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[发明专利]一种晶体生长方法及生长装置-CN202210357367.3在审
发明人：魏星;李名浩;李寅锋 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体生长方法，包括：当晶体生长进入等径阶段，坩埚以第一坩埚转速旋转，晶体以第一晶体转速旋转；当晶体生长至第一长度，坩埚以第二坩埚转速旋转，和/或晶体以第二晶体转速旋转；其中，所述第二坩埚转速小于所述第一坩埚转速，所述第二晶体转速小于所述第一晶体转速。根据本发明提供的晶体生长方法，通过在等径阶段晶体生长至第一长度之后，将坩埚从第一坩埚转速降低至第二坩埚转速，和/或将晶体从第一晶体转速降低至第二晶体转速，降低了晶体中的氧含量。
一种晶体生长方法生长装置

[发明专利]无刷直流电机的驱动控制装置-CN201410337488.7有效
发明人：池晓峰;孙志平;朱卫东 -专利权人：常州乐士雷利电机有限公司
申请日： 2014-07-15 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H02P6/08 文献下载
摘要：一种无刷直流电机的驱动控制装置，包括：驱动专用控制器，输出PWM控制信号来控制无刷直流电机的驱动；电机转速控制器，根据从驱动专用控制器接收的与电机转速相关的信号，输出包括第一和第二控制电压电平的转速控制信号；晶体管，根据输入到晶体管的基极的所述转速控制信号，晶体管工作在放大或截止状态；其中，当电机转速控制器输出第一控制电压电平的转速控制信号时，晶体管工作在截止状态，驱动专用控制器的用于控制电机转矩的输入电压仅基于正常设计而产生的电压，晶体管对用于控制电机转矩的输入电压没有调整；当电机转速控制器输出第二控制电压电平的转速控制信号时，晶体管工作在放大状态时，驱动专用控制器的用于控制电机转矩的输入电压受到晶体管集电极输出的调整。
直流电机驱动控制装置

[实用新型]无刷直流电机的驱动控制装置-CN201420392087.7有效
发明人：池晓峰;孙志平;朱卫东 -专利权人：常州乐士雷利电机有限公司
申请日： 2014-07-15 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H02P6/08 文献下载
摘要：一种无刷直流电机的驱动控制装置，包括：驱动专用控制器，输出PWM控制信号来控制无刷直流电机的驱动；电机转速控制器，根据从驱动专用控制器接收的与电机转速相关的信号，输出包括第一和第二控制电压电平的转速控制信号；晶体管，根据输入到晶体管的基极的所述转速控制信号，晶体管工作在放大或截止状态；其中，当电机转速控制器输出第一控制电压电平的转速控制信号时，晶体管工作在截止状态，驱动专用控制器的用于控制电机转矩的输入电压仅基于正常设计而产生的电压，晶体管对用于控制电机转矩的输入电压没有调整；当电机转速控制器输出第二控制电压电平的转速控制信号时，晶体管工作在放大状态时，驱动专用控制器的用于控制电机转矩的输入电压受到晶体管集电极输出的调整。
直流电机驱动控制装置

[发明专利]一种用于晶体生长的引晶方法-CN202011211500.1在审
发明人：沈伟民;雷友述 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶体生长的引晶方法，包括：第一引晶阶段，坩埚以第一转速旋转，晶体生长至第一长度；第二引晶阶段，所述坩埚的转速由所述第一转速递增至第二转速，当所述坩埚的转速达到所述第二转速时，所述晶体生长至第二长度；第三引晶阶段，所述坩埚以所述第二转速旋转，直至所述晶体生长至目标长度。根据本发明提供的用于晶体生长的引晶方法，通过将引晶工序分为三个阶段，并且在第二阶段随着晶体的生长坩埚的转速递增，以增强硅熔体的对流，保持硅熔体中心的温度不低于引晶开始的温度，从而提高籽晶内部的位错排出率
一种用于晶体生长方法

[发明专利]5英寸硼酸氧钙钇非线性光学晶体制备方法-CN201711385193.7有效
发明人：涂小牛;郑燕青;王升;熊开南;孔海宽;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明涉及5英寸硼酸氧钙钇非线性光学晶体制备方法，包括：籽晶在高于晶体生长原料熔化温度5℃～20℃下接触到晶体生长原料熔体；以2～4mm/h的提拉速度、18～24rpm的旋转速度提拉籽晶，并升温，使提拉高度为3～6mm；以0.5～1.5mm/h的提拉速度、14～24rpm的旋转速度提拉晶体，并降温；以0.5～1.5mm/h的提拉速度、14～24rpm的旋转速度提拉晶体；以2～5mm/h的提拉速度、20～24rpm的旋转速度提拉晶体，并升温；以40～80mm/min的提拉速度、5～10rpm的旋转速度提拉晶体使其脱离熔体，然后降至室温。
英寸硼酸氧钙钇非线性光学晶体制备方法

