;李坤;于兵;冯和云 -专利权人：瑞科稀土冶金及功能材料国家工程研究中心有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： C25C3/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀土铒合金的制备方法及稀土铒合金，其特征是：是以石墨块作阳极，钼棒为惰性阴极，钼或钨坩埚作为金属接受器，在氟化稀土-氟化铒-氟化锂组成的氟化物熔盐电解质体系中，加入氧化稀土和氧化铒的混合物，通以直流电电解得到稀土铒合金；其中，氟化物熔盐电解质体系中各组分质量比为，氟化稀土：氟化铒：氟化锂=（92-75）：（5-15）：（3-10），加入稀土氧化物的混合物，其用量的质量百分含量为氧化稀土：氧化铒=（99-80）：（1-20），电解温度为1030-1100℃。其优点是：以简单氟化物电解质体系电解混合氧化物制得稀土铒合金，工艺流程简单，成本低，产品成分稳定，工艺过程仅产生CO₂和少量CO，对环境污染小，属于绿色环保工艺，适于大规模生产。
一种稀土合金制备方法

[发明专利]一种锗-铒掺杂二氧化锡多层复合薄膜及其制备方法-CN202011575069.9有效
发明人：李东珂;夏丽霞;李怡欢;严莲;翟章印;陈贵宾 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗量子‑铒掺杂二氧化锡多层复合半导体薄膜及其制备方法，本发明利用高真空多射频靶磁控溅射系统，在清洗后的衬底上，交替进行铒掺杂二氧化锡子层和非晶锗子层的溅射沉积，将沉积得到的铒掺杂二氧化锡/非晶锗多层复合半导体薄膜在氮气环境中进行热退火处理，使非晶锗子层内锗原子聚集晶化形成锗量子点，得到交替层叠结合在衬底上的锗量子‑铒掺杂二氧化锡多层复合半导体薄膜。本发明采用在铒掺杂二氧化锡半导体薄膜中插入锗量子点层，利用锗量子点的电子强关联特性敏化增强铒发光中心的光学活性，提高其发光效率；通过调节锗量子点的微观尺寸，可以改变其电子关联特性，实现对铒掺杂氧化物半导体材料中铒发光中心的光学调控
一种掺杂氧化多层复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种利用激光退火提高掺稀土氧化铝薄膜光学特性的方法-CN200510046967.4无效
发明人：李成仁;宋琦;李建勇;周松强;李淑凤;宋昌烈 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2005-07-27 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： G02F1/39 文献下载
摘要：本发明属于光通信技术中有源光放大器件领域，具体涉及到一种利用激光退火对掺铒/铒镱共掺氧化铝薄膜进行晶化的方法。其特征是利用低功率CO₂激光器对等离子体溅射方法制备掺铒/铒、镱共掺氧化铝薄膜进行照射，退火效果通过调节激光器工作功率和样品台位置与照射时间控制。本发明的效果和益处是利用CO₂激光束照射在掺铒/铒、镱共掺氧化铝薄膜，在很短的时间内在薄膜表面产生高温，提高氧化铝材料的晶化程度，从而可以大幅度地提高氧化铝中铒的荧光谱强度。
一种利用激光退火提高稀土氧化铝薄膜光学特性方法

[发明专利]铒基耐等离子体陶瓷涂层的非直视性沉积-CN202310842884.4在审
发明人： J·Y·孙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：耐等离子体陶瓷涂层由含铒氧化物、含铒氟氧化物或含铒氟化物组成。本发明还描述了具有含铒氧化物、含铒氟氧化物或含铒氟化物的耐等离子体陶瓷涂层的腔室部件。
铒基耐等离子体陶瓷涂层直视沉积

