专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]制造单晶的方法-CN201080019023.7有效
  • 西口太郎;佐佐木信;原田真 - 住友电气工业株式会社
  • 2010-11-12 - 2012-04-11 - C30B23/08
  • 本发明提供一种制造单晶的方法,所述方法包括:准备具有前表面和表面的种(11);提高所述种(11)的所述表面的表面粗糙度;在所述种(11)的所述表面上形成含碳的涂膜;在所述涂膜与支持台(41)之间具有胶粘剂的情况下使所述涂膜与支持台(41)相互接触;将所述胶粘剂固化以将所述种(11)固定到所述支持台(41)上;在所述种(11)上生长单晶(52);其中在实施所述生长之前,通过对所述涂膜进行碳化来形成碳膜
  • 制造方法
  • [发明专利]圆自制封结构的制造方法-CN202011319117.8有效
  • 闫玉琴;王柯;程刘锁;白旭东;范晓;王函 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2020-11-23 - 2022-10-28 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种圆自制封结构的制造方法,包括如下步骤:步骤S1,在圆的背面生长第一薄膜层;步骤S2,将所述圆旋转一角度,使旋转后的所述圆和舟的接触处与旋转前的所述圆和舟的接触处不重合;步骤S3,在所述圆的背面生长第二薄膜层,所述第一薄膜层和所述第二薄膜层组成封结构。本发明从减少应力集中的角度出发,将现有技术中一步生长封结构的方式改进为分步生长的方式,并且在第一次生长之后将圆进行旋转,从而使得两次生长中圆和舟的接触处(即舟支撑脚在圆上的位置)不同,这样可以减小支撑脚处所受的应力强度
  • 自制结构制造方法
  • [实用新型]一种非硅太阳能电池-CN201120062946.2无效
  • 戴国清 - 莆田市威特电子有限公司
  • 2011-03-07 - 2011-10-12 - H01L31/042
  • 本实用新型涉及一种非硅太阳能电池,其包括基底层、电极层以及设在基底层和电极层之间的非硅层,所述非硅层包括依次排列的若干非硅片,在相邻两非硅片之间设有一绝缘线。本实用新型的非硅太阳能电池通过在相邻两非硅片之间设置绝缘线,从而能有效避免相邻两非硅片短路,从而使该非硅太阳能电池的质量好,使用寿命长。
  • 一种非晶硅太阳能电池
  • [实用新型]一种非硅太阳能电池-CN201620977360.1有效
  • 邵明;佘金荣;戴国清 - 莆田市威特电子有限公司
  • 2016-08-29 - 2017-04-05 - H01L31/048
  • 本实用新型公开了一种非硅太阳能电池,包括基底层、电极层以及设置于基底层与电极层之间的非硅层,其特征在于所述基底层、电极层和非硅层均置于防水外壳内,所述防水外壳包括壳体和顶盖,顶盖为透明玻璃,且透明玻璃通过密封胶粘接在壳体上,所述非硅层左右两端分别连接正接线盒和负接线盒,在非硅层上包覆透明树脂套。所述非硅层包括依次排列的若干非硅片,且相邻非硅片之间设有绝缘线。所述非硅片并联设置。本实用新型不仅抗震性能和防水性能优秀,而且非硅片采用并联设置,达到了降低整块电池电压的目的,能够适用市场上逆变器及汇流设备的需求,从而降低了太阳能电站的安装成本。
  • 一种非晶硅太阳能电池
  • [发明专利]照式图像传感器及其制作方法-CN202010833548.X有效
  • 何洪波;王剑 - 上海华力微电子有限公司
  • 2020-08-18 - 2022-10-25 - H01L27/146
  • 本发明提供一种照式图像传感器及其制作方法。所述制作方法包括:提供包括载体圆和器件圆的键合圆,其中,器件圆的正面与载体圆贴合,器件圆中形成有基准标记结构;在器件圆的背面形成接地层并在接地层中形成开口,所述开口位于基准标记结构的正上方,在后续的光刻工艺中,透过所述开口,可辨识所述基准标记结构,从而后续在接地层上形成的图形化的功能层可以基准标记结构为对准基准,可以提高功能层与器件圆内的图形的对准精度,提高背照式图像传感器的性能。本发明还提供一种利用上述照式图像传感器的制作方法制作得到的照式图像传感器。
  • 背照式图像传感器及其制作方法
  • [实用新型]一种外联非硅光电池-CN98215018.0无效
  • 周庆明 - 周庆明
  • 1998-05-28 - 1999-07-21 - H01L31/04
  • 一种外联非硅光电池,由玻璃基底、透明电极、非硅层、碳膜电极构成。透明电极由ITO或二氧化锡透明导电膜制成,碳膜电极由胶质碳浆制成,每个单元电池的透明电极和碳膜电极的图形由大、小圆角矩形及“L”图形组合而成,“L”图形的长边及小圆角矩形区为电极连接区,两电极间的非硅层在连接区有直线沟道以实现透明电极与碳膜电极的接触本实用新型外联非硅光电池具有制造简单、成本低、电极接触牢固、电性能稳定的优点。
  • 一种外联非晶硅光电池

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