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[发明专利]一种新型微晶-晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法-CN202111490927.4在审
发明人：白焱辉;杨立友;王继磊;黄金;鲍少娟;师海峰;杨文亮;冀杨洲;高英杰;潘国鑫;贾慧君 -专利权人：晋能清洁能源科技股份公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供一种新型微晶‑晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法，包括硅衬底，所述硅衬底的一面依次叠加设置正面本征非晶硅层、正面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层、正面TCO层，所述硅衬底的另一面依次叠加设置背面本征非晶硅层、背面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层、背面TCO层，在所述正面本征非晶硅层和所述正面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层之间设置正面本征微晶硅/纳米晶硅层，和/或在所述背面本征非晶硅层和所述背面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层之间设置背面本征微晶硅/纳米晶硅层。
一种新型晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法

[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法-CN201210011805.7无效
发明人：李佳霖;毕建中 -专利权人：联相光电股份有限公司
申请日： 2012-01-04 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：半导体层包含P型晶硅层、第一I型晶硅层、第一N型晶硅层、第二I型晶硅层以及第二N型晶硅层。P型晶硅层是位于基板上；第一I型晶硅层是位于P型晶硅层上；第一N型晶硅层是位于第一I型晶硅层上；第二I型晶硅层是位于第一N型晶硅层上；以及第二N型晶硅层是位于第二I型晶硅层上。其中，通过在半导体层内增设第二I型晶硅层及第二N型晶硅层，以提升薄膜太阳能电池的光电转换效率。
薄膜太阳能电池及其制造方法

[发明专利]制造多晶硅层的方法-CN200410058928.1有效
发明人：陈亦伟;张志雄;许宗义 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2004-07-21 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种制造多晶硅层的方法，包括：首先，提供一基板，并形成一绝缘层于基板上。接着，形成一非晶硅层于绝缘层上，非晶硅层具有一非晶硅厚区及一非晶硅薄区。然后，将非晶硅层完全熔融为一第一熔融态非晶硅区及一第二熔融态非晶硅区。第一熔融态非晶硅区的底部中央对应于非晶硅厚区的底部中央，第二熔融态非晶硅区的底部中央对应于非晶硅薄区的底部中央，第一熔融态非晶硅区的温度低于第二熔融态非晶硅区的温度。接着，由第一熔融态非晶硅区往第二熔融态非晶硅区结晶，以形成多晶硅层。
制造多晶方法

[发明专利]硅晶铸锭的制法以及硅晶铸锭-CN201110336713.1有效
发明人：蓝文杰;刘泳呈;余文怀;许松林;徐文庆;蓝崇文 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅晶铸锭的制法以及硅晶铸锭，是利用一硅晶种层并基于一方向性凝固制程，来制造硅晶铸锭，其中，所述硅晶种层硅是由多个主要单晶硅晶种以及多个次要单晶硅晶种所构成，每一主要单晶硅晶种具有非[100]的第一晶向，每一个次要单晶硅晶种具有非所述第一晶向的一第二晶向，每一主要单晶硅晶种紧邻至少一个次要单晶硅晶种并与其他主要单晶硅晶种隔开，本发明无须将两相邻单晶硅晶种的边界接合，也能抑制两相邻单晶硅晶种的边界在硅晶铸锭制造过程中发展成有害缺陷，且制得的硅晶铸锭整体有较佳的晶体质量，后续制成的太阳能电池的光电转换效率也较高。
铸锭制法以及

[发明专利]一种多晶硅棒自动切割清洗装置-CN202010277371.X在审
发明人：陈德榜;严泽君 -专利权人：温州海旭科技有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅生产设备领域，特别涉及一种多晶硅棒自动切割清洗装置。包括有晶硅棒自动进料机构、与晶硅棒自动进料构连接的晶硅棒切割机构、设于晶硅棒自动进料机构与晶硅棒切割机构之间的晶硅棒夹持机构、设于晶硅棒切割机构下方的晶硅棒自动清洗机构及与晶硅棒自动清洗机构连接的晶硅棒烘干机构，所述的晶硅棒烘干机构与晶硅棒自动清洗机构连接的另一端处设有晶硅棒接料台。本发明的目的在于提供了一种能够节省人工成本，提高生产效率的多晶硅棒自动切割清洗装置。
一种多晶自动切割清洗装置