[发明专利]铒基耐等离子体陶瓷涂层的非直视性沉积-CN201780038885.6有效
发明人： J·Y·孙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：耐等离子体陶瓷涂层由含铒氧化物、含铒氟氧化物或含铒氟化物组成。本发明还描述了具有含铒氧化物、含铒氟氧化物或含铒氟化物的耐等离子体陶瓷涂层的腔室部件。
铒基耐等离子体陶瓷涂层直视沉积

[发明专利]一种微米级高密度氧化铒微球及其制备方法-CN201310549395.6有效
发明人：卢铁城;于小河;杨茂;黄章益;向晓刚 -专利权人：四川大学
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C01F17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种微米级高密度氧化铒微球，其粒径为50～150μm，其密度≥氧化铒粉体理论密度的88%。其制备方法为：（1）将预混液和氧化铒粉体球磨至氧化铒粉体均匀分散在预混液中，加入过硫酸铵水溶液，得到固相含量为50～60%的料浆；（2）①将tween80与油相混合均匀形成第一混合液，然后将料浆加入其中并搅拌得到乳液；②将四甲基乙二胺、span80及油相混合均匀形成第二混合液，然后将乳液通过滴定管加入到第二混合液中；③将步骤②所得固化的微球清洗、干燥得氧化铒微球素坯；（3）将氧化铒微球素坯排胶，然后在惰性气体保护下于1890～1910℃保温170～190min，即得微米级高密度氧化铒微球。
一种微米高密度氧化铒微球及其制备方法

[发明专利]铕铒双掺杂硫氧化钇发光材料、制备方法及其应用-CN201210047790.X有效
发明人：周明杰;王平;陈吉星;黄辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C09K11/84 文献下载
摘要：本发明提供了铕铒双掺杂硫氧化钇发光材料、发光薄膜和薄膜电致发光显示器器件及它们的制备方法。该铕铒双掺杂硫氧化钇发光材料的化学结构式为Y2O2S:xEu3+，yEr3+，其中，Y2O2S是基质，Eu3+和Er3+离子是激活元素，x值为0.01～0.05，y值为0.01～0.06。该铕铒双掺杂硫氧化钇发光材料可用于制备铕铒双掺杂硫氧化钇发光薄膜。该铕铒双掺杂硫氧化钇发光薄膜可用于制备薄膜电致发光显示器器件。该铕铒双掺杂硫氧化钇发光薄膜电致发光谱在490nm附近和580nm附近处具有强的发光峰。
铕铒双掺杂氧化钇发光材料制备方法及其应用

[发明专利]熔盐热还原法制备铝铒中间合金的方法-CN201711027510.8有效
发明人：姜佳鑫;吴俊子;贾锦玉;胡文鑫;高斯娥 -专利权人：包头稀土研究院;瑞科稀土冶金及功能材料国家工程研究中心有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种熔盐热还原法制备铝铒中间合金的方法，按铝铒中间合金的成分含量计算出每炉冶炼所需的铝、氧化铒、碱金属氯化物、冰晶石的重量，分别称取；将含有冰晶石、碱金属氯化物均匀混合后的熔剂加入石墨坩埚内升温至750℃～900℃熔化；待熔剂熔化充分后，加入氧化铒，得熔融含铒熔盐；在850℃～950℃将铝加入熔融含铒熔盐中，待铝熔化后，搅拌保温热还原40～80min；待热还原反应完成后，扒去表面废渣，降温到750～800℃浇注铸锭，获得铝铒中间合金。本发明采用氧化铒作原料，不使用氟化物，降低了生产成本，而且工艺过程稳定，产品不偏析。
熔盐热还原法制备中间合金方法

