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[发明专利]晶体生长-CN98813499.3无效
发明人： G·J·达维斯;R·A·查普曼;A·斯特瓦特;L·K·赫德格斯 -专利权人：德比尔斯工业钻石部股份有限公司
申请日： 1998-12-10 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种尺寸小于100微米的晶体块(特别是金刚石晶体)，其中大多数晶体为小平面单晶。本发明还提供一种利用在高温和高压条件下的晶体生长来生产这种晶体块的方法，晶体生长所必需的过饱和推动力至少部分取决于晶体低米勒指数表面与高米勒指数表面之间的表面自由能的差异。
晶体生长

[发明专利]HTCVD法碳化硅晶体生长装置-CN201110264570.8有效
发明人：刘兴昉;董林;郑柳;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：一种HTCVD法碳化硅晶体生长装置，所述晶体生长装置适用于高温化学气相沉积工艺，所述晶体生长装置包括：一真空室；一晶体生长室，与真空室连接，该晶体生长室包括多个独立的晶体生长腔；多个输送源气体的管路，该输送源气体的管路位于真空室和晶体生长室内，分别与晶体生长室的独立的晶体生长腔连通，用于向晶体生长室输送源气体；一用于排除尾气的管路，位于真空室和晶体生长室内，分别与多个晶体生长腔连接，用于排出晶体生长尾气。
htcvd 碳化硅晶体生长装置

[发明专利]一种晶体生长装置-CN202010945820.3在审
发明人：郑国宗;胡子钰;林秀钦;李静雯 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体生长装置，属于晶体生长技术领域，能够解决现有载晶架高度限制晶体生长高度，严重制约晶体产出效率的问题。所述装置包括：晶体生长槽，用于容置晶体生长液；托盘，设置在晶体生长槽内，且靠近晶体生长槽底部，用于放置籽晶；第一驱动结构，与托盘连接，用于驱动托盘在水平面上旋转；搅拌结构，设置在晶体生长槽内，用于搅拌所述晶体生长液本发明用于晶体生长。
一种晶体生长装置

[发明专利]一种晶体生长系统-CN201810885880.3在审
发明人：蒋子博 -专利权人：上海怡英新材料科技有限公司
申请日： 2018-07-28 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C30B11/10 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长系统。该晶体生长系统包括晶体生长加料装置和晶体生长坩埚，该晶体生长加料装置包括加料坩埚、温控加热系统和加料导管，其中，温控加热系统用于加热并控制加料坩埚的温度，加料坩埚位于晶体生长坩埚上方，加料导管用于将加料坩埚中的熔化的晶体生长原料输送到晶体生长坩埚中本发明的晶体生长系统能够克服了现有技术中的晶体生长系统的诸多缺陷。例如，本发明能够方便地控制加料坩埚内及导管内原料熔液流入晶体生长坩埚的流量；能够使得晶体生长坩埚中晶体生长过程稳定；本发明还能解决加料时的加料溶液凝结而导致的加料不畅问题。同时，本发明的晶体生长系统能够结构简单，操作方便，能够大大降低了设备成本和生产成本。
加料晶体生长系统晶体生长坩埚坩埚导管温控加热系统加料装置晶体生长晶体生长过程晶体生长原料熔化设备成本原料熔液加热生产成本凝结

[发明专利]一种确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术-CN201510227560.5有效
发明人：苏静;裴世鑫;王迪;桑琳;郝蒙萌;张黎 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术，使用微型溶液晶体生长装置来确定溶液晶体生长溶解度曲线，包括晶体生长槽和生长槽温度控制器，晶体生长槽上设有进气孔、出气孔和补料孔，首先在室温下量取适量晶体生长溶液，加入到微型溶液晶体生长装置的晶体生长槽中；称取晶体，从补料孔加入到晶体生长槽中；待晶体充分溶解，通过生长槽温度控制器缓慢的升高晶体生长槽内的温度，与此同时，通过显微镜观察晶体生长槽内晶体溶解情况。本发明的确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术结合了晶体生长装置和显微技术，操作简单，易于观察，精度高，适用于多数无机、有机以及有机‑无机杂合溶液晶体的测定。
一种确定溶液晶体生长溶解度曲线光学显微技术

