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[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法-CN201310698757.8在审
发明人：刘海龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在刻蚀所半导体衬底上形成覆盖鳍片的氧化物层后，刻蚀所述氧化物层，露出部分高度的所述鳍片，而在所述鳍片的侧壁残留部分氧化物层；之后，向所述鳍片的侧壁残留的氧化物层内注入离子，之后去除所述鳍片侧壁的残留的注入有离子的氧化物层基于向所述氧化物层内注入离子后，可造成氧化物键联断裂，从而有效提高氧化物层的刻蚀速率，有效去除附着于鳍片侧壁上的氧化物层，避免残留在鳍片侧壁的氧化物层对于鳍式场效应晶体管的后续制备工艺造成不利影响，进而提高最终形成的鳍式场效应晶体管的性能
场效应晶体管形成方法

[实用新型]一种气态硫氧化物在线检测装置-CN201621336077.7有效
发明人：邵媛 -专利权人：华电国际电力股份有限公司技术服务中心
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种气态硫氧化物在线检测装置，包括取样管道（1）、硫氧化物反应罐（3）和数据分析仪，烟气分析仪（9）和硫氧化物残留检测罐（12），取样管道（1）分别与硫氧化物反应罐（3）和烟气分析仪（9）相通，硫氧化物残留检测罐（12）与硫氧化物反应罐（3）相连。通过本实用新型提供的气态硫氧化物在线检测装置能够分别检测出烟气中硫氧化物和三氧化硫的浓度，克服了现有技术中对于SO2和SO3混合气体不能分别检测出硫氧化物和三氧化硫含量的缺陷。同时设置残留的气态硫氧化物的检测装置，使检测结果更加精准。烟气通过检测装置后气态硫氧化物全部转化到液体中，减少了环境的污染。
一种气态氧化物在线检测装置

[发明专利]蚀刻金属氧化物而蚀刻残留物较少的方法-CN201880084984.2在审
发明人： A·B·穆里克;A·B·玛里克;S·冈迪科塔;S·S·罗伊;Y·饶;R·弗里德;U·米特拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：描述了蚀刻金属氧化物膜而蚀刻残留物较少的处理方法。所述方法包括：用金属卤化物蚀刻剂蚀刻金属氧化物膜；以及将所述蚀刻残留物暴露于还原剂以去除所述蚀刻残留物。一些实施方式涉及蚀刻氧化钨膜。一些实施方式利用卤化钨蚀刻金属氧化物膜。一些实施方式利用氢气作为还原剂以去除蚀刻残留物。
蚀刻金属氧化物残留物较少方法

[发明专利]一种氧化物层的刻蚀方法-CN202310046272.4在审
发明人：欧阳文森;王胜林;黄珊;周盼盼 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化物层的刻蚀方法，包括：提供包括第一器件区和第二器件区的衬底，在衬底上形成有氧化物层；在氧化物层上形成仅暴露第一器件区的第一图案化光刻胶层；以第一图案化光刻胶层为掩模，对第一器件区的氧化物层进行第一次刻蚀；去除第一图案化光刻胶层；形成仅暴露第二器件区的第二图案化光刻胶层，第二器件区的氧化物层上形成有光刻胶残留物；以第二图案化光刻胶层为掩模，对第二器件区的氧化物层进行第二次刻蚀，以去除光刻胶残留物以及第二器件区的氧化物层本发明提供的方法，在第二步刻蚀时选择对光刻胶残留物具有去除效果的刻蚀液，能有效解决光刻胶残留物阻挡第二步刻蚀并形成残留氧化物层的问题。
一种氧化物刻蚀方法

[发明专利]一种检测聚烯烃中残留过氧化物的方法-CN202110249177.5在审
发明人：李秀洁;张庆雨;王桂兰;陈胜;刘晓娜;王基志;庄春武;郭运涛;潘振凌;张彩凤 -专利权人：江苏斯尔邦石化有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：一种检测聚烯烃中残留过氧化物的方法，该方法为先取聚烯烃样品；再利用保护气体对聚烯烃样品进行保护，并将保护气体的流速设置为5‑20ml/min；然后对聚烯烃样品进行加热，加热温度为0‑200℃，升温速率为5℃‑20℃/min；在大于熔融吸热峰之上会出现放热峰，对放热峰焓值进行计算；最后，根据放热峰焓值大小，得出对应的同种过氧化物的残留量，放热峰焓值越高，过氧化物的残留量越大。该方法可快速检测聚烯烃树脂中残留过氧化物的存在，指导生产工艺进行技术改进，以避免或减少过氧化物的残留，提高产品品质。
一种检测烯烃残留过氧化物方法

