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[发明专利]外延晶片及其制造方法-CN200910149834.8有效
发明人：青木嘉郎;足立尚志;远藤昭彦;野野垣嘉久 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2009-06-19 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供可以防止产生外延膜的表面缺陷和该膜外周部的滑移、具有吸除部位、还可以降低制造成本的外延晶片及其制造方法。减少硅晶片表层中的氧离子注入量，在温度低的外延生长时对离子注入层进行热处理，在表层形成不完全埋入氧化膜。因此，可以降低晶片的成本。另外，即使氧化膜因离子注入的状况不佳而中断，也可以抑制外延膜产生凹坑，减少膜的表面缺陷。另外，可以防止膜的外周部的厚度增加，可以抑制晶片外周部的滑移。而且，不完全埋入氧化膜还兼具吸除部位，因此可以防止外延晶片的金属污染。
外延晶片及其制造方法

[发明专利]用于生产键合晶片的方法-CN200910006107.6无效
发明人：森本信之;西畑秀树;奥田秀彦;远藤昭彦 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及制备键合晶片的方法。在通过将活化层用晶片键合到支撑层用晶片然后再减薄活化层用晶片来生产键合晶片的方法中，将氧离子注入到活化层用晶片中时，该注入步骤分为在特定条件下进行的两个阶段。
用于生产晶片方法

[发明专利]贴合晶片的制造方法-CN200780001235.0无效
发明人：森本信之;远藤昭彦;森田悦郎 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2007-07-04 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供薄膜化后的膜厚均匀性优异、表面粗糙度良好且缺陷少的贴合晶片。提供贴合晶片的制造方法，其包括：将活性层用晶片和支撑层用晶片贴合，之后将活性层用晶片薄膜化。在该方法中，向活性层用晶片中注入氧离子在活性层内形成氧离子注入层，之后在非氧化性气氛中以1100℃以上的温度施行热处理，同时在除去形成于氧离子注入层的曝露面上的氧化膜后，在非氧化性气氛中以1100℃以下的温度施行热处理。
贴合晶片制造方法

[发明专利]半导体基板的制造方法-CN200810089504.X有效
发明人： 远藤昭彦;森本信之 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2008-04-03 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种制造最终产品贴合基板的方法，该方法是在使用研磨中止层的贴合方法中，抑制作为研磨中止层的SiO₂层和硅基板的界面粗糙度，以使表面的粗糙度小。一种贴合的晶片的制造方法，该方法包括：在基板电阻为1～100mΩcm的活性层用晶片中注入氧离子，在前述活性层用晶片中形成氧离子注入层的工序；使前述活性层用晶片和支撑用晶片通过或不通过绝缘层贴合，形成贴合晶片的工序；将前述贴合的晶片热处理，强化贴合，而且使前述氧离子注入层作为含有SiO₂层的工序；将前述强化贴合的贴合晶片从活性层用晶片的表面侧研削、研磨和/或蚀刻，使前述中止层露出表面的工序；除去前述SiO₂层的工序；以及将贴合晶片在还原气氛下热处理，使活性层用晶片中含有的导电性成分扩散的工序。
半导体制造方法

[发明专利]制备半导体衬底的方法-CN200710104569.2有效
发明人：村上贤史;森本信之;西畑秀树;远藤昭彦 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2007-05-25 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制备半导体衬底的方法，其涉及甚至在氧化物膜厚度比传统氧化物膜薄的层压晶片中抑制缺陷如空穴或气泡出现的方法，其中将氢离子注入具有的氧化物膜厚度不超过50nm的活性层晶片以形成氢离子注入层，注入不同于氢的其它离子直到自氢离子注入表面侧计算的深度比氢离子注入层浅的位置，并且通过氧化物膜将活性层晶片层压到支承衬底的晶片上，然后使活性层晶片在氢离子注入层处剥落。
制备半导体衬底方法

