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[发明专利]环氧丙烷的制备方法-CN01806930.4无效
发明人：辻纯平;山本纯 -专利权人：住友化学工业株式会社
申请日： 2001-03-19 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： C07D301/19 文献下载
摘要：一种制备环氧丙烷的方法，其特征在于，包含下述工序，且所提供给环氧化工序的含异丙苯过氧化氢溶液中的水浓度在1重量％以下，氧化工序：通过氧化异丙苯得到异丙苯过氧化氢的工序，环氧化工序：使氧化工序得到的异丙苯过氧化氢与丙烯反应，由此得到环氧丙烷与对异丙基苄醇的工序，氢解工序：将在环氧化工序得到的对异丙基苄醇氢解得到异丙苯，以该异丙苯作为氧化工序的原料，循环至氧化工序的工序。
丙烷制备方法

[发明专利]环氧丙烷的制备方法-CN01806929.0无效
发明人：奥宪章;大前俊一 -专利权人：住友化学工业株式会社
申请日： 2001-03-19 - 公布日： 2003-05-21 - 主分类号： C07D301/19 文献下载
摘要：一种制备环氧丙烷的方法，其特征在于包括下述的工序，且提供给环氧化工序的异丙苯过氧化氢不发生下述式(1)所示温度(t)以上的热史的影响，t(℃)＝150－0.8×W(1)，其中，W含异丙苯过氧化氢的溶液中，异丙苯过氧化氢的含量(重量％)，氧化工序异丙苯经氧化制得异丙苯过氧化氢的工序，环氧化工序让氧化工序中制得的异丙苯过氧化氢与丙烯反应，制备环氧丙烷及对异丙基苄醇的工序，氢解工序将环氧化工序中制得的对异丙基苄醇氢解，得到异丙苯，将该异丙苯作为氧化工序中的原料，循环至氧化工序的工序。
丙烷制备方法

[发明专利]环氧丙烷的制造方法-CN200480027821.9无效
发明人：辻纯平;伊藤祯昭 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2004-09-16 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： C07D301/19 文献下载
摘要：环氧丙烷的制造方法，其包括：通过将枯烯氧化得到氢过氧化枯烯的氧化工序；通过将氧化工序中得到氢过氧化枯烯与丙烯反应而得到环氧丙烷和枯醇的环氧化工序；及将环氧化工序中得到的枯醇转化为枯烯，并将该枯烯在氧化工序中循环使用的工序，其特征在于，氧化工序后的反应液中所含的1，2－环氧－2－异丙苯的浓度在1重量％以下。
丙烷制造方法

[发明专利]环氧丙烷的制造方法-CN02823107.4无效
发明人：迁纯平;石野胜 -专利权人：住友化学工业株式会社
申请日： 2002-09-12 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： C07D301/19 文献下载
摘要：一种环氧丙烷的制造方法，在包括下述工序的环氧丙烷制造方法中，在各工序内或者各工序间的至少一个地方具有将副产的碳原子数2～3的醇化合物、环己醇和/异丙基环己烷去除到系统外的工序：氧化工序：通过氧化异丙苯得到氢过氧化异丙苯的工序；环氧化工序：通过使在氧化工序中得到的氢过氧化异丙苯和丙烯反应，得到环氧丙烷和枯醇的工序；以及氢化分解工序：通过氢化分解在环氧化工序中得到的枯醇，得到异丙苯，并将该异丙苯作为氧化工序的原料再循环到氧化工序的工序
丙烷制造方法

[发明专利]一种防止铜箔表面氧化的无铬化处理工艺-CN201610425601.6在审
发明人：丁士启;陆冰沪;于君杰;贾金涛;李大双;吴斌;孙德旺 -专利权人：安徽铜冠铜箔有限公司;合肥铜冠国轩铜材有限公司
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： C25D5/12 文献下载
摘要：一种防止铜箔表面氧化的处理工艺，包括：将生箔电镀成的铜箔经过酸洗预处理后，依次经过第一粗化工序、第二粗化工序、第一固化工序、第二固化工序、第三固化工序、黑化工序、镀锌工序、防氧化工序、有机膜工序和烘干工序本发明开发了稳定的无铬防氧化液，对铜箔进行防氧化处理，在提高铜箔的抗氧化性的同时，避免了传统工艺中使用六价铬、三价铬对环境和人体的危害。
一种防止铜箔表面氧化无铬化处理工艺

