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[发明专利]一种高效异质结太阳能电池及其制备方法-CN201510212562.7有效
发明人：薛黎明;杨武保 -专利权人：中海阳能源集团股份有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效异质结太阳能电池及其制备方法。一种高效异质结太阳能电池，其包括晶硅层、非晶硅层、热处理硅区，所述高效异质结太阳能电池的下层为所述晶硅层，所述的高效异质结太阳能电池的上层为所述非晶硅层，在所述非晶硅层上，夹杂有热处理硅区。所述热处理硅区为薄片状，在所述非晶硅层表面投影形成的图像为平行线型、圆形、矩阵型或其他图形。本发明还公开了该高效异质结太阳能电池的制备方法。本发明的高效异质结太阳能光伏电池，消除非晶硅的衰减，消除非晶硅中光生载流子的无效复合，大幅度提高光伏效率。
一种高效异质结太阳能电池及其制备方法

[实用新型]晶体硅-非晶硅异质结太阳电池-CN200820169329.0有效
发明人：李志强;黄岳文;易月星;唐则祁;胡宏勋 -专利权人：宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司
申请日： 2008-11-29 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：一种晶体硅-非晶硅异质结太阳电池，包括第二电极(2)和设于晶体硅-非晶硅异质结太阳电池背光面(9)上的第一电极(1)，所述的第二电极(2)设于所述的晶体硅-非晶硅异质结太阳电池的背光面(9)。本实用新型晶体硅-非晶硅异质结太阳电池增加了受光面积以提高光电转换效率。
晶体非晶硅异质结太阳电池

[发明专利]硅异质结太阳能电池及其制作方法-CN202010723462.1在审
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开一种硅异质结太阳能电池以及硅异质结太阳能电池的制作方法，涉及太阳能电池技术领域，以在保证本征非晶硅层钝化效果的同时，提高本征非晶硅层的膜层质量。该硅异质结太阳能电池，包括：晶硅基底；至少形成在晶硅基底一面上的本征非晶硅叠层；本征非晶硅叠层包括层叠设置的至少三层本征非晶硅层；沿背离硅基底的方向，各层本征非晶硅层含有的氢元素含量逐渐减小。本发明提供的硅异质结太阳能电池的制作方法用于制作上述硅异质结太阳能电池。
硅异质结太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法-CN201580085420.7在审
发明人：薛黎明;杨武保;陆钧 -专利权人：中海阳能源集团股份有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法，其中背电极异质结太阳能电池包括：晶硅基片、异质结部分和背电极部分，晶硅基片的正面形成有陷光层，陷光层上沉积有增透膜，异质结部分位于晶硅基片的背部，包括本征非晶硅膜层、P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层，P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层上沉积有导电膜，背电极部分沉积于所述导电膜上，本发明将背电极异质结一体化，一方面具有异质结电池制造中工艺较为简单的优点，克服了常规异质结电池存在正面栅线的缺点
背电极异质结太阳能电池晶硅基片异质结沉积异质结电池正面栅线导电膜陷光层制备本征非晶硅膜电池制造工艺增透膜电池一体化制造

[实用新型]一种高效异质结太阳能电池-CN201520276973.8有效
发明人：薛黎明;杨武保 -专利权人：中海阳能源集团股份有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效异质结太阳能电池。一种高效异质结太阳能电池，其包括晶硅层、非晶硅层、热处理硅区，所述高效异质结太阳能电池的下层为所述晶硅层，所述的高效异质结太阳能电池的上层为所述非晶硅层，在所述非晶硅层上，夹杂有热处理硅区。所述热处理硅区为薄片状，在所述非晶硅层表面投影形成的图像为平行线型、圆形、矩阵型或其他图形。本实用新型的高效异质结太阳能光伏电池，消除非晶硅的衰减，消除非晶硅中光生载流子的无效复合，大幅度提高光伏效率。
一种高效异质结太阳能电池

