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[发明专利]具有凹陷场板的半导体器件及其制作方法-CN200680048949.2有效
发明人：简·雄斯基 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2006-12-18 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体器件可包括延伸漏极区(50)或漂移区和漏极区(42)。绝缘栅极(26)可设置于本体区上。源极区(34，40)可形成为具有深源极区(40)和浅源极区(34)。与本体具有相同导电类型的接触区(60)可与深源极区(40)相邻设置。本体在浅源极区(34)下延伸以接触到接触区(60)。
具有凹陷半导体器件及其制作方法

[发明专利]可电性擦除且可程序化的只读记忆胞及其程序化方法-CN200410088554.8有效
发明人：吴昭谊;李明修 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明是关于一种可电性擦除且可程序化的只读记忆胞及其程序化方法，该可电性擦除且可程序化的只读记忆胞是由堆叠层、闸极导电层、第一源极/汲极区、第二源极/汲极区、第一口袋植入掺杂区与第二口袋植入掺杂区所构成另外，第一源极/汲极区与第二源极/汲极区，分别配置在闸极导电层两侧的基底中。此外，第一口袋植入掺杂区配置在堆叠层下方的基底中，且与第一源极/汲极区邻接。另外，第二口袋植入掺杂区配置在堆叠层下方的基底中，且与第二源极/汲极区邻接，而且第一口袋植入掺杂区的掺杂浓度不同于第二口袋植入掺杂区的掺杂浓度。
可电性擦除程序化只读记忆及其方法

[发明专利]具有金属-绝缘体-硅接触件的存储器件和集成电路器件-CN201510713319.3在审
发明人：李盛三 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：该集成电路器件可包括有源区、有源区中的栅电极以及与有源区中的栅电极的一侧相邻的源极/漏极区。源极/漏极区可包括经掺杂的半导体材料。该器件还可包括位于有源区上的层间绝缘层，并且该层间绝缘层可包括暴露出源极/漏极区的上表面的凹进。该器件还可包括导电插塞，其位于凹进中且包括第一金属；以及绝缘层，其位于凹进中且包括第二金属。绝缘层可以位于源极/漏极区的上表面与导电插塞的下表面之间，并且可与经掺杂的半导体材料接触。
具有金属绝缘体接触存储器件集成电路

[发明专利]横向蚀刻外延层的方法-CN201710851854.4有效
发明人：李昆穆;张智强;杨崴翔;林哲宇;萧文助 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种在外延的源极/漏极的成长制程中结合横向蚀刻以形成硅锗源极/漏极区的方法，举例来说，此方法可包含在基底上形成多个鳍，这些鳍中的每一个具有第一宽度，可在这些鳍上形成硅锗源极/漏极区，其中每一个硅锗源极/漏极区具有与第一宽度相同方向的第二宽度以及高度。此方法也可包含选择性地蚀刻硅锗源极/漏极区，例如经由横向蚀刻，以减少硅锗源极/漏极区的第二宽度。通过减少硅锗源极/漏极区的宽度，可以避免或将相邻的鳍之间的电性短路减至最低程度。此外，此方法可包含在硅锗源极/漏极区上方成长外延的盖层。
横向蚀刻外延方法

[实用新型]一种电池极耳与极片的连接结构-CN202222430195.6有效
发明人：常海涛;瞿艳;陈娟 -专利权人：福建南平南孚电池有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01M50/536 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电池极耳与极片的连接结构，电池极耳包括极耳本体，极耳本体的末端为极耳焊接区，极片上设置有浆料涂覆区和空箔区，极耳焊接区焊接于空箔区上，极耳焊接区上粘贴有极耳胶，极耳胶覆盖所述空箔区，极耳胶的一端向浆料涂覆区与空箔区的相接处延伸形成覆盖浆料涂覆区与空箔区的相接处第一延伸部，极耳胶另一端向极耳本体与空箔区的相接处延伸形成覆盖极耳本体与空箔区的相接处的第二延伸部。该连接结构可防止电池经过充放电膨胀时极片厚度变化过程中产生的应力造成的极片断裂，同时可保护极耳焊接区防止焊点处毛刺刺穿隔膜造成短路，且极耳胶覆盖极片附近的电池极耳区域在电池极耳弯折后可起绝缘作用防止内部短路
一种电池连接结构