[发明专利]晶体生长炉冷却方法及系统、晶片-CN202310074549.4在审
发明人：请求不公布姓名;请求不公布姓名;马新成 -专利权人：三一硅能（株洲）有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种晶体生长炉冷却方法及系统、晶片，其中，晶体生长炉冷却方法包括：在晶体生长完成后，将晶体生长炉停炉；向晶体生长炉中加入用于冷却晶体生长炉的埚底料，埚底料是晶体生长后剩余的硅料如此，解决了现有技术中晶体生长炉冷却时长较长的问题，在晶体生长炉停炉后，将埚底料即回收的晶体生长剩余的硅料加入晶体生长炉中冷却晶体生长炉，由于硅料具有较高的导热系数和较大的比热容，可以使得晶体生长炉快速冷却，缩短了晶体生长炉的冷却时长，提高了冷却效率。埚底料是晶体生长所剩余的，可以就地取材，对埚底料二次利用，不需要额外的投入，可以重复使用，少投入高回报，大幅节约了成本，减少了资源浪费。
晶体生长冷却方法系统晶片

[发明专利]一种多气氛导模法蓝宝石晶体生长方法及装置-CN202310163412.6在审
发明人：王晓亮;黄存新;赵鹏 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种多气氛导模法蓝宝石晶体生长方法及装置，通过将籽晶和晶体生长原料放入晶体生长炉中，然后将晶体生长炉抽真空，再将还原性气体与氩气充入晶体生长炉中，再将晶体生长炉升温至2060℃～2500℃，使得晶体生长原料熔化，然后使籽晶与熔化的晶体生长原料接触，生长晶体。本申请通过在晶体生长炉中增加了还原性气体，为晶体生长炉中易氧化的热场材料提供了还原性气氛，有效抑制了晶体生长炉中热场材料的氧化挥发，提高了晶体生长炉中热场材料的使用寿命，也降低了热场材料的氧化挥发对晶体生长原料的污染，进而降低了蓝宝石晶体中的杂质含量，提高了蓝宝石晶体的质量。
一种气氛导模法蓝宝石晶体生长方法装置

[发明专利]晶体生长加热系统-CN201711027501.9在审
发明人：刘云俊 -专利权人：江苏维福特科技发展股份有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体生长加热系统，包括晶体生长炉内设置的晶体生长控制装置，晶体生长控制装置包括晶体生长环境数据获取装置、晶体生长环境控制装置和数据终端处理装置，所述晶体生长环境获取装置包括温度感应器、压力感应器和电子感应秤；所述晶体生长环境控制装置包括压力控制器、温度控制器、PID控制装置和晶体运动控制装置；所述数据终端ARM控制器和PC机；可有效的提供晶体生长过程的工作效率，减低生产成本。
控制装置晶体生长环境晶体生长加热系统晶体生长过程数据获取装置数据终端处理电子感应秤晶体生长炉温度感应器温度控制器压力感应器压力控制器工作效率获取装置晶体运动数据终端生产成本

[发明专利]反馈晶体生长状态的方法、晶体生长控制方法及控制系统-CN201710025411.X有效
发明人：朱允中;王彪;林少鹏;马德才 -专利权人：中山大学
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种反馈晶体生长状态的方法，通过采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电动势，获得实时变化的电信号，由所述实时变化的电信号反馈晶体生长状态。本发明还涉及一种晶体生长控制方法，通过采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电动势，获得实时变化的电信号，根据所述实时变化的电信号调整晶体生长的条件参数，从而控制晶体生长。本发明还涉及一种晶体生长控制系统，包括晶体生长控制装置、生长信号采集单元和信号处理单元。通过本发明的方法可以精确反馈晶体生长的整体状态，克服判断滞后的缺陷，实时控制晶体生长工作。
反馈晶体生长状态方法控制控制系统

[发明专利]晶体生长界面扰动的原位探测方法、控制方法及控制系统-CN201710025412.4有效
发明人：朱允中;王彪;马德才;林少鹏 -专利权人：中山大学
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体生长界面扰动的原位探测方法，通过采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电动势，获得实时变化的电信号数据；根据所述电信号数据的波动规律获得晶体生长界面的扰动状态。本发明还涉及一种晶体生长界面扰动的控制方法，根据本发明获得的晶体生长界面的扰动状态调整晶体生长条件，以控制晶体生长界面扰动。本发明还涉及一种晶体生长界面扰动的控制系统，包括晶体生长界面扰动控制装置、生长信号采集单元和信号处理单元。通过本发明的方法可以实时反馈晶体生长界面状态，使现有手段难以探测到的微弱的界面扰动得以清晰展现，突破性地解决了提拉法晶体生长界面扰动检测的难题。
晶体生长界面扰动原位探测方法控制控制系统