[发明专利]一种直拉单晶硅快速收尾方法-CN201610700757.0有效
发明人：周宏坤;梁永生;冉瑞应;李博一;金雪 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开的一种直拉单晶硅快速收尾方法，包括：前期，坩埚停止上升，提高热场温度，保持晶体生长速度、晶转、埚转速度不变，使晶体直径缩小；中期，降低晶体生长速度，驱动坩埚上升，然后降低加热功率、提高晶体和坩埚旋转速度，使热场温度上升趋势减缓；后期，坩埚停止上升，晶转、埚转速度不变，提高晶体生长速度，直至晶体直径缩小至25mm‑30mm时，将晶体提出熔硅液面，完成收尾。本发明的直拉单晶硅快速收尾方法在保持单晶硅晶体生长速度不变的前提下迅速缩小直径，然后降低晶体生长速度、提升晶体和坩埚转速、降低加热功率使热场温度上升趋势降低避免晶体尾部折断，最后迅速提升拉晶速度完成收尾
一种单晶硅快速收尾方法

[发明专利]一种降低直拉单晶断苞的生产工艺-CN202011259858.1在审
发明人：吴树飞;郝瑞军;赵国伟;周泽;刘振宇;杨瑞峰;刘学;王建宇 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明一种降低直拉单晶断苞的生产工艺，在等径初期拉制过程中，晶体生长高度分为四个阶段，分别为第一阶段、第二阶段、第三阶段和第四阶段；在每一阶段中均包括控制晶体生长的晶体转速、石英坩埚转速和热场温度；从第一阶段到第四阶段中，晶体转速先以初始转速运行后缓慢增大，再以恒定转速运行；石英坩埚转速以从转肩处转入等径初期的初始转速稳定不变；稳定热场温度先以从转肩结束时转入等径初期的初始温度稳定运行后缓慢降低，再以恒定温度继续运行。本发明降低石英坩埚于熔体之间的摩擦，减小杂质出现，避免杂质富集于晶体头部段，降低单晶断苞几率；同时改善熔体热气流对晶体质量的影响，使晶体头部的氧含量有所降低，提高产品质量。
一种降低直拉单晶断苞生产工艺

[发明专利]一种低位错超高纯锗单晶的提拉方法-CN202210277220.3有效
发明人：牛晓东;狄聚青;赵青松;顾小英 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种低位错超高纯锗单晶的提拉方法，包括如下步骤：熔料、引晶、缩颈、放肩、等径、收尾和降温，在所述放肩与所述等径之间还包括如下步骤：放肩二：降低晶转速度和埚转速度，均匀升高拉速，按低降温频率控制均匀降温并保持一定时长，使得晶体直径逐渐长大至所述等径所需的晶体尺寸。在本方案中，通过先均匀降低晶转速度和埚转速度，均匀升高拉速；然后再降低频率均匀降温，使得晶体直径逐渐长大至所述等径所需的晶体尺寸，即为以便于使得晶体放肩和等径过程相衔接，使得晶体在此条件下会抑制界面的反转过程，防止晶体直径放肩后变细，晶体变得不规则，并防止晶体产生缺陷。
一种低位高纯锗单晶方法

[发明专利]具有多功能的电磁式制动器-CN201480001318.X在审
发明人：加藤幸祐;三好章洋;大场光义 -专利权人：株式会社TBK
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H02P15/00 文献下载
摘要：一种电磁式制动器具有：电磁式制动器的主要部分，包括定子轭、多个磁性线圈、及钢转子，这些磁性线圈形成三相连接；用于高转速区域的驱动装置，包括晶体管，这些晶体管分别由用于高转速区域的驱动脉冲断开和闭合，该驱动脉冲从控制装置发出；及用于低转速区域的驱动装置，包括电池、用来防止反向电流的二极管、及晶体管，这些晶体管分别由用于低转速区域的驱动脉冲断开和闭合，该驱动脉冲从控制装置发出。用于高转速区域的晶体管的每一个串联连接到多相连接的每一个上。用于低转速区域的晶体管的每一个通过电池和二极管串联连接到多相连接的每一个上。电磁式制动器的特征在于：在高转速区域处，磁性线圈由从制动能量得到的电力激励，并且在低转速区域处，磁性线圈由从电池得到的电力激励。
具有多功能电磁式制动器

[实用新型]风扇转速控制装置-CN201420194186.4有效
发明人：鲁亮君 -专利权人：徕恩科技股份有限公司
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： F04D27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种风扇转速控制装置，包括一第一晶体管、一第二晶体管以及一第三晶体管、一第四晶体管以及至少一散热风扇。第一晶体管接收一脉冲宽度调变信号，第二晶体管以及第三晶体管其放大脉冲宽度调变信号，第四晶体管其接收放大后的脉冲宽度调变信号，并根据脉冲宽度调变信号使得第四晶体管改变工作状态以控制一输出电压的大小，以及散热风扇根据输出电压的变化来得到不同风扇转速通过前述结构，本实用新型可支持多个不同规格的风扇混合串接，且可控制其转速。
风扇转速控制装置