[实用新型]辊压装置及锂电池生产线-CN202222367526.6有效
发明人：胡虞根 -专利权人：欣旺达电动汽车电池有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01M4/139 文献下载
摘要：本申请公开了一种辊压装置及锂电池生产线，辊压装置用于辊压极片，极片包括沿其宽度方向设置并相连的涂膜区和极耳区，涂膜区沿其厚度方向凸出于极耳区，本申请的辊压装置包括：机架、拉伸辊、凸环、压轮。拉伸辊可转动的架设于机架；凸环凸设于拉伸辊的外周面，压轮可转动地连接于机架，压轮与凸环相对设置，并与凸环之间形成用于通过极片的极耳区的间隙。在极片通过压轮与凸环之间的间隙的过程中，极耳区搭载于凸环上，并被凸环与压轮辊压，由于凸环突出于拉伸辊设置，凸环能够抬高极耳区，使得极耳区高于涂膜区，凸环配合压轮辊压极耳区的过程中，极耳区的线速度大于涂膜区的线速度，使得极耳区能够得到拉伸延展。
装置锂电池生产线

[发明专利]具有不同的局部单元几何形状的半导体切换器件-CN201510343497.1有效
发明人： C.法赫曼;E.贝西诺巴斯克斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体器件包括半导体衬底，其具有外轮缘、限定有源区域的多个可切换单元以及布置在限定有源区域的可切换单元和外轮缘之间的边缘终止区。可切换单元中的每一个包括主体区、栅电极结构和源极区。源极金属化与可切换单元的源极区欧姆接触。栅极金属化与可切换单元的栅电极结构欧姆接触。由可切换单元限定的有源区域包括具有与第二可切换区的栅极‑漏极比电容不同的栅极‑漏极比电容的至少第一可切换区。
具有不同局部单元几何形状半导体切换器件

[发明专利]晶体管及形成应变沟道元件的方法-CN200510085273.1有效
发明人：黄怡君;王焱平;柯志欣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-07-22 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一由第二材料所组成的源极区是形成在基底的第一凹陷中，且一由第二材料所组成的漏极区是形成在基底的第二凹陷中。一由第一材料形成的应变沟道区是位于源极区和漏极区之间。一形成在应变沟道区上的堆叠栅极包括一位于一栅极介电层上的栅电极。一沿着栅电极侧壁的栅极间隙壁位于源极区和漏极区的至少的部分区域上。一盖层可形成于第二材料上，且源极区和漏极区可硅化。特别是，可避免或是减少栅极结构的损坏。
晶体管形成应变沟道元件方法

[发明专利]一种红外定位电芯极耳焊接工装-CN201711236385.1在审
发明人：孙磊;安富强 -专利权人：山西长征动力科技有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外定位电芯极耳焊接工装，包括可动定位托板和极耳限位块，可动定位托板中部形成有电芯放置区，可动定位托板两端形成有焊接翻折区，焊接翻折区表面设置有红外感应区，红外感应区上设置有红外感应器；电芯放置区表面通过电芯下压传动装置可伸缩连接电芯下压板；极耳限位块中部设置有胶块限位凹槽，极耳限位块一端设置有外极耳限位凹槽，极耳限位块上设置有极耳限位块升降传动装置。本发明的有益效果提高电芯焊接极耳的一致性和生产良率，促进生产效率提升。
一种红外定位电芯极耳焊接工装

[实用新型]一种红外定位电芯极耳焊接工装-CN201721638642.X有效
发明人：孙磊;安富强 -专利权人：山西长征动力科技有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种红外定位电芯极耳焊接工装，包括可动定位托板和极耳限位块，可动定位托板中部形成有电芯放置区，可动定位托板两端形成有焊接翻折区，焊接翻折区表面设置有红外感应区，红外感应区上设置有红外感应器；电芯放置区表面通过电芯下压传动装置可伸缩连接电芯下压板；极耳限位块中部设置有胶块限位凹槽，极耳限位块一端设置有外极耳限位凹槽，极耳限位块上设置有极耳限位块升降传动装置。本实用新型的有益效果：提高电芯焊接极耳的一致性和生产良率，促进生产效率提升。
极耳限位块电芯定位托板可动焊接本实用新型电芯极耳焊接工装红外定位红外感应限位凹槽翻折区放置区升降传动装置红外感应器可伸缩连接表面设置传动装置生产效率一端设置下压板胶块良率外极下压生产