[发明专利]降低铁氧化物中残留氯化物的方法-CN96193273.2无效
发明人： D·M·小哈米尔顿 -专利权人：国际壳牌研究有限公司
申请日： 1996-04-11 - 公布日： 2002-04-10 - 主分类号： C01G49/02 文献下载
摘要：一种降低铁氧化物，尤其是钢酸洗的盐酸废液中产生的再生铁氧化物中残留氯化物含量的方法，该方法将一种水合金属化合物尤其是黄色铁氧化物与所述的铁氧化物进行合成后处理，然后加热这种混合物到某一温度，在该温度下足以释出水合金属化合物中至少部分结晶水，从而有利于除去铁氧化物中残留的氯化物。这种纯化的再生铁氧化物特别适用于生产高品位的铁酸盐。$#!
降低氧化物残留氯化物方法

[发明专利]一种减少或去除裘皮或裘皮制品毛被中游离甲醛的方法-CN201610577341.4有效
发明人：那日苏;何中;李显光;王斌;常明贤 -专利权人：内蒙古自治区产品质量检验研究院
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： C14C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种减少或去除裘皮或裘皮制品毛被中游离甲醛的方法，该方法主要通过向裘皮毛被喷洒一种复合催化粉，经紫外光照射而去除裘皮毛被中的游离甲醛等残留有机溶剂、残留的其他物质和/或有害物质；所述复合催化粉由重量比1∶(0.5～5)的变价金属氧化物和滑石粉组成，所述变价金属氧化物包括钛氧化物、铈氧化物、钴氧化物和锌氧化物。
一种减少去除裘皮制品毛被中游离甲醛方法

[发明专利]消除纵梁形式的多晶硅残留的方法以及半导体制造方法-CN201610596377.7有效
发明人：刘宇;成中敏;王立斌 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本发明提供一种消除纵梁形式的多晶硅残留的方法以及半导体制造方法。在存储器的外围区域中，在硅片中形成浅沟槽隔离，而且在硅片上依次形成第一多晶硅层、第一氮化硅层、氧化物层和第二多晶硅层；对第二多晶硅层进行刻蚀，完全刻蚀掉外围区域中的第二多晶硅层，残留部分氧化物层；在外围区域中依次沉积氧化物和氮化硅，使残留的部分氧化物层增厚而形成增厚的氧化物层，并形成第二氮化硅层；对第二氮化硅层、增厚的氧化物层和第一氮化硅层执行刻蚀，在浅沟槽隔离的侧壁上形成浅沟槽隔离侧壁；对第一多晶硅层进行刻蚀，仅仅留下处于浅沟槽隔离侧壁下方的残留多晶硅；利用NH₃.H₂O与H₂O₂组成的溶液对外围区域进行处理；对侧壁残留多晶硅进行刻蚀去除。
消除形式多晶残留方法以及半导体制造

[实用新型]锅炉炉外脱硝法成套设备-CN201721468498.X有效
发明人：郭必涛;韩基梅;李红兵;周跃邦 -专利权人：盐城市吉盛达环保工程有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： B01D53/56 文献下载
摘要：本实用新型属于环保设备技术领域，具体涉及一种锅炉炉外脱硝法成套设备，包括氧化室、脱硝室和回流管，利用氧化室将一氧化氮充分氧化，再利用脱硝室生成工业可用、易提纯的硝酸盐，可大大提高氮氧化物的去除率，并实现了对氮氧化物的回收利用，节约环保；通过氧化室内部设置旋转混合器，在气体压力和搅拌双重作用下，使得氮氧化物与氧化液充分接触反应，提高氮氧化物的去除率；通过设置回流管，将少量氮氧化物残留物重新输入本实用新型的脱硝系统，循环脱硝，极大降低排出烟气中氮氧化物残留量，减少对环境的污染；本设备运行成本低，绿色环保，适用于工业脱硝。
氮氧化物本实用新型回流管脱硝法脱硝室氧化室成套设备去除脱硝硝酸盐锅炉设备运行成本旋转混合器充分接触工业可用环保设备回收利用绿色环保气体压力双重作用脱硝系统一氧化氮残留量室内部氧化液再利用提纯排出烟气节约环保污染