[发明专利]一种晶体生长用智能控制系统-CN202211358023.0在审
发明人：罗毅;龚瑞 -专利权人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体生长用智能控制系统，涉及晶体生长技术领域，解决了现有技术无法对晶体生长过程进行精确控制，影响晶体生长质量和效率的技术问题；本发明中的中枢控制模块与数据采集模块和生长控制模块相连接；数据采集模块与若干类型数据传感器相连接，生长控制模块与晶体生长设备相连接；本发明获取晶体生长整个过程的视频数据，基于视频数据构建或者及时更新晶体生长模型；将晶体生长模型与构建的标准晶体模型进行比较，根据二者差异确定控制参数，通过生长控制模块对晶体生长设备进行控制；本发明通过晶体生长模型来实现监控，降低了成本和劳动强度；通过与标准晶体模型进行比较来确定晶体生长设备的调整幅度，实现高精度的自动化调节。
一种晶体生长智能控制系统

[发明专利]一种晶体生长设备控制方法及系统-CN202310197639.2在审
发明人：尚海波;周小勇;李强;臧洪波 -专利权人：扬州合晶科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请涉及晶体制备设备技术领域，提供一种晶体生长设备控制方法及系统。通过根据晶体类型、晶体生长量、粉体配比，基于智能匹配分析模型进行热场参数匹配获得动态热场变化序列，进一步结合晶体类型、晶体生长量、粉体配比进行生长参数聚类，基于聚类结果划分晶体生长监控周期，根据晶体生长监控周期划分结果、动态热场变化序列结合各周期晶体生长实时状态，构建长晶参数优化空间，基于优化参数组合控制晶体生长设备。解决现有技术中存在对于晶体生长制备设备的控制精度不足，导致基于晶体生长设备生产所获晶体与实际制备需求不适配的技术问题，实现提高对于晶体生长制备设备的控制精度，提高生产所获晶体与实际制备需求的适配度的技术效果
一种晶体生长设备控制方法系统

[实用新型]一种用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚-CN202121031883.4有效
发明人：田野;顾跃;丁雨憧;李和新;刘军 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚，包括坩埚本体，在坩埚本体上设有晶体生长槽和籽晶槽，籽晶槽与晶体生长槽连通，坩埚本体呈长方体结构，晶体生长槽和籽晶槽与所述坩埚本体外壁的距离不小于10mm，晶体生长槽整体由光滑的弧面构成，籽晶槽为长方体槽；通过设计晶体生长坩埚坩埚壁的厚度，解决生长过程中坩埚容易出现漏点和裂纹导致晶体生长失败的风险，还能使坩埚可以进行反复利用；并且通过坩埚晶体生长槽的设计解决坩埚晶体生长槽的折角处曲率半径小，导致此处晶体界面曲折率较大，容易引起晶体缺陷，如气泡、开裂、云层等问题，使用本实用新型晶体生长坩埚制备出来的晶体更为优质。
一种用于水平定向结晶晶体生长坩埚

[发明专利]一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚支撑平台固定方法-CN202210929755.4在审
发明人：李伦;周长城 -专利权人：北京铭镓半导体有限公司;河南铭镓半导体有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及坩埚支撑技术领域，且公开了一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚支撑平台固定方法，包括晶体生长坩埚主体、保温机构、加热机构和支撑机构，所述保温机构位于晶体生长坩埚主体的外部，所述加热机构位于保温机构的内部，所述支撑机构位于晶体生长坩埚主体的底端，所述支撑机构包括石墨杆、石墨支撑板和支撑柱。该VGF法彩色宝石晶体生长坩埚支撑平台固定方法，安装了支撑机构，通过石墨杆支撑晶体生长坩埚主体，使晶体生长坩埚主体稳固站立，避免晶体生长坩埚主体外道倾斜，多个石墨杆可以更好的支撑晶体生长坩埚，石墨支撑板用于支撑石墨杆，石墨支撑板固定支撑石墨杆的位置，避免石墨杆位移而影响对晶体生长坩埚主体的支撑。
一种 vgf 彩色宝石晶体生长坩埚支撑平台固定方法

[实用新型]晶体生长炉-CN202123418391.3有效
发明人：廖寄乔;李丙菊;彭浩波;李姚平;李军 -专利权人：湖南金博碳基材料研究院有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶体生长炉，包括：炉体及多个晶体生长单元；晶体生长单元包括托盘、坩埚、加热装置及保温装置，托盘设于炉体内，坩埚设置在托盘上，加热装置围绕托盘设置，保温装置围绕加热装置的外侧设置；多个晶体生长单元分别独立地设置在炉体内该晶体生长炉内的多个晶体生长单元均配备有独立的热场，同时保证了各晶体生长单元内的热场均匀，有效减小了晶体生长单元的径向温度梯度，并且能够对每个晶体生长单元的温度实现更加精确地控制，可提高产品品质。在炉体内设置多个晶体生长单元，可实现单个生长单元长晶或多个生长单元同时长晶，也可采用不同尺寸的晶体生长单元，提高了单炉产量，同时保证了生产的灵活性。
晶体生长

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