[发明专利]环氧丙烷的制造方法-CN02826922.5无效
发明人：辻纯平 -专利权人：住友化学工业株式会社
申请日： 2002-12-26 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： C07D301/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含下述工序的环氧丙烷制造方法，它使供给氢解工序的枯醇中的有机酸浓度为200重量ppm或以下：氧化工序：把枯烯氧化，得到氢过氧化枯烯，环氧化工序：把含氢过氧化枯烯的枯烯溶液和过剩量的丙烯在液相中，有固体催化剂存在的条件下进行反应，得到环氧丙烷及枯醇，氢解工序：在固体催化剂存在的条件下，把环氧化工序得到的枯醇氢解，得到枯烯，把该枯烯作为氧化工序的原料，向氧化工序中再循环利用。
丙烷制造方法

[发明专利]碳材料的制造方法和碳材料-CN201480049361.3有效
发明人：滨口真基;和田祥平 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明涉及碳材料的制造方法，其特征在于，包括如下工序使无灰煤氧化的氧化工序；将所述氧化工序中得到的氧化无灰煤和未氧化的无灰煤混合并成形的成形工序；使所述成形工序中得到的成形体碳化的碳化工序，所述氧化工序中得到的所述氧化无灰煤的氧增加率为2.0～10.0％，并且所述成形工序中的所述氧化无灰煤的混合比例相对于所述氧化无灰煤和所述未氧化的无灰煤的合计100质量份，为60～95质量份。
材料制造方法

[发明专利]贴合晶片的制造方法-CN200710195766.X有效
发明人：奥田秀彦;草场辰己;远藤昭彦 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有薄的BOX氧化膜的高品质SOI晶片和高品质的DSB晶片。一种贴合晶片的制造方法，该方法包括：在基底晶片的至少一面上形成氧化膜的氧化工序，将形成前述氧化膜的基底晶片和顶端晶片贴合的贴合工序，以及将前述贴合的晶片中的顶端晶片薄膜化的薄膜化工序。前述氧化工序包括将前述基底晶片在氧化气氛下、以1～300℃/分钟的升温速度，加热到800～1300℃范围的温度，前述贴合工序是在2片晶片的界面上进行设置前述氧化工序中形成的氧化膜。
贴合晶片制造方法

[发明专利]一种高钙高磷钒渣低温氯化制备高纯五氧化二钒的方法-CN201810734658.3有效
发明人：杨海涛;朱庆山;范川林 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C01G31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高钙高磷钒渣低温氯化制备高纯五氧化二钒的方法，所述方法包括氧化造粒工序(1)、低温氯化工序(2)、收尘淋洗工序(3)、精馏提纯工序(4)、氧化制粉工序(5)和尾渣氧化工序(6)六个工序。本方法在氧化造粒工序加入添加剂，使钒渣中的钙转化为硅酸盐相或铝硅酸盐相，避免因钙的大量氯化造成失流。在低温氯化工序采用一氧化碳作为碳源，降低氯化温度，防止因钙、镁氯化物熔融而引起失流。在氧化制粉和尾渣氧化工序通过鼓入富氧空气实现氯气的循环利用。本发明适用于高钙高磷钒渣，具有选择性好，反应温度低，不失流，环境友好，产品附加值高等优点。
一种高钙高磷钒渣低温氯化制备高纯氧化方法

[发明专利]改质煤的制造方法和改质煤-CN201580005310.5在审
发明人：古谷敦志;重久卓夫;高桥洋一;樋口彻;山本诚一;渡边裕纪;清水孝浩 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C10L9/06 文献下载
摘要：本发明的改质煤的制造方法，具有将低品位的煤进行脱水的工序、向脱水煤中添加水的工序、使加水煤成块的工序、和使压块煤缓慢氧化的工序，在加水工序中，调整水的添加量，使加水煤的含水率为5质量％以上且20质量％以下，在氧化工序中，将压块煤在空气中保持在70℃以上且105℃以下的温度。作为氧化工序后的氧化煤的含水率，优选为1质量％以上且13质量％以下。在氧化工序后，还可以具有粉碎氧化煤的工序和向粉碎煤中二次添加防扬尘用水的工序。
改质煤制造方法