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201210401500.7有效
发明人：山崎舜平;早川昌彦;本田达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：当制造具有层叠有栅电极层、栅极绝缘膜以及氧化物半导体膜并设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置时，在通过蚀刻工序形成栅电极层或源电极层及漏电极层之后，进行去除由蚀刻工序残留在栅电极层表面或氧化物半导体膜表面及其附近的残留物的工序氧化物半导体膜或栅电极层的表面上的残留物的面密度可以为1×1013atoms/cm2以下。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201710588496.2有效
发明人：山崎舜平;早川昌彦;本田达也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：当制造具有层叠有栅电极层、栅极绝缘膜以及氧化物半导体膜并设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置时，在通过蚀刻工序形成栅电极层或源电极层及漏电极层之后，进行去除由蚀刻工序残留在栅电极层表面或氧化物半导体膜表面及其附近的残留物的工序氧化物半导体膜或栅电极层的表面上的残留物的面密度可以为1×1013atoms/cm2以下。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种监控钨CMP工艺出现的晶边钨残留的方法-CN202110877913.1在审
发明人：陶仁峰;李协吉;李儒兴 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种监控钨CMP工艺出现的晶圆边缘钨残留的方法，包括以下步骤：提供检测晶圆，在检测晶圆的表面形成氧化物膜层，氧化物膜层覆盖中心区域和边缘区域的表面；对氧化物膜层执行钨CMP工艺，并测试晶圆边缘区域处对氧化物膜层的研磨速率；以及根据检测晶圆边缘氧化层研磨速率来监控钨CMP机台的状态，据此判断产品晶圆是否会在边缘区域存在大量的钨残留。本发明通过上述步骤可以通过在线监控氧化物膜层的研磨速率来替代在线监控钨膜层的研磨速率来监控钨CMP工艺出现的晶边钨残留状况，实现提前预防由于钨残留导致钝化层蚀刻制程出现金属线容易被电流击穿并焦化的问题以及电性测试时出现的
一种监控 cmp 工艺出现晶边钨残留方法

[发明专利]采用等离子喷涂制备氧化物阴极的方法-CN201110086195.2无效
发明人：张敏;王小霞;罗积润;赵庆兰;廖显恒 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2011-04-07 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用等离子喷涂制备氧化物阴极的方法。该方法包括：制备氧化物喷涂材料；将制备的氧化物喷涂材料置入等离子炬中，装配阴极基底至喷涂模具；在等离子炬中的等离子气氛下加热氧化物喷涂材料，使氧化物喷涂材料撞击并附着在阴极基底上，形成氧化物阴极。本发明采用等离子喷涂制备氧化物阴极，所制备的氧化物阴极中不会残留有害物质，从而提升了微波管的性能。
采用等离子喷涂制备氧化物阴极方法

[发明专利]一种超声波去氧化物清洗设备-CN202011159129.9在审
发明人：崔春燕;谭金平;冯槐顺 -专利权人：泰港电机（惠州）有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种超声波去氧化物清洗设备，属于清洗清洁技术领域，包括包括超声波发射器，还包括氧化物除去箱、运转装置和清理装置，所述超声波发射器安装于氧化物除去箱内，所述运转装置架设于氧化物除去箱上，所述氧化物除去箱上设有进液管，所述氧化物除去箱内设有定位治具、推送组件和混液组件，所述清理装置包括清理架、冲洗组件和风干组件，所述冲洗组件和风干组件间隔设置且冲洗组件和风干组件均安装于清理架上。本发明通过冲洗喷头将清水向定位箱内的金属件上喷洒，喷洒的清水用以去除金属件上的化学液体残留从而避免化学液体残留灼伤皮肤风干喷头工作对金属件上残留的水渍清洗风干作业，从而避免人工接触带有化学液体的金属件。
一种超声波氧化物清洗设备

[发明专利]脂环族二环氧化物的制备-CN200980145591.9无效
发明人： A·拜尔;D·亚布隆斯基;E·科罗尼克;Y·山井;Y·福西;K·濑尾 -专利权人：住友电木株式会社
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： C07D405/04 文献下载
摘要：根据本发明的实施方案提供脂环族二环氧化物化合物和形成该化合物的方法。这样的方法包括使反应容器装有合适的二烯和合适的二烯亲和物，并使其反应形成所要的脂环族二环氧化物前体并将其回收，随后这样的前体被环氧化。这样的化合物包括具有至少95％或至少98％纯度的无同分异构残留物的脂环族二环氧化物，并基本上不含任何同分异构的脂环族二环氧化物残留物。
脂环族二环氧化物制备

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