[发明专利]硅异质结太阳能电池及其制作方法-CN202010718701.4有效
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开一种硅异质结太阳能电池以及硅异质结太阳能电池的制作方法，涉及太阳能电池技术领域，以利用本征非晶硅锗层抑制硅基底界面的外延生长，以利用本征非晶硅层提升硅基底界面的钝化效果。该硅异质结太阳能电池，包括：N型硅基底；形成在N型硅基底的一面上的本征非晶硅锗层；形成在本征非晶硅锗层上的第一本征非晶硅层；以及形成在第一本征非晶硅层上的P型掺杂非晶硅层。本发明提供的硅异质结太阳能电池的制作方法用于制作上述硅异质结太阳能电池。
硅异质结太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池及其制备方法-CN202010380465.X在审
发明人：陈昌明;周国平;李正平;刘超;杨杰;任栋樑;徐小娜 -专利权人：熵熠(上海)能源科技有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池，其特征在于，以n型单晶硅片为衬底，在衬底硅片的背面由内至外依次为背面本征非晶硅层、p型非晶硅发射极层、氧化铝钝化层、背面透明导电氧化物层和背面金属电极；在衬底硅片的正面由内至外依次为正面本征非晶硅层、n型非晶硅前电场层、正面透明导电氧化物层、正面金属电极；所述氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池的p‑n异质结位于电池背面，由p型非晶硅层与n型单晶硅片之间形成p‑n异质结。本发明所述异质结电池的p型非晶硅发射极层位于电池的背面，同时利用氧化铝的场效应钝化来钝化p型非晶硅发射极层，提升异质结电池的开路电压和转换效率。
一种氧化铝钝化背结硅异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]硅异质结太阳电池的光处理方法-CN201910807141.7有效
发明人：赵晓霞;王伟;田宏波;周永谋;王恩宇;宗军 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供了硅异质结太阳电池的光处理方法。硅异质结太阳电池的光处理方法包括：至少一次光照处理，所述光照处理在形成非晶硅薄膜之后进行。由此，通过光照处理，对非晶硅薄膜进行适当能量光子的注入，提高非晶硅薄膜中氢原子的迁移，有效改善非晶硅薄膜的质量和异质结的界面态密度，提高硅异质结太阳电池的开路电压和填充因子，进而提高电池效率；而且，该光处理方法无需改变电池结构，简单易操作，稳定性好，适用于硅异质结电池的规模化生产。
硅异质结太阳电池处理方法

[发明专利]切片硅异质结太阳能电池及制备方法、太阳能电池组件-CN202110417597.X在审
发明人：王文静;徐晓华;龚道仁;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及切片硅异质结太阳能电池、制备方法及太阳能电池组件。该制备方法包括：对整片硅异质结太阳能电池切割形成切片硅异质结太阳能电池主体；还包括：在切片硅异质结太阳能电池主体的被切割侧表面形成侧接触含硅薄膜，侧接触含硅薄膜的介电常数范围为1－10；其中，切片硅异质结太阳能电池主体至少包括晶硅基底、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电层。该方法在异质结太阳能电池被切割后，通过含硅薄膜对侧表面的缺陷和悬挂键进行钝化，减少硅异质结太阳能电池效率的切割损失，提高硅异质结太阳能电池效率；同时还通过含硅薄膜取代一定厚度的透明导电层，减少使用ITO
切片硅异质结太阳能电池制备方法组件

[实用新型]一种晶体硅异质结太阳电池-CN201621054544.7有效
发明人：高超;黄海宾;周浪;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：一种晶体硅异质结太阳电池，其结构从迎光面开始依次为前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、本征非晶硅钝化层、p型非晶硅重掺杂层、背电极。迎光面使用n型掺杂的TiOx与晶体硅形成异质结，而背面使用传统的非晶硅/晶体硅异质结结构。由于TiOx光学带隙较宽，从迎光面入射的太阳光几乎可以全部进入到晶体硅内部，从而避免了由于窗口层的吸收而导致的光生电流损失。另外，TiOx可良好钝化硅片表面且与硅形成良好异质结，有助于增加异质结电池的开路电压。因此，本实用新型所提出晶体硅异质结太阳电池可同时实现高的开路电压和短路电流，提高晶体硅异质结太阳电池的光电转换效率。
一种晶体硅异质结太阳电池

