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[发明专利]确定用于重叠特征标识的标记结构的方法-CN202180078817.9在审
发明人：张怀辰;C·E·塔贝里 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本文中描述了用于产生量测标记结构的设备和方法，所述量测标记结构可以被形成在芯片上从而通过基于图案分布确定所述量测标记结构的特征来测量由对所述芯片执行的一个或更多个过程所引起的重叠特性。所述方法涉及获得第一函数以表征由对衬底执行的过程所引起的重叠特征标识。基于所述第一函数，导出图案分布，所述图案分布指示所述衬底的一部分内的特征的数目(例如，指示密度)。基于所述图案分布，确定所述量测标记结构的所述特征的物理特性(例如，形状、大小等)。
确定用于重叠特征标识标记结构方法

[发明专利]用于脉冲电压对比度检测和充电动态捕获的系统和方法-CN202180063832.6在审
发明人： B·H·高利;B·拉方丹;蒋军;S·B·汉森;金井建一;J·F·M·范伦斯;C·E·塔贝里;祃龙;O·D·帕特森;张剑;任志榆;王義向 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：公开了使用带电粒子束装置以电压对比模式来观察样本的系统和方法。带电粒子束装置包括：带电粒子源；光源；被配置为检测带电粒子的带电粒子检测器；以及具有电路系统的控制器，其被配置为施加第一信号以使得光源生成光脉冲，将第二信号施加到带电粒子检测器以检测第二多个带电粒子，以及调整第一信号和第二信号之间的时间延迟。在一些实施例中，具有电路系统的控制器还可以被配置为获取结构的多个图像；基于结构的多个图像的灰度级变化率来确定结构的电特性；以及基于所确定的电特性，使用模型来模拟结构的物理特性。
用于脉冲电压对比度检测充电动态捕获系统方法

[发明专利]用于分类半导体晶片的方法-CN202180060360.9在审
发明人： D·格科鲁;V·巴斯塔尼;R·沙雷伊恩;C·E·塔贝里 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：披露了用于分类半导体晶片的方法和设备。所述方法包括：使用模型基于与半导体晶片集合的一个或更多个参数相对应的参数数据将所述半导体晶片集合分类成多个子集，其中子集中的半导体晶片的参数数据包括一个或更多个共同特性；基于一个或更多个半导体晶片被正确地分配至子集的概率来识别所述子集内的所述一个或更多个半导体晶片；将所识别的所述一个或更多个半导体晶片的参数数据与参考参数数据进行比较；和基于所述比较重新配置所述模型。所述比较由人进行以提供针对所述模型的约束。所述设备被配置成进行所述方法。
用于分类半导体晶片方法

[发明专利]半导体制造厂中的污染的标识方法和装置-CN202180055250.3在审
发明人： T·P·科利根;P·斯马尔;C·E·塔贝里;T·多斯·桑托斯·古泽拉;V·巴斯塔尼 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：公开了标识半导体制造厂中的污染的方法和相关装置。该方法包括：确定被夹紧到晶片台上的多个半导体晶片在半导体制造厂中被处理之后的污染图数据。至少部分基于多个半导体晶片的污染图数据的组合来确定经组合的污染图数据。经组合的污染图数据与参考数据组合。参考数据包括针对经组合的污染图数据的、指示半导体制造厂中的一个或多个工具中的污染的一个或多个值。
半导体制造厂中的污染标识方法装置

[发明专利]用于预测器件制造工艺的良率的方法-CN202210869852.9在审
发明人： A·雅玛;C·E·塔贝里;S·H·C·范戈尔普;林晨希;D·索恩塔格;H·E·切克利;R·阿尔瓦雷斯·桑切斯;刘士嵚;S·P·S·哈斯廷斯;B·门奇特奇科夫;C·T·德鲁伊特尔;P·滕伯格;M·J·勒塞尔;段薇;P-Y·J·Y·吉特 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开涉及用于预测器件制造工艺的良率的方法。一种用于预测经受工艺的衬底的电特性的方法和相关联的计算机程序。该方法包括：基于电计量数据和包括至少一个参数的测量的工艺计量数据的分析，确定电特性对工艺特性的灵敏度，电计量数据包括从先前处理的衬底测量的电特性，至少一个参数与从先前处理的衬底测量的工艺特性相关；获取与衬底相关的描述至少一个参数的工艺计量数据；以及基于灵敏度和工艺计量数据，预测衬底的电特性。
用于预测器件制造工艺方法

