专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种废渣料制备细合金粉的工艺方法-CN202110748463.6在审
  • 王占锋;任琳君;詹超;王涛;王刚;贾龙 - 西安华力装备科技有限公司
  • 2021-07-02 - 2021-10-08 - B22F9/22
  • 本发明公开了一种废渣料制备细合金粉的工艺方法,它涉及粉末冶金技术领域。其工艺步骤为:(1)将废渣料通过氢气气氛炉除杂或清洗后筛选,将所得废渣料分类处理;(2)将筛选后的合金废渣料氧化处理得到氧化合金渣料;(3)将氧化合金渣料破碎处理后过100‑120目筛网得到粗氧化合金粉;(4)将粗氧化合金粉进一步球磨得到细氧化合金粉;(5)将细氧化合金粉在氢气气氛炉中分两步还原得到细合金粉。本发明工艺简单,操作简便,缩短工艺流程,提高能源利用率,适用于批量生产,合金粉的适用产品范围广,且成本低,易于推广使用。
  • 一种废渣制备合金粉工艺方法
  • [发明专利]一种纳米晶掺杂氧化电致变色薄膜图形的制备方法-CN201510358852.2有效
  • 任洋;赵高扬;王秋红;李颖 - 西安理工大学
  • 2015-06-25 - 2017-09-29 - C03C17/22
  • 本发明公开了一种纳米晶掺杂氧化电致变色薄膜图形的制备方法,具体过程为制备感光性FTO掺杂的氧化溶胶;将溶胶涂覆到FTO导电玻璃基板上,制备出具有紫外感光特性的FTO掺杂的氧化凝胶薄膜;随后对凝胶薄膜进行曝光、显影处理,得到具有图形的FTO掺杂的氧化凝胶薄膜;最后将有图形的凝胶薄膜放入气氛炉中进行热处理,得纳米晶掺杂的氧化薄膜图形。本发明制备工艺过程简便,不需要特殊的真空环境和反应室,可以制作大面积的FTO纳米晶掺杂的氧化薄膜图形;制备过程中无需添加抗蚀剂和腐蚀性介质,对基板无伤;制备出具有可见‑近红外双频调制的电致变色薄膜,相比于普通非晶氧化薄膜
  • 一种纳米掺杂氧化钨变色薄膜图形制备方法
  • [发明专利]一种氧化纳米花氢气传感器的制备方法-CN201610118627.6有效
  • 罗坚义;李宇东;莫希伟;曾庆光 - 五邑大学
  • 2016-03-02 - 2018-08-07 - G01N27/12
  • 本发明提供一种氧化纳米花氢气传感器的制备方法,包括以下步骤:(1)在衬底上生长出氧化纳米线,且钨粉贴附在其表面上;(2)将衬底上的钨粉生长为氧化纳米花结构体;(3)将衬底加热退火后,在氧化纳米花结构体上掺杂贵金属,得到氢气传感器敏感材料;(4)在氢气传感器敏感材料两端制备电极,再引线封装,得到氧化纳米花氢气传感器。本发明提供的氧化纳米花氢气传感器的制备方法通过在衬底上生长出结构稳定、比表面积较高的氧化纳米花结构体,制备得到电学数据稳定、室温下响应灵敏度高的氢气传感器,且其制备方法简单、成本低廉。
  • 一种氧化钨纳米氢气传感器制备方法
  • [发明专利]氧化吸附管的制作方法及实施所述制作方法的镀膜装置-CN201210149030.X有效
  • 俞志鹤;闵嘉华;居海斌 - 华瑞科学仪器(上海)有限公司
  • 2012-05-14 - 2012-09-19 - C23C14/32
  • 本发明提供一种镀膜装置及利用镀膜装置制作氧化吸附管的方法,其中,氧化吸附管制作方法包括:将吸附管基管置于座体的承载台上;将钨丝和弹性件跨接在座体上,使得钨丝贯穿吸附管基管;将配置有吸附管基管和钨丝的镀膜装置置于真空环境下,对钨丝进行加电处理,钨丝在加电情况升华为气并遇到温度较低的吸附管基管后凝华在吸附管基管的内壁表面以形成黑色的镀层;将凝华有镀层的吸附管基管进行加热氧化处理,以使得镀层氧化为浅黄色的三氧化,从而制作完成氧化吸附管相较于现有技术,本发明镀膜装置结构简单,利用镀膜装置制作氧化吸附管的方法简单、快速,且可使得制作出的氧化吸附管具有结合力强和均匀度高等优点。
  • 氧化钨吸附制作方法实施镀膜装置
  • [发明专利]一种正交晶系层状三氧化的制备方法与应用-CN202010162263.8有效
  • 王炳山;李小红;余金保 - 景德镇学院
  • 2020-03-10 - 2022-06-10 - C01G41/02
  • 本发明公开了一种正交晶系层状三氧化的制备方法与应用,属于无机功能材料的制备领域。所述制备方法具体包括如下步骤:利用质子化的阳离子交换树脂去除酸盐溶液中多价金属阳离子杂质,获得高纯溶胶;往获得的高纯溶胶中加入形貌控制剂,随后水热合成反应,冷却、过滤并常压干燥,获得正交晶系层状水合三氧化;将得到的正交晶系层状水合三氧化煅烧,即制得正交晶系层状三氧化。本发明通过离子交换‑水热反应,并利用PVP形貌控制剂及反应条件控制,成功获得了正交晶系层状水合氧化和正交晶系层状氧化。该方法工艺简单,操作方便,成本低,适合在工业上推广使用。
  • 一种正交晶系层状氧化钨制备方法应用
  • [发明专利]一种氧化纳米线及氧化纳米线气敏传感器的制备方法-CN200810116300.0无效
  • 唐子龙;徐宇兴;张中太 - 清华大学
  • 2008-07-08 - 2008-12-10 - C01G41/02
  • 一种氧化纳米线及氧化纳米线气敏传感器的制备方法,属于一维纳米氧化物材料的制备及气敏技术领域。将酸钠溶于去离子水中配制成酸钠溶液;缓慢滴加盐酸形成淡黄色胶束溶液,离心分离;产物均匀分散到硫酸钾溶液中,转入反应釜中进行水热反应,即制得所述氧化纳米线。在所述氧化纳米线中添加粘合剂及玻璃料;元件烧结;元件老化制得氧化纳米线气敏传感器。本发明制备步骤简单,制备过程中的工艺参数容易控制,整个制备过程的能源消耗非常少,所制备的氧化纳米线具有大的比表面积和较高的热稳定性,氧化纳米线气敏传感器对低浓度(1~100ppm)H2
  • 一种氧化钨纳米线气敏传感器制备方法

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