[发明专利]提拉法生长组分均匀硅酸铋(Bi4-CN202010406016.8有效
发明人：肖学峰;张学锋;张欢;韦海成;魏同利;张莎;雷玉玺;李维银 -专利权人：北方民族大学
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种提拉法生长组分均匀硅酸铋(Bi4Si3O12,BSO)晶体的方法，该方法采用提拉法生长硅酸铋单晶，在硅酸铋晶体生长过程中，调整硅酸铋晶体生长过程中的提拉速度不恒定，或调整硅酸铋晶体生长过程中的旋转速度不恒定，以使生长的硅酸铋晶体组分均匀，采用本发明的方法，在提拉法生长硅酸铋(Bi4Si3O12,BSO)非一致熔融晶体过程中，依照一定的曲线改变晶体生长过程中的提拉速度、旋转速度，使得硅酸铋晶体生长过程中的提拉速度不恒定，或硅酸铋晶体生长过程中的旋转速度不恒定，可有效改善硅酸铋晶体成分的不均匀性。
提拉法生长组分均匀硅酸 bi base sub

[发明专利]一种抑制晶体划弧的控制方法-CN202310987999.2有效
发明人：陈伟;李林东;魏子涵;许堃;李安君;吴超慧;闫洪嘉 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种抑制晶体划弧的控制方法，涉及单晶硅生产制造技术领域。该抑制晶体划弧的控制方法包括：步骤一、等时间间隔获取晶体运动时在平面内的位置坐标；步骤二、根据所述位置坐标获取晶体运动轨迹方程及晶体运动方向；步骤三、根据所述位置坐标和晶体运动轨迹方程获取晶体运动方向与晶体受力方向的夹角；步骤四、根据晶体运动方向与晶体受力方向的夹角和晶体运动方向控制晶体转速和坩埚转速；步骤五、在一个调整周期后重复步骤一到步骤四，直至晶体与运动中心轴的夹角小于预期角度值，其能够在晶体生长过程中有效抑制晶体划弧
一种抑制晶体控制方法

[发明专利]一种直拉硅单晶生长工艺优化固液界面氧分布调节方法-CN201710811360.3有效
发明人：刘丁;任俊超;张新雨;张晶 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉硅单晶生长工艺优化固液界面氧分布调节方法，首先调节超导水平磁场强度，得到不同磁场强度下的固液界面氧浓度分布曲线，计算固液界面的平均氧浓度和固液界面径向氧浓度分布的均匀性，通过对比选取出合适的磁场强度，其次是在选取的磁场强度下分别调节晶体转速和坩埚转速，通过对比仿真结果得到适合降低固液界面氧浓度和提高固液界面氧浓度分布均匀性的晶体转速和坩埚转速，最后在所选取的超导磁场强度、晶体转速和坩埚转速三者的共同作用下，得到超导水平磁场下直拉硅单晶固液界面氧浓度分布信息，本发明解决了现有技术中存在的直拉硅单晶生长工艺参数调节时容易造成晶体中氧含量过高、氧分布不均匀的问题。
一种直拉硅单晶生长工艺优化界面分布调节方法

[实用新型]一种可靠的风扇防挂死电路结构-CN202022454979.3有效
发明人：宋开鑫 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： F04D27/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可靠的风扇防挂死电路结构，包括风扇调速芯片，风扇调速芯片连接第一晶体管的基极,第一晶体管的集电极通过上拉电阻连接+12V电压，第一晶体管的集电极连接风扇模组，第一晶体管的发射极接地，风扇调速芯片还连接CPLD芯片，CPLD芯片连接第二晶体管的基极，第二晶体管的集电极连接到第一晶体管的集电极,第二晶体管的发射极接地；通过风扇调速芯片输出风扇转速控制信号，风扇转速控制信号接入CPLD芯片，通过CPLD芯片实时检测风扇转速控制信号的状态，CPLD芯片控制第二晶体管保证风扇不会停转。
一种可靠风扇防挂死电路结构

[发明专利]一种风机转速测量电路-CN201710634769.2在审
发明人：杨令东 -专利权人：苏州中蟹网电子商务有限公司
申请日： 2017-07-29 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： G01P3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种风机转速测量电路，将待测试的风机设置在照明灯、光敏晶体管之间，当光线被风机叶片遮挡时，光敏晶体管截止呈高阻状态；当风机叶片转动过后，光线从风机叶片之间的间隙照射到光敏晶体管上，光敏晶体管导通呈低阻状态，光敏晶体管在不断导通截止状态下，形成脉冲信号，脉冲信号经过电容、晶体管放到后，经过变压器升压后，形成尖脉冲信号，并经过二极管整流后，获得二倍频的脉冲信号，经过微安表测量，微安表的指针与风机叶片转速相对应，转速越高，微安表的指针偏转越大，电路简单，容易实现，成本低廉，具有良好的应用前景。
一种风机转速测量电路

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