[实用新型]一种多晶硅棒的自动切割清洗装置-CN202020526989.0有效
发明人：陈德榜;严泽君 -专利权人：温州海旭科技有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及多晶硅生产设备领域，特别涉及一种多晶硅棒的自动切割清洗装置。包括有晶硅棒自动进料机构、与晶硅棒自动进料构连接的晶硅棒切割机构、设于晶硅棒自动进料机构与晶硅棒切割机构之间的晶硅棒夹持机构、设于晶硅棒切割机构下方的晶硅棒自动清洗机构及与晶硅棒自动清洗机构连接的晶硅棒烘干机构，所述的晶硅棒烘干机构与晶硅棒自动清洗机构连接的另一端处设有晶硅棒接料台。本实用新型的目的在于提供了一种能够节省人工成本，提高生产效率的多晶硅棒的自动切割清洗装置。
一种多晶自动切割清洗装置

[发明专利]柔性衬底硅基薄膜太阳电池-CN200810052621.9有效
发明人：张晓丹;赵颖;魏长春;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-04-07 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性衬底硅基薄膜太阳电池，包括衬底S为不透明和透明柔性材料，且太阳电池的结构为P型硅基薄膜/I型硅基薄膜/N型硅基薄膜，所述P型硅基薄膜、I型硅基薄膜和N型硅基薄膜皆采用微晶硅基或纳米硅基薄膜，其中，P型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧、非晶硅、非晶硅碳或非晶硅氧，I型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅锗或纳米硅、纳米硅锗，N型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧。本发明利用微晶硅基或纳米硅基薄膜材料电子和空穴迁移率具有相同数量级的特性，将目前应用于玻璃衬底上比较成熟的P/I/N电池技术合理转移到柔性衬底上，较容易实现工艺的转移。
柔性衬底薄膜太阳电池

[发明专利]一种硅晶圆的加工方法、控制装置及外延反应设备-CN201811612257.7有效
发明人：王力;金柱炫 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种硅晶圆的加工方法、控制装置及外延反应设备，该方法包括：在硅晶圆完成外延沉积后，调整硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，印记为装载硅晶圆时支撑杆与硅晶圆接触形成的；通过支撑杆将硅晶圆从基座中抬升至指定位置本发明实施例中，在硅晶圆完成外延沉积后，先调整硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，然后控制支撑杆将硅晶圆从基座中抬升至指定位置，使支撑杆在装载硅晶圆与卸载硅晶圆时与硅晶圆接触的位置尽量一致，从而减少硅晶圆背面印记的面积，提高硅晶圆的质量。
一种硅晶圆加工方法控制装置外延反应设备

[发明专利]一种硅晶圆制造方法及制造装置-CN201910842845.8在审
发明人：王振国 -专利权人：大同新成新材料股份有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明硅晶圆制造方法及制造装置，首先通过外延沉积法在硅晶圆的正面上制备薄膜，通过第一加热器以大于1200℃小于硅熔点的温度加热硅晶圆的上表面，通过第二加热器以大于1000℃小于1200℃的温度加热硅晶圆的上表面，对加热后的硅晶圆进行降温，得到预制硅晶圆；利用双面研磨装置研磨预制硅晶圆的正面、背面以及倒角面，得到第二预制硅晶圆；将第二预制硅晶圆放入液体中进行加热，将第二预制硅晶圆从板状构件剥离，得到硅晶圆。本发明硅晶圆制造方法对硅晶圆表面进行退火处理，使得硅晶圆表面慢慢释放应力，缓慢冷却得到接近平衡状态的稳定组织，从而减少硅晶圆表面的缺陷，减少表面缺陷对晶圆表面的电子元件功能的不良影响。
硅晶圆预制加热硅晶圆表面上表面双面研磨装置第一加热器加热器表面缺陷缓慢冷却晶圆表面平衡状态退火处理外延沉积稳定组织制造装置研磨倒角面硅熔点状构件薄膜从板放入制备背面制造剥离释放