[发明专利]用于预测器件制造工艺的良率的方法-CN201880029609.8有效
发明人： A·雅玛;C·E·塔贝里;S·H·C·范戈尔普;林晨希;D·索恩塔格;H·E·切克利;R·阿尔瓦雷斯·桑切斯;刘士嵚;S·P·S·哈斯廷斯;B·门奇特奇科夫;C·T·德鲁伊特尔;P·滕伯格;M·J·勒塞尔;段薇;P-Y·J·Y·吉特 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于预测经受工艺的衬底的电特性的方法和相关联的计算机程序。该方法包括：基于电计量数据和包括至少一个参数的测量的工艺计量数据的分析，确定电特性对工艺特性的灵敏度，电计量数据包括从先前处理的衬底测量的电特性，至少一个参数与从先前处理的衬底测量的工艺特性相关；获取与衬底相关的描述至少一个参数的工艺计量数据；以及基于灵敏度和工艺计量数据，预测衬底的电特性。
用于预测器件制造工艺方法

[发明专利]用于控制制造过程的方法和相关设备-CN201980083961.4在审
发明人： N·P·M·布兰吉斯;M·考克斯;B·门奇奇科夫;C·E·塔贝里;张幼平;邹毅;林晨希;程亚娜;西蒙·飞利浦·斯宾塞·哈斯廷斯;M·P·F·格宁 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了一种用于确定与半导体制造过程的性能度量相关的校正的方法，该方法包括：获得第一组预处理量测数据；通过将预处理量测数据分解成一个或多个分量来处理第一组预处理量测数据，该一个或多个分量：a)与性能度量相关；或者b)能够至少部分地通过作为半导体制造过程的一部分的控制过程进行校正；以及将经训练的模型应用于经处理的第一组预处理量测数据以确定对上述半导体制造过程的校正。
用于控制制造过程方法相关设备

[发明专利]制造器件的方法-CN201980079479.3在审
发明人： A·史拉奇特;W·T·特尔;D·M·斯劳特布姆;V·Y·蒂莫斯科夫;K·W·C·A·范德斯特拉顿;B·门奇奇科夫;西蒙·飞利浦·斯宾塞·哈斯廷斯;C·E·塔贝里;M·P·F·格宁;张幼平;邹毅;林晨希;程亚娜 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于分析过程的方法，该方法包括：获得表示多个过程参数的值的期望分布的多维概率密度函数；获得将过程参数的值与过程的性能度量相关的性能函数；以及使用性能函数将概率密度函数映射到以过程参数作为自变量的性能概率函数。
制造器件方法

[发明专利]用于确定影响半导体制造过程中的产率的根本原因的方法-CN201980079801.2在审
发明人：林晨希;C·E·塔贝里;H·E·采克利;西蒙·飞利浦·斯宾塞·哈斯廷斯;B·门奇奇科夫;邹毅;程亚娜;M·P·F·格宁;陈子超;D·哈诺坦耶;张幼平 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：描述了一种用于确定影响在衬底上制造器件的过程中的产率的根本原因的方法，该方法包括：获得产率分布数据，产率分布数据包括产率参数在整个衬底或其一部分上的分布；获得量测数据的集合，每个集合包括在整个衬底或其一部分上与衬底的不同层相对应的过程参数的空间变化；基于相似度度量来比较产率分布数据和量测数据，相似度度量描述产率分布数据与量测数据的集合中的单独集合之间的空间相似度；从测量数据组中确定量测数据的第一相似集合，就对应层的处理顺序而言，量测数据的第一相似集合是量测数据的第一集合，量测数据的第一相似集合被确定为与产率分布数据相似。
用于确定影响半导体制造过程中的根本原因方法

[发明专利]用于预测半导体制造过程的产率的方法-CN201980077324.6在审
发明人：张幼平;B·门奇奇科夫;C·E·塔贝里;邹毅;林晨希;程亚娜;西蒙·飞利浦·斯宾塞·哈斯廷斯;M·格宁 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：描述了一种用于预测与在衬底上制造半导体器件的过程有关的产率的方法，该方法包括：获得将模型化参数转换为产率参数的经训练第一模型，上述模型化参数包括：a)与以下中的一项或多项相关联的几何参数：通过该过程制造的器件元件的几何特性、尺寸或位置，以及b)经训练自由参数；获得包括表征该过程的过程参数的过程参数数据；将过程参数数据转换为几何参数的值；以及使用经训练第一模型和几何参数的值来预测产率参数。
用于预测半导体制造过程方法

