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[发明专利]极紫外光源-CN201811052605.X在审
发明人：陶业争;J·T·斯特瓦特;D·J·W·布朗 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及极紫外光源。
等离子体靶材料靶区域成形极紫外光源第一空间成形空间重新布置发射靶分布转换放大

[发明专利]极紫外光源-CN202110069440.2在审
发明人：陈思妤;简上傑;陈立锐 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本揭露提供一种极紫外光源以及使用极紫外光源图案化基材上的光阻层的方法。举例来说，此极紫外光源包含一容积(Volume)，以收集电浆生成制程后所残留的液态锡碎屑，耦接至此容积的一外盖，其中此外盖包含至少一开口，以容许液态锡碎屑穿过此至少一个开口而掉落至此容积中，以及耦接至此外盖的一加热器
紫外光源

[发明专利]极紫外光源-CN201911033324.4有效
发明人：陶业争;J·T·斯特瓦特四世;J·朱尔;D·布朗;J·M·亚查恩德;A·A·沙夫甘斯;M·A·普尔维斯;A·拉弗格 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及极紫外光源。修改辐射脉冲包括第一部分和第二部分，第一部分在时间上连接到第二部分，并且第一部分的最大能量小于第二部分的最大能量；修改辐射脉冲的第一部分与靶材相互作用以形成修改靶；并且修改辐射脉冲的第二部分与修改靶相互作用以生成发射极紫外
紫外光源

[发明专利]极紫外光源-CN201480014562.X有效
发明人：陶业争;R·J·拉法克;I·V·福缅科夫;D·J·W·布朗 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：描述了使用来自靶材料的反馈来增强极紫外光源的功率的技术，该靶材料在进入目标位置之前已被修改为空间延伸的靶分布或者膨胀的靶。
紫外光源

[发明专利]极紫外光源-CN201580036836.X有效
发明人：陶业争;J·T·斯特瓦特四世;J·朱尔;D·布朗;J·M·亚查恩德;A·A·沙夫甘斯;M·A·普尔维斯;A·拉弗格 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： G21B1/00 文献下载
摘要：修改辐射脉冲包括第一部分和第二部分，第一部分在时间上连接到第二部分，并且第一部分的最大能量小于第二部分的最大能量；修改辐射脉冲的第一部分与靶材相互作用以形成修改靶；并且修改辐射脉冲的第二部分与修改靶相互作用以生成发射极紫外
紫外光源

[发明专利]极紫外光源-CN201480071653.7有效
发明人：陶业争;J·T·斯特瓦特;D·J·W·布朗 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：形成与靶区域(230)至少部分一致的第一剩余等离子体(227a)；将包括处于第一空间分布的靶材料(220b)的靶提供至靶区域，靶材料包括当被转换成等离子体时发射EUV光的材料；第一剩余等离子体与初始靶(220a)相互作用，相互作用使靶材料从第一空间分布重新布置成成形靶分布以在靶区域中形成成形靶(221b)，成形靶包括以成形空间分布布置的靶材料；将放大光束朝向靶区域导向以使成形靶中的靶材料中的至少一些转换成发射EUV光的等离子体；和在靶区域中形成第二剩余等离子体。
紫外光源

[发明专利]极紫外光源-CN201580005388.7有效
发明人： R·J·拉法克;D·布朗;侯凯钟;R·L·桑德斯托洛姆 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：在靶位置处提供靶材料，靶材料包括当被转换成等离子体时发射极紫外光的材料，并且靶材料沿着第一方向在第一限度内和沿着第二方向在第二限度内延伸；将放大光束沿着传播方向朝向靶位置引导；和使放大光束聚焦在焦平面中
紫外光源

[发明专利]极紫外光刻机光源系统及极紫外曝光方法-CN201310315161.5有效
发明人：徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明描述一种低污染的极紫外光刻机光源系统及避免源污染的极紫外曝光方法，其中极紫外光刻机光源系统包括激光辐射装置，适于提供激光辐射；极紫外光激发源，适于接受激光辐射产生极紫外光；收集器，用于收集极紫外光；其中，所述收集器包括若干反射镜，所述反射镜在收集极紫外光时配置成反射态和非反射态，其中，所述反射态适于反射极紫外光；非反射态适于躲避凝聚态颗粒污染。本发明提供的极紫外光刻机光源系统和极紫外曝光方法对光源系统的污染低。
紫外光刻光源系统曝光方法

[发明专利]极紫外光刻机光源系统及极紫外曝光方法-CN201310315299.5有效
发明人：徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明描述一种低污染的极紫外光刻机光源系统及避免源污染的极紫外曝光方法，其中极紫外光刻机光源系统包括极紫外光激发源，适于接受激光辐射或高压等离子体而产生极紫外光，在激光辐射中产生凝聚态颗粒飞出极紫外光激发源；收集器，用于汇聚极紫外光；冷凝器，用于冷凝飞出的凝聚态颗粒，其中，所述冷凝器环绕构成外墙，所述外墙包覆预定空间，所述空间适于极紫外光汇聚。本发明提供的极紫外光刻机光源系统和极紫外曝光方法对光源系统的污染低。
紫外光刻光源系统曝光方法

