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- [发明专利]一种锡锑氧化物导电膜及其制造方法-CN01115143.9无效
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冷同桂
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潍坊润泰智能电气有限公司
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2001-07-14
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2004-09-01
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H05B3/14
- 本发明涉及一种锡锑氧化物导电膜及其制造方法,锡锑氧化物导电膜包括二氧化锡80%-96%(重量)、五氧化二锑4%-20%(重量),它们的粒度直径为10-20nm,厚度为80-180nm。其制造方法是以SnCl4的水溶液和SbCl3乙醇溶液为原料通过氨水沉淀,用草酸或氨水回溶,浓缩,制备成溶胶凝胶,经过陈化,在石英玻璃上高温喷涂,形成锡锑氧化物导电膜;本发明制造的锡、锑氧化物导电膜结构致密,具有良好的导电性、高透光率、省时省电且热交换效率高;其制造方法工艺简单、利用设备少,成本低,并且对环境污染轻。
- 一种氧化物导电及其制造方法
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