[实用新型]异质结电池-CN202221569212.8有效
发明人：杨文亮;鲍少娟;杨立友;王继磊;黄金;白焱辉;师海峰 -专利权人：晋能清洁能源科技股份公司;晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种异质结电池，属于太阳能电池技术领域。包括N型单晶硅片，N型单晶硅片正面依次沉积有正面本征非晶硅层、n型掺杂非晶硅薄膜、正面TCO膜层和正面金属栅线层，N型单晶硅片背面依次沉积有背面本征非晶硅层、第一微晶硅层、第一P型掺杂微晶硅层、第二微晶硅层、第二P型掺杂微晶硅层、背面TCO膜层和背面金属栅线层。本实用新型不仅可改善异质结电池的电学性能，增强导电性，提升异质结电池的转换效率，而且在一定程度上降低了异质结电池的背面电阻，在低电阻的基础上配合TCO背面低方阻工艺，可以在丝网印刷时减少背面栅线根数，降低成本，同时也增加了异质结电池背表面的受光面积，使异质结电池的双面率大幅提升。
异质结电池

[发明专利]异质结太阳电池及其制备方法-CN202210932624.1在审
发明人：尹丙伟;余波;周华明;石刚 -专利权人：通威太阳能（合肥）有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳电池及其制备方法，该异质结太阳电池包括：单晶硅衬底；本征非晶硅层，设于单晶硅衬底上；掺杂非晶硅层，设于本征非晶硅层上；透明导电膜层，设于掺杂非晶硅层上；电极，设于透明导电膜层上，电极与掺杂非晶硅层相接触。本发明的异质结太阳电池中，电极不仅与透明导电膜层相接触，还与掺杂非晶硅层相接触；在电极收集载流子的过程中，部分载流子可以在掺杂非晶硅膜层中被收集，从而减少了载流子在透明导电膜层中的传输距离，降低了横向电阻，从而提高了异质结太阳电池的光电转换效率。
异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]基于宽带隙窗口层的背结硅异质结太阳电池-CN202110022467.6有效
发明人：沈文忠;李正平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种基于宽带隙窗口层的背结硅异质结太阳电池，包括：作为基底的N型单晶硅层、依次设置于基底一侧的本征非晶硅层、宽带隙窗口层和透明导电氧化物层以及依次设置于基底另一侧的本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅发射极层和透明导电氧化物层，其中：P型掺杂非晶硅发射极层与基底之间形成PN异质结。本发明通过在背结硅异质结太阳电池的正面应用宽带隙窗口层，采用非晶氧化硅或非晶碳化硅作为宽带隙窗口层能透过更多光而减少光吸收的特性，提升背结异质结电池的短路电流，从而提升电池的转换效率的同时大幅度缩短制备时间
基于宽带窗口背结硅异质结太阳电池

[实用新型]一种异质结太阳能电池-CN202120274607.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2021-01-30 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质结太阳能电池，一种异质结太阳能电池，包括硅片，镀附于所述硅片一面的本征非晶硅薄膜层、N型非晶硅/微晶硅薄膜层、透明导电层，镀附于所述硅片另一面的本征非晶硅薄膜层、P型非晶硅/微晶硅薄膜层上述异质结太阳能电池，能够提高电池填充因子，同时制作方法简单，对现有异质结电池的制程干扰有限，简便易行。
一种异质结太阳能电池

[发明专利]双面异质结太阳能电池及光伏组件-CN202011054163.X在审
发明人：张达奇;姚铮;吴华德;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明提供了一种双面异质结太阳能电池及光伏组件，其所涉及双面异质结太阳能电池中位于单晶硅衬底背光面的第二掺杂非晶层包括位于第二本征非晶层表面的第一掺杂非晶硅膜以及位于第一掺杂非晶硅膜表面的第一掺杂非晶氧化硅膜或第一掺杂非晶碳化硅膜；基于该结构，可以在确保第二掺杂非晶层与第二本征非晶硅层具有良好接触的前提下提高第二掺杂非晶层的透光性，如此能降低太阳光在由背光面进入双面异质结太阳能电池内部时的损耗，可提高双面异质结太阳能电池的短路电流，进而可在优化双面异质结太阳能电池光电转化效率的同时也能提高双面异质结太阳能电池的双面率。
双面异质结太阳能电池组件

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