[发明专利]有价金属的回收方法-CN201280017953.8有效
发明人：森一广;丹敏郎;高桥纯一 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在有价金属的回收中能够稳定废电池熔融物的氧化度且可靠地使炉渣与合金进行分离的方法。该方法包括：预先在300℃以上且低于600℃的低温下对废电池进行焙烧的焙烧工序（ST10）；在1100℃以上且1200℃以下进行焙烧而施行氧化处理的氧化工序（ST20）；以及，对该氧化工序中得到氧化处理的废电池进行熔融而分离炉渣与有价金属的合金并进行回收的干式工序通过设置焙烧工序（ST10）而预先在氧化工序（ST20）之前去除塑料成分等、阻碍氧化工序（ST20）的稳定性的有机碳，能够提高炉渣与合金的分离效率。
金属回收方法

[发明专利]一种用于去除污水中氮氨杂质的方法-CN201711484100.6在审
发明人：李晴;陈琪璇;邱恋;徐熊鲲;汪锐;杨开虎;陈婷婷;费功全 -专利权人：成都天府新区海天水务有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于去除污水中氮氨杂质的方法，将经过预处理的污水采用半短程硝化工序与厌氧氨氧化工序结合去除污水中的氮氨杂质，其特征在于：采用半短程硝化工序与厌氧氨氧化工序在不同反应器里进行的二段式工艺，所述半短程硝化工序与厌氧氨氧化工序之间设置有密封的去氧池，采用通入CO2去除进行了半短程硝化的污水中的溶解氧。本发明提供的一种用于去除污水中氮氨杂质的方法在半短程硝化与厌氧氨氧化工序之间设置有去氧池，去除半短程硝化后污水中的溶解氧，避免溶解氧对厌氧氨氧菌的抑制，提高污水处理效率。
半短程硝化去除污水厌氧氨氧化氮氨溶解氧氧池预处理污水处理效率反应器二段式氨氧厌氧密封

[发明专利]一种富二氧化碳气体生产液体二氧化碳的方法-CN202111382648.6在审
发明人：陈健;刘昕;卜令兵;张杰;陶宇鹏;王键;张宏宇;余秋兰;冯良兴 -专利权人：西南化工研究设计院有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C01B32/50 文献下载
摘要：本发明为一种富二氧化碳气体制液体二氧化碳的方法，该方法依次包括压缩、净化、液化和二氧化碳浓缩工序。富二氧化碳气进入压缩工序，升压后进入净化工序，净化后进入液化工序，部分二氧化碳变为液态，液体二氧化碳作为产品输出；液化工序的不凝气进入二氧化碳浓缩工序进行回收，不凝气中的二氧化碳浓缩后返回压缩工序继续循环，废气的一部分作为净化工序的再生气经净化后排出系统，剩余部分直接排出。本发明通过将富二氧化碳气经低压二氧化碳浓缩工序转移至液化工序将不凝气二氧化碳浓缩，将浓缩二氧化碳工序的规模大幅度减小，实现中浓度二氧化碳低成本规模化生产液体二氧化碳，单位二氧化碳的能耗降低10～25％，二氧化碳的回收率提升10～25个百分点。
一种二氧化碳气体生产液体方法

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和程序-CN201880097474.9在审
发明人：井川博登;中山雅则;舟木克典;上田立志;坪田康寿;高见荣子;竹岛雄一郎;山角宥贵 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括第一氧化工序和第二氧化工序；第一氧化工序中，对于处于第一温度的基板的表面由第一含氧气体的等离子体进行改性，形成第一氧化层；第二氧化工序中，将上述基板加热至比上述第一温度高的第二温度，对形成有上述第一氧化层的上述基板的表面由第二含氧气体的等离子体进行改性，形成上述第一氧化层的厚度增加后的第二氧化层。
半导体装置制造方法处理程序

[发明专利]有价金属的回收方法-CN201280009250.0有效
发明人：高桥纯一;森一广;丹敏郎 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够稳定废电池熔融物的氧化度且可靠地使炉渣与合金进行分离的方法。该方法包括：对废电池进行焙烧而施行氧化处理的预氧化工序（ST20）；以及，对该预氧化工序中得到氧化处理的废电池进行熔融而分离炉渣与有价金属的合金并进行回收的干式工序（S20）。通过在干式工序（S20）之前设置基于废电池的焙烧预先进行氧化处理的预氧化工序（ST20），可稳定地获得熔融工序（ST21）中最佳的氧化度，能够提高炉渣与合金的分离效率。
金属回收方法

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