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- [发明专利]线性马达-CN201610912994.3有效
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罗钧名;张宇荣;黄柏盛
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大银微系统股份有限公司
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2016-10-20
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2020-05-22
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H02K41/02
- 本发明提供一种线性马达，包括：定子件，界定出一直线延伸的导引方向；动子件，与定子件相邻，并可沿该导引方向直线往复位移，具有一动子座；转接元件，具有两通道，彼此分隔开来地分设于该动子座上；转接元件包括一块体，设于动子座上；入流空间，设于块体中；以及分流空间，设于块体中，连通入流空间与各通道；动子座具有一座体；以及一缺口凹设于座体上，并与块体嵌接。本发明是将用以供冷却流体分流的构造设置于独立的块体上，使其加工便于进行，并可于组装后于线性马达内部形成适当分流构造，令由外部进入的冷却流体得以被妥适地分流至不同通道中流动。
- 线性马达
- [实用新型]转子构造-CN202020151831.X有效
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细田明广
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发那科株式会社
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2020-02-04
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2020-10-16
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H02K1/27
- 本实用新型提供一种抑制磁通泄漏并且发挥优异的扭矩提升效果的转子构造。转子构造包括：多个转子芯；多个磁体，其分别贯穿多个磁体插入孔而设置，该多个磁体插入孔沿着轴线方向贯通转子芯而形成；以及轴，其贯穿转子芯的中心孔并且与转子芯设置为一体，作为转子芯，其包括：第1转子芯，其形成为中心孔的直径与轴的外径大致同等；以及第2转子芯，其形成为中心孔的至少局部的直径大于轴的外径，并配置为与第1转子芯同轴地夹在两个第1转子芯之间，在第2转子芯的内周缘与轴的外周面之间的间隙夹设磁体含有物。
- 转子构造
- [发明专利]HEMT半导体器件的制备方法-CN202211131297.6在审
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吴龙江
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深圳天狼芯半导体有限公司
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2022-09-16
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2022-12-23
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H01L21/335
- 本申请涉及一种HEMT半导体器件的制备方法，包括：依次沉积半导体衬底、沟道层、势垒层和P型盖帽层；刻蚀P型盖帽层并在第二功能区内构造若干子功率开关；在子功率开关与第一功能区和/或第三功能区之间的沟道层和势垒层内刻蚀出若干隔离槽，并向隔离槽内填充隔离材料，以形成隔离层；在第一功能区和/或第三功能区内构造若干二极管；在第一功能区和第三功能区的上方构造源极焊垫层、漏极焊垫层和栅极焊垫层。通过在HEMT半导体器件内集成二极管并使二极管与对应子功率开关反向并联，使得当高电压施加到HEMT半导体器件后，二极管先一步被击穿，从而保护HEMT半导体器件中的子功率开关。
- hemt半导体器件制备方法
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