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- [发明专利]垂直磁记录介质-CN201980083935.1有效
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谭金光;镰田知成;栉引了辅;齐藤伸
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田中贵金属工业株式会社;国立大学法人东北大学
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2019-12-23
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2022-10-18
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G11B5/64
- 本发明提供具备特性(使垂直磁记录介质的热稳定性提高并且使开关磁场减弱的特性)比现有的帽层更优良的帽层从而实现了热稳定性的提高和开关磁场的减弱的垂直磁记录介质。垂直磁记录层(24)具有包含CoPt合金磁性晶粒(24A)和非磁性晶界氧化物(24B)的颗粒结构，帽层(26)具有包含CoPt合金磁性晶粒(26A)和磁性晶界氧化物(26B)的颗粒结构，帽层(26)的CoPt合金磁性晶粒(26A)含有65原子％以上且90原子％以下的Co、10原子％以上且35原子％以下的Pt，磁性晶界氧化物(26B)相对于帽层(26)整体的体积分数为5体积％以上且40体积％以下。
- 垂直记录介质
- [发明专利]应变GeOI结构及其形成方法-CN201110058370.7有效
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王敬;许军;郭磊
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清华大学
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2011-03-10
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2011-08-31
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H01L29/06
- 本发明提出一种应变GeOI结构，包括：表面具有氧化物绝缘层的硅衬底；形成在所述氧化物绝缘层之上的Ge层，其中，Ge层与所述氧化物绝缘层之间形成有第一钝化薄层；形成在所述Ge层之上的栅堆叠，以及形成在所述栅堆叠之下的沟道区和沟道区两侧的漏区和源区；和覆盖所述栅堆叠的SiN应力帽层以使所述沟道区产生应变。在本发明实施例中锶锗化物或钡锗化物形成的钝化薄层属于半导体，在本发明实施例中通过第一钝化层可以改善Ge材料与绝缘氧化物之间的界面态问题，从而降低该界面处的漏电和散射。此外，通过本发明实施例的SiN应力帽层可以使沟道区产生应变，从而提高器件性能。
- 应变geoi结构及其形成方法
- [实用新型]高温纳米红外电热膜发热元件-CN201120292424.1有效
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裴稼模
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裴稼模
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2011-08-12
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2012-05-02
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H05B3/42
- 一种高温纳米红外电热膜发热元件，包括绝缘棒、金属红外氧化物电热膜、两个电极、两个绝缘帽和两个接线柱机构，金属红外氧化物电热膜均匀涂覆于绝缘棒的外圆周表面，两个电极分别设置于绝缘棒的上、下两个端部，电极与金属红外氧化物电热膜触接，两个绝缘帽分别套设于绝缘棒的上、下两个端部，电极位于绝缘帽与绝缘棒之间，绝缘帽的中部具有安装通孔，接线柱机构穿设于安装通孔，接线柱机构具有连接部分和接线部分，接线柱机构的连接部分与电极触接，接线柱机构的接线部分位于绝缘帽的外侧
- 高温纳米红外电热发热元件
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