[发明专利]极紫外光设备及防止极紫外光光源装置被污染的方法-CN201910227714.9有效
发明人：吴明发;傅中其;林俊泽;郑博中;杨怀德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开涉及极紫外光设备及防止极紫外光光源装置被污染的方法。一种极紫外光微影系统，包括极紫外光光源及极紫外光扫描器。微滴产生器在极紫外光光源中提供微滴流。气体屏障是配置以包围微滴流。当激光与流中的微滴反应时，制造极紫外光辐射及离子化粒子。气体屏障可减少传送离子化粒子至微滴捕捉器的污染。极紫外光光源的构件可用电压偏压，以排斥或吸引离子化粒子，进而减少来自于这些离子化粒子的污染。
紫外光设备防止光源装置污染方法

[发明专利]极紫外光设备与其运作方法-CN202011592548.1在审
发明人：苏彦硕;谢佳颖;陈彦勳;叶承翰;张汉龙;傅中其;刘恒信;陈立锐 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种极紫外光设备与其运作方法，极紫外光设备包括腔室、极紫外光源以及自由基源。极紫外光源设置向腔室内发射出极紫外光束。自由基源位于腔室内并邻近于极紫外光束通过的路径上。
紫外光设备与其运作方法

[发明专利]极紫外光刻光源Xe¹⁰⁺离子状态的检测系统-CN201210164154.5无效
发明人：赵永蓬;徐强;王骐 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：极紫外光刻光源Xe10+离子状态的检测系统，它涉及极紫外光刻光源离子状态的检测系统，本发明是为了解决极紫外光刻机在正常工作条件下进行极紫外光刻光源离子状态检测时，由于相机对光刻光源的光路的遮挡难以实现极紫外光刻光源离子状态实时检测的问题它包括极紫外收集镜、反射镜、滤光片、光电二极管和示波器；毛细管输出端面的中心点与反射镜上端部连线与毛细管输出端的中心点与反射镜下端部连线的夹角为9~11°。此夹角范围内输出的极紫外光入射光电二极管，转变为电信号传递给示波器，示波器又将电信号转变为光信号形成的波形来动态显示极紫外光刻光源的离子状态。本发明可应用于极紫外光刻光源离子状态的动态检测技术领域。
紫外光刻光源 xe sup 10 离子状态检测系统

[发明专利]极紫外光刻掩模缺陷检测系统-CN201210104156.5有效
发明人：李海亮;谢常青;刘明;李冬梅;牛洁斌;史丽娜;朱效立 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本申请涉及半导体学中的集成电路光刻领域，公开了一种极紫外光刻掩模缺陷检测系统，包括：极紫外光源、极紫外光传输部分、极紫外光刻掩模、光子筛、采集及分析系统。所述极紫外光源发出的点光源光束经过所述极紫外光传输部分聚焦到所述极紫外光刻掩模上；所述极紫外光刻掩模发出散射光并照明所述光子筛；所述光子筛形成暗场像并传送到所述采集及分析系统。本申请利用光子筛的体积小、易加工、低成本和分辨率强的特性代替了加工难度极大、成本高昂和体积大的史瓦西透镜，实现成本较低、体积较小并且分辨率强的极紫外光刻掩模缺陷检测装置。
紫外光刻缺陷检测系统

[实用新型]满足空间极紫外仪器定标测试用实验室19.5nm极紫外光源系统-CN200820080370.0无效
发明人：李保权;张鑫;彭吉龙;曾智蓉 -专利权人：中国科学院空间科学与应用研究中心
申请日： 2008-05-04 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： G01J3/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及满足空间极紫外仪器定标测试用实验室19.5nm极紫外光源系统，由极紫外光源设置在真空测试室外，极紫外光源通过极紫外光源的出口法兰、真空插板阀、真空管道串连到真空测试室；多层膜反射镜和待测仪器分别设置于真空测试室内组成，其中该多层膜反射镜的中心与极紫外光源的出口法兰的轴线重合，待测仪器的视场角中心对准多层膜反射镜的中心，使反射光线能够入射到待测仪器上。本实用新型提供的高强度19.5nm实验室极紫外光源系统，用15000eV的微聚焦电子源轰击纯铝靶，激发铝原子内壳层电子跃迁，产生大量极紫外辐射，然后通过Mo/Si多层膜反射镜分光出高强度的19.5nm极紫外射线该光源系统能够在实验室条件下方便地满足空间极紫外探测仪器定标测试需要。
满足空间紫外仪器定标测试实验室 19.5 nm 光源系统

[发明专利]紫外光光源装置-CN200610006803.3无效
发明人：张宏麒;李少谦 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2006-02-07 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种紫外光光源装置，其适于作为一曝光机的光源。此紫外光光源装置包括一线路板以及多个紫外光发光二极管。这些紫外光发光二极管是以数组排列方式排列于线路板的一表面上，其中每个紫外光发光二极管是经由表面组装技术与线路板电性连接。此紫外光光源装置可以输出符合曝光制程的波长范围需求及高强度的光线。
紫外光光源装置

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