[发明专利]贴合晶片的制造方法-CN200710195765.5有效
发明人：森本信之;远藤昭彦 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供不会由于贴合工序的热处理而在贴合的界面上残留局部的氧化物，且具有几nm左右的厚度均匀的氧化膜的贴合晶片的制造方法。为了解决上述问题，提供一种贴合晶片的制造方法。该方法包括：用臭氧洗涤2片硅晶片，在前述硅晶片的表面形成膜厚2.2nm以下的氧化膜，通过形成的氧化膜，贴合前述2片硅晶片，得到贴合晶片。
贴合晶片制造方法

[发明专利]贴合晶片的制造方法-CN200710195766.X有效
发明人：奥田秀彦;草场辰己;远藤昭彦 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有薄的BOX氧化膜的高品质SOI晶片和高品质的DSB晶片。一种贴合晶片的制造方法，该方法包括：在基底晶片的至少一面上形成氧化膜的氧化工序，将形成前述氧化膜的基底晶片和顶端晶片贴合的贴合工序，以及将前述贴合的晶片中的顶端晶片薄膜化的薄膜化工序。前述氧化工序包括将前述基底晶片在氧化气氛下、以1～300℃/分钟的升温速度，加热到800～1300℃范围的温度，前述贴合工序是在2片晶片的界面上进行设置前述氧化工序中形成的氧化膜。
贴合晶片制造方法

[发明专利]结合晶片及用来制造结合晶片的方法-CN200710182132.0有效
发明人：森本信之;远藤昭彦 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：一种结合晶片及用来制造结合晶片的方法，通过在没有绝缘膜的情况下直接结合作为活性层的硅晶片和作为支持基板的硅晶片，并且减薄作为活性层的硅晶片到给定的厚度而获得，其中相对于预定的晶面以0－0.1°(复合角)的切割角从锭上切割下的硅晶片被用于每一个作为活性层的硅晶片和作为支持基板的硅晶片。
结合晶片用来制造方法

[发明专利]贴合晶片的制造方法-CN200710154733.0无效
发明人：森本信之;远藤昭彦 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供贴合晶片的制造方法，其具有不夹有绝缘膜而直接将第1半导体晶片和第2半导体晶片贴合的工序；将上述第2半导体晶片制成薄膜的工序，其特征在于，上述第1半导体晶片和第2半导体晶片的至少包括贴合面的表层部分的氧浓度都为1.0×10¹⁸(atoms/cm³，OldASTM)以下。
贴合晶片制造方法

[发明专利]粘结的晶片的制造方法-CN200710128807.3有效
发明人：西畑秀树;森本信之;远藤昭彦 -专利权人：株式会社SUMCO
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种制造粘结的晶片的方法，通过将用于有源层和支撑层的两个硅晶片彼此粘结，然后将用于有源层的晶片减薄来进行，其中，在粘结前向用于有源层的晶片表面注入氮离子，以在用于有源层的晶片内部形成氮化物层。
粘结晶片制造方法

[发明专利]制备半导体衬底的方法-CN200710101162.4有效
发明人：村上贤史;森本信之;西畑秀树;远藤昭彦 -专利权人：株式会社上睦可
申请日： 2007-05-09 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供了一种甚至在无氧化物膜晶片中抑制缺陷如空穴或气泡出现的方法，其中将氢离子注入表面上无氧化物膜的活性层晶片以形成氢离子注入层，注入不同于氢的其它离子直到自氢离子注入表面侧的深度比氢离子注入层浅的位置，将活性层晶片层压到支承衬底的晶片上，然后使活性层晶片在氢离子注入层处剥落。
制备半导体衬底方法

[发明专利]SOI基板及其制造方法-CN200580025175.7有效
发明人：森田悦郎;佐野理太郎;远藤昭彦 -专利权人：株式会社上睦可
申请日： 2005-05-25 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该SOI基板具备由半导体单晶构成的支承基板和经由氧化膜在上述支承基板上贴合并由半导体单晶构成的活性层，上述氧化膜只在上述活性层上形成，只选择使用通过等离子体蚀刻法生成的反应性自由基蚀刻上述活性层表面，由此使上述活性层的厚度在10－200nm的范围内形成，并且使上述活性层整体的膜厚差在1.5nm或以下。
soi 及其制造方法

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