[发明专利]一种反应球磨法制备纳米氧化铒的方法-CN201810304919.8有效
发明人：龚晔 -专利权人：常州市卓群纳米新材料有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C01F17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应球磨法制备纳米氧化铒的方法，所述方法是：将含铒的无机盐水溶液、含氧化石墨烯的醇溶液、表面活性剂、沉淀剂和研磨体氧化锆锆珠一起放入球磨腔体中，在球磨作用下各种原料之间发生反应，形成纳米氧化铒的前驱体，经过过滤、洗涤、干燥、焙烧，得到高纯度的高分散性的纳米氧化铒。本发明通过反应球磨法、含氧化石墨烯的醇溶液、表面活性剂的应用，所制备的纳米氧化铒经TEM检测一次粒径10‑30nm。
氧化铒表面活性剂法制备纳米氧化石墨烯反应球磨醇溶液无机盐水溶液焙烧反应球磨法氧化锆锆珠产品颗粒高分散性球磨作用一次粒径沉淀剂高纯度均匀性可控性前驱体研磨体磨腔制备洗涤过滤检测污染应用

[发明专利]一种铒单掺二氧化钒多晶薄膜的制备方法-CN201510632608.0在审
发明人：王锐;张昱屾;仇兆忠;徐欢欢;吴晓宏 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种铒单掺二氧化钒多晶薄膜的制备方法，它涉及稀土掺杂二氧化钒薄膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有基质材料仅仅具有发光性能，不具有其他功能特性的问题。方法：一、制备Er₂O₃圆形陶瓷片；二、射频反应溅射；三、热处理，得到铒单掺二氧化钒多晶薄膜。本发明制备出铒单掺二氧化钒多晶薄膜具有明显的单色绿光发射同时具有明显的金属绝缘相变特性，制备出具有丰富功能的上转换发光材料。本发明制备的铒单掺二氧化钒多晶薄膜具有明显的绿光发射；因此本发明制备的铒单掺二氧化钒多晶薄膜可以成为新的单色绿光上转化发光材料。本发明可获得一种铒单掺二氧化钒多晶薄膜的制备方法。
一种铒单掺二氧化多晶薄膜制备方法

[发明专利]用于耐热性涂料的氧化锆填料及含有该填料的耐热涂料-CN202310075762.7在审
发明人：孙仲毅;冯露;赵文丰 -专利权人：宜昌三峡中润纳米材料有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C09D7/61 文献下载
摘要：本发明涉及氧化锆材料技术领域，具体公开了一种用于耐热性涂料的氧化锆填料及含有该填料的耐热涂料。其制备方法包括以下步骤：S1、掺铒氧化锆粉体的制备：将锆盐和铒盐混合并加入水，得到反应液；将反应液水热反应，得到悬浮液；将悬浮液离心分离得到固体粉末，用水离心洗涤得到初次洗涤的固体粉末；将初次洗涤的固体粉末与乙醇混合，分离得到二次洗涤的固体粉末；将二次洗涤的固体粉末干燥得到掺铒氧化锆粉体；S2：将掺铒氧化锆粉体置于900～1000℃下煅烧1～4h，得到用于耐热性涂料的掺铒氧化锆填料。本申请的掺铒氧化锆颗粒作为填料制得的涂料，具有1000℃超高的耐热性能，能够作为涂层应用于航空领域的飞行器上。
用于耐热性涂料氧化锆料及含有填料耐热

[发明专利]一种基于氧化铒薄膜的忆阻器件及其制备方法-CN201910051937.4有效
发明人：赵勇;毛双锁;孙柏;付国强;李冰 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于氧化铒薄膜的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器括顶电极、氧化铒薄膜以及底电极，所述氧化铒薄膜位于顶电极和底电极之间，其中，顶电极和底电极的材料分别为氧化铟锡或银。一种上述基于氧化铒薄膜的忆阻器的制备方法，包括以下步骤：S1：清洗衬底；S2：采用磁控溅射法，以氧化铟锡或银靶材为溅射源，在基片上溅射沉积底电极；S3：采用射频溅射法，以氧化铒靶材为溅射源，在底电极上沉积功能层Er2O3薄膜；S4：采用直流溅射法，以氧化铟锡或银靶材为溅射源，在氧化铒薄膜表面沉积上电极。
一种基于氧化薄膜器件及其制备方法

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