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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]半导体晶片厚度的检测装置-CN202223359749.4有效
发明人：殷东科 -专利权人：上海击石自动化设备有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：本实用新型提出半导体晶片厚度的检测装置，包括底座，所述底座上设有旋转盘座，旋转盘座上旋转料盘，所述旋转盘座的一侧设有进料辊架，旋转盘座远离进料辊架的一侧设有出料辊架，旋转盘座中部一侧位置设有定位装置，定位装置的正上方位置设有厚度检测机组本实用新型由进料辊架上的运料皮带进行运料，将晶片运送至旋转料盘上，在电动机箱对蜗杆的驱动下，驱使蜗杆与旋转料盘底部所设转接部的蜗轮齿槽啮合传动，从而驱使旋转料盘进行旋转运料，使晶片经过厚度检测机组下方，由厚度检测机组对该晶片进行厚度检测，最后出料辊架上的运料皮带则用于将旋转料盘上的晶片物料运送出，检测效率高。
半导体晶片厚度检测装置

[发明专利]半导体集成电路器件及其检测方法、半导体晶片、以及老化检测设备-CN200810213124.2无效
发明人：石飞贵志;大鸟隆志;田中泰资 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-06-01 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供一种老化检测设备，该设备用于输出检测信号并且接收响应上述检测信号的PASS信号或FAIL信号来检测在半导体晶片上形成的多个半导体芯片，具有观测装置，该装置记录在检测时接收到上述FAIL信号的时刻和次数在对晶片进行晶片测试时或在晶片测试之后，对于合格品在其端子以外的芯片表面上附加保护膜。对于不合格品在包括其端子的整个芯片表面上附加保护膜，在这种状态下进行老化检测，能切断对老化工序之前被确定为不合格的芯片的电源供给和信号施加。
半导体集成电路器件及其检测方法晶片以及老化设备

[发明专利]一种晶片缺陷检测方法-CN201010192425.9无效
发明人：高海林;赵庆国 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片缺陷检测方法，该方法通过生成一与受检测晶片一致的模拟晶片，将受检测晶片上的芯片位置与模拟晶片上的芯片位置完全对准，对模拟晶片上的芯片位置信息进行处理，并依据处理结果控制光学显微镜操作台在横轴方向和纵轴方向的具体移动距离，从而使光学显微镜精确对准受检测晶片上每个受检测芯片的位置，解决了通过纯目检的方式确定分散于晶片不同位置的各个受检测芯片时常常会出错，从而会影响到最终检测结果的准确性的问题，有效提高了晶片缺陷检测的工作效率
一种晶片缺陷检测方法

[实用新型]盖板机-CN202320661846.4有效
发明人：陈磊 -专利权人：惠伦晶体（重庆）科技有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10N30/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及石英晶片生产装置技术领域，特别是涉及一种盖板机，包括：支撑机构；装配机构，设置于所述支撑机构上，用于将上盖板和上电极板装配至晶片托盘上；检测机构，设置于所述支撑机构上，用于在装配前对所述晶片托盘进行检测；整形机构，设置于所述支撑机构上，用于在装配后对所述晶片托盘进行整形；传送机构，设置于所述支撑机构上，用于传送所述晶片托盘；搬运机构，设置于所述支撑机构上，用于在所述检测机构检测合格后将所述晶片托盘搬运至所述装配机构，并在所述装配机构装配完毕后将所述晶片托盘搬运至所述传送机构。
板机

[发明专利]一种LED晶片的发光检测装置-CN201210582419.3无效
发明人：肖怀曙 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED晶片的发光检测装置，其包括：用于检测分析晶片发出的光线的检测仪、底台、用于放置LED晶片的载台、固定于底台上的调节装置、轴承、第一电机及固定于载台上的用于电连接晶片与电源的探针；底台与载台通过轴承可旋转连接，载台与第一电机的电机轴连接；调节装置包括：用于固定及导向检测仪移动的导柱、支撑柱、第一轴套及第二电机，第二电机固定于所述底台上，第一轴套固定于第二电机的电机轴上，支撑柱的一端在垂直于底台的方向通过第一轴套与第二电机的电机轴连接，导柱沿与支撑柱垂直的方向与支撑柱的另一端连接，检测仪的收光头固定于导柱上。本发明提供的发光检测装置可以从多个角度准确的检测晶片的发光情况。
一种 led 晶片发光检测装置

[实用新型]一种中心孔内壁缺陷检测用超声波传感器及超声探伤装置-CN202320722112.2有效
发明人：王海峰;张达勋;刘长福;王占强;李帅;赵奇 -专利权人：大唐国际发电股份有限公司张家口发电分公司;中国大唐集团科学技术研究总院有限公司;中国大唐集团科学技术研究总院有限公司华北电力试验研究院
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：一种中心孔内壁缺陷检测用超声波传感器及超声探伤装置，其中的中心孔内壁缺陷检测用超声波传感器，包括传感器壳体以及镜像对称布置在所述传感器壳体内的发射超声波压电晶片和接收超声波压电晶片，所述发射超声波压电晶片的超声发射方向与接收超声波压电晶片的超声接收方向相反设置本实用新型能够提高中心孔内壁缺陷的检测效率和检测灵敏度，降低检测成本。
一种中心内壁缺陷检测超声波传感器超声探伤装置

[发明专利]晶片检测设备和晶片检测方法-CN202010729277.3在审
发明人：周崇斌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供一种晶片检测设备和晶片检测方法。晶片检测设备包括光学模组、用于承载多个晶片的至少一个晶片固持器以及多个光学传感器。光学模组被配置成发射多个光束以用于同时扫描由至少一个晶片固持器所承载的多个晶片。多个光学传感器被配置成接收被所述多个晶片反射的多个光束。
晶片检测设备方法