[发明专利]柔性非晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法-CN200910198262.2无效
发明人：彭祥军;杨英颖;刘远祥;程琳 -专利权人：彭祥军;杨英颖
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶硅薄膜柔性光伏电池，由如下膜层依次排列组成：不锈钢箔-铝-氧化锌铝膜-非晶硅或微晶硅n1层-非晶硅或微晶硅i1层-非晶硅或微晶硅p1层-非晶硅b1层-非晶硅n2层-非晶硅i2层-非晶硅同时提供了一种上述柔性光伏电池的制备方法，依次包括如下步骤：不锈钢箔抛光清洗；PVD真空镀铝膜；PVD真空镀氧化锌铝膜；PECVD真空镀非晶硅膜或非晶硅-微晶硅膜系；PVD真空镀氧化铟锡膜；PVD镀银浆栅线本发明采用双结非晶硅-非晶硅或非晶硅-微晶硅电池结构，可大大提高良品率，耗能与耗材都非常少，可大幅度降低制造成本。
柔性非晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法及其应用-CN202310330648.4在审
发明人：高磊;张衡;屈庆源;王青松;吴海红 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司;苏州迈正科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明提供了一种微晶硅薄膜沉积工艺的研究方法，采用微晶硅薄膜晶化率测试样品作为拉曼基底进行拉曼光谱测试，所述微晶硅薄膜晶化率测试样品按照待研究的微晶工艺条件沉积在测试基底上的。所述微晶硅薄膜晶化率测试样品包括衬底和层叠于衬底上的本征氢化非晶硅膜。区别于传统衬底，本发明微晶硅薄膜晶化率测试基底具有本征氢化非晶硅膜，能够有效解决传统衬底影响微晶硅薄膜生长或诱导微晶硅薄膜结晶的缺点。从而本发明微晶硅薄膜晶化率测试样品能够准确地测定微晶硅薄膜的晶化率，进而监控微晶太阳电池硅薄膜的晶化率，为工艺调试中提供数据支撑，从而制备出高光电转化效率的太阳能电池。
微晶硅薄膜沉积工艺研究方法及其应用

[发明专利]一种细化过共晶铝硅合金中初晶硅的方法-CN201210272948.3有效
发明人：郭建;武晓霞;黄小婷 -专利权人：中原工学院
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：一种细化过共晶铝硅合金中初晶硅的方法，在过共晶铝硅合金熔铸时，通过TiB2颗粒相细化过共晶铝硅合金中初晶硅相。本发明是在过共晶铝硅合金熔配时，利用自生TiB2颗粒细化过共晶铝硅合金中初晶硅相，不需要高的浇铸温度可以使初晶硅相细化至50微米以下。由于TiB2颗粒在铝合金熔体中稳定性高，不与合金中的其它合金元素发生反应，具有细化效果长效性，不影响Sr元素或Na元素对合金中共晶硅的变质细化作用，可实现过共晶铝硅合金中初晶硅和共晶硅同时细化，显著提高合金性能
一种细化共晶铝硅合金中初晶硅方法

[实用新型]串联型薄膜太阳能电池组件-CN201220384053.4有效
发明人：王庆东 -专利权人：深圳蔚光能电子科技有限公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种串联型薄膜太阳能电池组件，包括基板、P型非晶硅层、I型非晶硅层、N型纳米晶硅层、穿隧层和P型纳米晶硅层，其中P型非晶硅层位于基板上方；I型非晶硅层位于P型非晶硅层上方；N型纳米晶硅层位于I型非晶硅层上方；穿隧层位于N型纳米晶硅层之上方，P型纳米晶硅层位于N型纳米晶硅层上方。其中，穿隧缓冲层与P型纳米晶硅层接合。本实用新型的太阳能电池组件有效降低了串联式薄膜太阳能电池内部的漏电效应，提高光电转换效率。
串联薄膜太阳能电池组件

[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池结构及其制备方法-CN202111429426.5在审
发明人：连维飞 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司;江苏爱康科技股份有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及的一种硅基异质结太阳能电池结构及其制备方法，它包括N型单晶硅基片，所述N型单晶硅基片的正面设有一层n+掺杂层，在n+掺杂层的表面沉积一层第一本征非晶硅/微晶硅膜，所述第一本征非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有不少于两层的n型非晶硅/微晶硅膜，最外层的n型非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有一层第一导电膜；所述N型单晶硅基片的背面设有一层第二本征非晶硅/微晶硅膜，所述第二本征非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有不少于两层的p型非晶硅/微晶硅膜，最外层的型非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有一层第二导电膜。本发明在N型单晶硅基片主表面形成一层n+掺杂层，形成高低结，对光生载流子起到一定的分离作用，减少光生载流子的复合。
一种硅基异质结太阳能电池结构及其制备方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010305046.X在审
发明人：单朝杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；以第一预设沉积温度在所述基底上形成非晶硅材料层，所述非晶硅材料层用于形成伪栅结构或核心层，所述第一预设沉积温度低于非晶硅的晶化温度；刻蚀所述非晶硅材料层，形成非晶硅层，所述非晶硅层用于作为伪栅结构或核心层。本发明通过使第一预设沉积温度低于非晶硅的晶化温度，能够降低在形成非晶硅材料层的过程中非晶硅发生晶化的概率，不易使非晶硅转化为多晶硅，相应的，后续刻蚀非晶硅材料层时，有利于提高刻蚀速率和刻蚀效果的均一性，从而减小非晶硅层的线边缘粗糙度，其中，所述非晶硅层用于作为伪栅结构或核心层，因此，提高非晶硅层的线边缘粗糙度，相应有利于提高半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

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