[发明专利]可降低电阻的双向无引脚半导体封装结构-CN200680020003.5有效
发明人：孙明;张晓天;刘凯 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2006-06-12 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明提供一种可降低电阻的双向无引脚半导体封装结构，包括导线架、芯片及封装胶体，其中导线架具有一个与漏极引脚整合的芯片焊垫、一个源极引脚焊区及一个门极引脚焊区，且源极引脚焊区与门极引脚焊区的面积加大；芯片与芯片焊垫相连接，其源极焊区与源极引脚焊相连接，门极焊区与门极引脚焊区连接；而封装胶体至少部分包覆芯片、漏极引脚、门极引脚焊区及源极引脚焊区。
降低电阻双向引脚半导体封装结构

[发明专利]低温的掺杂后活化工艺-CN02821165.0有效
发明人： B·于;R·B·奥格莱;E·N·佩顿;C·E·塔贝里;奇·相 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2002-10-11 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：Effect Transistor)半导体装置的制造方法，该制造方法包括：在基板(10)之上形成栅极电极(24)，以及于该栅极电极(24)和该基板(10)之间形成栅极氧化物(16)；在该基板(10)上形成源极/漏极延伸区(30、32)；形成第一和第二侧墙间隔区(Side Wall Spacers)(36、38)；在该基板(10)之内植入掺杂物(Dopant)(44)，以在邻近该侧墙间隔区(36、38)的该基板(10)上，形成源极/漏极区(40、42)；施行激光热退火以活化该源极/漏极区(40、42)；在该源极/漏极区(40、42)之上沉积一镍层(46)；施行退火以形成配置于该源极/漏极区(40、42)上的硅化镍层该源极/漏极延伸区(30、32)和该侧墙间隔区(36、38)是邻接栅极电极(24)。该源极/漏极延伸区(30、32)可具有5到30纳米的深度，而该源极/漏极区(40、42)可具有40到100纳米的深度。该退火处理的温度是在350到500℃之间。
低温掺杂活化工艺

[发明专利]线状元件-CN200480023536.X无效
发明人：笠间泰彦;表研次 -专利权人：理想星株式会社
申请日： 2004-08-19 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：线状MISFET的特征是具有柔软性与可挠性、并可形成任意形状的集成电路，常见的构造为源极区与漏极区并列配置的结构。然而，因为决定MISFET的电性通道长度由沿着圆柱形栅极绝缘区的源极区与栅极区间的距离来决定，故难以提高通道长度的细微化与再现性。因此，本发明提供一种在源极区与漏极区间设置由通道区组成的半导体区，形成MISFET结构。间隔着栅极绝缘区对半导体区施加控制电压，控制在源极区与漏极区间流动的电流。由于此通道长度决定于半导体区的膜厚，因此可提高通道长度的细微化与再现性。
线状元件

[实用新型]对称高压MOS器件-CN201120319214.7有效
发明人：胡林辉;吴健;曾金川;黄海涛 -专利权人：上海新进半导体制造有限公司
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种对称高压MOS器件，该对称高压MOS器件包括：栅极；位于栅极下方两侧成对称结构的源极和漏极；位于所述源极和漏极周围，分别环绕所述源极和漏极的源极漂移区和漏极漂移区；位于栅极下方、隔离所述源极漂移区和漏极漂移区的沟道区，且所述沟道区延伸至所述源极漂移区和漏极漂移区的外围。本实用新型所提供的对称高压MOS器件，使沟道区延伸至源极漂移区和漏极漂移区的外围，因此，所述沟道区可将所述源极漂移区和漏极漂移区完全隔离开，从而可减小源极漂移区和漏极漂移区之间的距离，进而减小了沟道区的长度
对称高压 mos 器件

[发明专利]显示装置-CN201910853657.5在审
发明人：全明河;李奇昶 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：根据本公开的显示装置包括:可挠性基板，第一区域、第二区域及弯折区域；第一绝缘层，在可挠性基板的上面上，配置于弯折区域；第一源极/漏极图案，包括在可挠性基板的上面上配置于第一区域的源电极及漏电极；以及，配置于弯折区域的第一绝缘层上的信号布线；第二绝缘层，配置于第一源极/漏极图案上；第二源极/漏极图案，配置于第二绝缘层上，第二源极/漏极图案包括配置于第一区域的接触焊盘及对应弯折区域整体而配置的保护图案；第一图案薄膜，在可挠性基板的下面上，配置于第一区域；第二图案薄膜，在可挠性基板的下面上，配置于第二区域，并与第一图案薄膜间隔开；及，树脂层，在弯折区域，配置于第二源极/漏极图案上。
显示装置

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