[发明专利]固定环及抛光头-CN201310630265.5有效
发明人：李虎;张守龙;白英英;赵正元 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： B24B37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种固定环，用于化学机械抛光装置中，化学机械抛光装置包括抛光盘和抛光头，抛光头包括晶片载体和固定环，晶片载体用于夹持半导体晶片，抛光盘与晶片接触并与抛光头分别以相反的方向进行旋转以抛光晶片，固定环包括：环形基体，设于晶片载体下方，环绕晶片侧表面，用于固定晶片；至少一易断导线，固定于环形基体表面，沿环形基体的周长方向延伸并环绕一周；通断状态检测装置，其分别与各易断导线连接，并在任一易断导线断裂时发出报警信号；信号处理装置，与通断状态检测装置输出端连接，将报警信号转化为抛光停止信号，用于指示抛光头和抛光盘停止旋转。
固定抛光

[发明专利]单晶片检测方法、单晶片组件及其检测系统-CN200410054648.3无效
发明人：李敬洲;林俊煌 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2004-07-22 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶片检测方法，是以一检测主机耦接一单晶片进行检测，该单晶片于一般操作模式下是以一第一传输速率传输资料，该单晶片检测方法是先对该单晶片设定一检测模式，于该检测模式下，借一不同于该第一传输速率的第二传输速率传输该单晶片待检测的资料予该检测主机，而由该检测主机检测以该第二传输速率所传输的资料。
晶片检测方法组件及其系统

[发明专利]调准装置-CN01802770.9无效
发明人：仓田俊辅 -专利权人：奥林巴斯光学工业株式会社
申请日： 2001-09-14 - 公布日： 2003-01-22 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明的调准装置在将半导体晶片(5A、5B)从晶片运送机械手(4)交给晶片运送装置(14)的晶片交接位置P1上，从由非接触位置传感器(21～24)所检测的4点晶片边缘部，求出为对半导体晶片(5A、5B)的中心位置进行中心定位的修正量，对半导体晶片(5A、5B)的中心位置进行中心定位。
调准装置

[实用新型]烘烤装置-CN202120463047.7有效
发明人：浦栋;杨国文;赵卫东 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： B05D3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种烘烤装置，涉及半导体器件加热技术领域，包括支撑机构、第一检测机构、加热机构和驱动机构；驱动机构与支撑机构连接，第一检测机构设置在支撑机构上，第一检测机构与驱动机构连接，实际使用时，首先将晶片放置在支撑机构上，第一检测机构检测到晶片后，能够向驱动机构发送信号，驱动机构根据该信号驱动支撑机构上的晶片向靠近加热机构的方向移动至预设位置，这时，加热机构对晶片进行加热烘烤，待烘烤结束后，驱动机构驱动支撑机构上的晶片向远离加热机构的方向移动，晶片仅在加热烘烤时靠近加热机构，烘烤前和烘烤后均由支撑机构支撑并远离加热机构，从而避免了晶片过热或者损坏。
烘烤装置

[发明专利]半导体工艺中的检测方法和检测系统-CN200910195633.1有效
发明人：朱瑜杰;陈思安;孙强;杨健 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体工艺中的检测方法及检测系统，该方法包括步骤：预先获得站点最大能够检测晶片的最大检测数量；测量经过站点的晶片数量；比较所述晶片数量和最大检测数量，当所述晶片数量小于最大检测数量，则将站点的检测率升高，当所述晶片数量大于最大检测数量，则将站点的检测率降低。本发明使得检测的精确度提高。
半导体工艺中的检测方法系统

[发明专利]一种检测晶片的方法-CN201110241153.1无效
发明人：林萍;彭彬;伍三忠 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种检测晶片的方法，包括：激光器(1)、接收器(2)、晶片(3)。其特征在于，其中所述激光器(1)发出激光，在无晶片(3)的情况下，接收器(2)准确接收到激光，在有晶片(3)时，激光被晶片(3)挡住，反射光方向改变，接收器2接收不到激光。此检测晶片的方法简单可靠，由于是激光检测能更快的检测到有无晶片。
一种检测晶片方法

[发明专利]切割装置及切割方法-CN200410003863.0无效
发明人：和久井元明;落合公;罗恩·艾瓦尔;吉尔·谢特里特 -专利权人：三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司;先进切割技术有限公司
申请日： 2004-02-06 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： B24B49/00 文献下载
摘要：一种切割装置，其特征在于，包括：晶片载置台，其用于载置晶片；刀片，其配置在该晶片载置台上；光源，利用该刀片向形成于所述晶片的切割线区域的切削槽之中照射检测光；识别照相机，根据来自所述切削槽的反射光检测所述切削槽的形状；位置补正装置，根据该识别照相机的检测结果进行刀片的位置补正，使切削槽的中心线位于规定位置且切削槽的深度形成规定值。
切割装置方法

[发明专利]具有电容式微传感器的晶片处理设备-CN201780037691.4在审
发明人：伦纳德·塔德斯奇;卡提克·雷马斯瓦米;丹尼尔·托马斯·麦考密克;罗伯特·保罗·米格利 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：实施方式包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶片制造处理的操作的装置与方法。在实施方式中，用于颗粒检测的颗粒监测装置包括安装在晶片基板上的数个电容式微传感器，以在所有压力状况下检测颗粒，例如在真空条件下。在实施方式中，一或更多个电容式微传感器被安装在晶片处理工具上，以在晶片制造处理期间实时测量材料沉积与移除速率。亦描述及请求保护其他实施方式。
电容式微传感器蚀刻晶片处理设备材料沉积处理期间多个电容晶片处理晶片基板晶片制造颗粒监测颗粒检测控制晶片实时测量压力状况真空条件传感器检测移除沉积监测制造

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