[发明专利]电压对比量测标记-CN201880079555.6在审
发明人： C·E·塔贝里;S·H·C·范戈尔普;S·P·S·哈斯廷斯;B·彼得森 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了一种测量标记。根据某些实施例，该测量标记包括显影在衬底上的第一层中的第一测试结构集合，第一测试结构集合中的每个第一测试结构包括由第一导电材料制成的多个第一特征。该测量标记还包括显影在邻近第一层的第二层中的第二测试结构集合，第二测试结构集合中的每个第二测试结构包括由第二导电材料制成的多个第二特征。测量标记被配置为：当使用电压对比成像方法而被成像时，指示第一测试结构集合与第二测试结构集合中的相关联的第二测试结构之间的连接性。
电压比量标记

[发明专利]制造接触孔的系统及方法-CN200580012792.3无效
发明人： A·M·明维列;C·E·塔贝里;H－E·金;J·季 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2005-03-07 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种在集成电路器件(10)的接触层(56)中形成多个接触孔(20、24)的方法，其中该多个接触孔(20、24)包含具有沿着第一方向以第一节距规则间置的多个接触孔(20)及具有沿着第二方向以第二节距间置的多个局部隔离的接触孔(24)。双偶极照射源(42、44)可以透过具有对应于所需的接触孔图案之图案的掩膜(48)而传送光线能量。该双偶极照射源(42、44)可以包含第一偶极光圈(60)及第二偶极光圈(62)，该第一偶极光圈(60)被定向并被优化用于图案化该规则间置的接触孔(20)，以及第二偶极光圈(62)，该第二偶极光圈(62)被定向实质上正交于该第一偶极光圈(60)并被优化用于图案化该多个局部隔离的接触孔(24)。该接触层(56)可以使用该图案化的光刻胶层(58)而蚀刻。
制造接触系统方法

[发明专利]自动对准镶嵌栅极-CN200480033715.1有效
发明人： C·E·塔贝里;S·S·艾哈迈德;M·S·拜诺斯基;S·达克希纳－墨菲;Z·克里沃卡皮奇;汪海宏;C－Y·杨;俞斌 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-10-08 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种用于形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(200)的方法包含形成鳍区域、源极区域及漏极区域于衬底上、形成鳍(310)于该鳍区域内及形成掩模(320)于该鳍区域内。该方法更包含蚀刻该掩模(320)以暴露出该金属氧化物半导体场效应晶体管(200)的沟道区域(330)、蚀刻该鳍(310)以薄化在该沟道区域(330)内的该鳍(310)的宽度、形成栅极于该鳍(310)的上方及形成接触至该栅极、该源极区域及该漏极区域。
自动对准镶嵌栅极

[发明专利]磨平栅极材料以改善半导体装置中的栅极特征尺寸的方法-CN200380102760.3有效
发明人： S·S·艾哈迈德;C·E·塔贝里;H·王;B·俞 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-10-14 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体装置(100)的方法，包括在绝缘层(120)上形成鳍式结构(210)。该鳍式结构(210)可包括侧表面以及上表面。该方法还可包括在该鳍式结构(210)上沉积栅极材料层(320)以及平坦化该已沉积的栅极材料层(320)。可在该已平坦化的栅极材料层(320)上沉积抗反射涂层(520)，并且通过该抗反射涂层(520)从该已平坦化的栅极材料层(320)形成栅极结构(510)。
磨平栅极材料改善半导体装置中的特征尺寸方法

[发明专利]双栅极及三栅极金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法-CN200380101958.X有效
发明人： M·R·林;J·X·安;Z·克里沃卡皮克;C·E·塔贝里;H·王;B·俞 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-10-14 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)包括鳍部(220)、第一栅极(240)和第二栅极(420)。该第一栅极(240)形成于鳍部(220)的上端，第二栅极(420)则围绕该鳍部(220)和第一栅极(240)。在另一实施例中，一三栅极MOSFET包括鳍部(220)、第一栅极(710)、第二栅极(720)和第三栅极(730)，该第一栅极(710)形成于鳍部(220)的上端，第二栅极(720)紧邻着鳍部(220)形成，第三栅极(730)紧邻着鳍部(220)并相对于第二栅极而形成(720)。
栅极金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法

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