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[发明专利]X射线平板探测器及其制造方法-CN201210050414.6有效
发明人：殷华湘;王玉光;董立军;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-02-29 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：X射线平板探测器包括按照矩阵排列的多个像素单元，每一个像素单元包括在绝缘衬底上集成在一起的一个传感器和一个像素读出电路，其中，所述像素读出电路包括位于至少一个薄膜晶体管，所述至少一个薄膜晶体管位于所述传感器的上电极下方，并且所述至少一个薄膜晶体管中的至少一个与所述传感器相连接。
射线平板探测器及其制造方法

[发明专利]压电体元件及压电体装置-CN201310023655.6有效
发明人：末永和史;柴田宪治;渡边和俊;野本明;堀切文正 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2013-01-22 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x＋y＋z＝1)所表示的压电体膜(4)及上部电极层(5)的压电体元件(10)中，前述压电体膜(4)具有准立方晶、正方晶、斜方晶、单斜晶、菱形晶的晶体结构，或者这些晶体结构共存的状态，在这些晶体结构中的晶轴中的2轴以下的某特定轴上优先取向，且存在有c轴取向晶畴结晶成分与a轴取向晶畴结晶成分中的至少一种的晶畴结晶成分作为前述取向的晶轴的成分。
压电元件装置

[发明专利]移位寄存器、显示装置、栅极驱动电路及驱动方法-CN201310082062.7有效
发明人：吴博;祁小敬;周全国;聂磊森 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种移位寄存器、显示装置、栅极驱动电路及驱动方法，所述移位寄存器包括多级移位寄存电路，所述多级移位寄存电路的第N级移位寄存电路包括：预充电电路、上拉电路、复位电路和保持电路，所述保持电路设置有第八晶体管，所述第八晶体管的栅极与所述第一控制信号端子连接，源极和漏极相互连接。不仅实现了移位寄存，还减小了电路的工作周期，改善了电压与漂移问题，通过源漏短接的晶体管，实现控制信号对下拉节点的控制，使下拉结点在第一控制信号为高电平时快速升高，在第一控制信号为低电平时下降幅度减小，能够更好实现控制信号对电路的控制
移位寄存器显示装置栅极驱动电路方法

[发明专利]一种镁铝尖晶石化合物的制备方法-CN201310150502.8有效
发明人：张楠 -专利权人：沈阳三聚凯特催化剂有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C01F7/16 文献下载
摘要：本发明所述的镁铝尖晶石化合物的制备方法，在加入酸溶液之后再加入碱液，使铝源能够在铝镁晶体晶核的长大过程中直接掺杂进入铝镁晶体的晶格，从而使形成的镁铝尖晶石复合物的强度较大、晶体结构较为稳定，从而较好地满足加氢脱硫催化剂对载体的强度要求
一种尖晶石化合物制备方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置-CN201310092496.5有效
发明人：刘翔;王刚;薛建设 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，用以提高薄膜晶体管TFT的性能，提高图像的画质。本发明提供的薄膜晶体管包括：基板、形成在所述基板上的栅极、源极、漏极和半导体层；位于所述栅极和半导体层之间或者位于所述栅极和源极、漏极之间的栅极绝缘层，和位于半导体层与源极、漏极之间具有源极接触孔和漏极接触孔的刻蚀阻挡层
一种薄膜晶体管及其制作方法阵列显示装置

[发明专利]一种磷化镓单晶拉制过程中再熔接的方法-CN201110452389.X有效
发明人：马英俊;林泉;张洁 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：当碰舟或粘舟情况发生后立即停止晶升、埚升；2).用0.5～5℃/min的速率升温，观察微分重量和浮舟转速变化情况；3).当微分重量显示小于1.2～2.0g/min，停止升温；4).当浮舟转速稳定在3.0～5.0秒/转时，将晶体向下回插1～5mm，然后稳料30分钟；5).稳料后，将晶体提拉速度逐渐增加为3～15mm/hr开始提拉，同时将埚升增加至0.3～1.5mm/hr继续拉晶，晶体再熔接过程结束。
一种磷化镓单晶拉制过程熔接方法

[发明专利]一种含左手材料的LED 反光镜晶体及制备方法-CN201310125820.9有效
发明人：云峰;赵宇坤 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种含左手材料的LED反光镜晶体及制备方法。本发明LED反光镜晶体由于是左手材料和右手材料交替叠落的光子晶体结构，可以降低光强损耗，提高反射效率，从而提高LED的发光效率。
一种左手材料 led 反光镜晶体制备方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管均流输出电路-CN201310136045.7有效
发明人：李泽宏;吴明进;刘广涛;蒋汇;曾智 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管均流输出电路，解决由于IGBT自身电学特性，特别是饱和压降参数不一致导致的不均流问题。本发明的技术方案是，绝缘栅双极型晶体管均流输出电路，由N个模块并联组成，N为整数，N≥2；其中每个模块包括：电流变化采样单元、电流还原单元、不均流运算单元、驱动信号补偿单元、驱动单元和IGBT。本发明的绝缘栅双极型晶体管均流输出电路，可以对具有不同电学特性的IGBT并联进行动态均流和静态均流，特别适合电学特性差别较大的IGBT进行并联均流，具有普适性。
绝缘栅双极型晶体管输出电路

[发明专利]智能电表时钟校准方法-CN201310013377.6有效
发明人：周良璋;舒元康;郑有波 -专利权人：杭州海兴电力科技股份有限公司
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： G04G3/00 文献下载
摘要：确定粗调的最小修正值，利用步骤a得到的方程计算出当前温度下的频率偏差作为补偿值；c、若补偿值小于粗调最小修正值，则执行步骤g，否则执行步骤d；d、若M为2、3、4或5，执行步骤e，否则执行步骤f；e、内部脉冲计数器对晶体振荡器输出信号进行脉冲计数，粗调，然后执行步骤g；f、对晶体振荡器输出信号进行倍频或分频得到信号Ft；g、晶体振荡器输出端配置有可控电容阵列。
智能电表时钟校准方法

[发明专利]基于金属有机骨架材料Cu₃（BTC）₂·nH₂O制备CuO多级纳米结构的方法-CN201310119360.9有效
发明人：宋永海;汪莉;傅金英;许富刚;谭宏亮;陈受惠 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C01G3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金属有机骨架材料Cu3（BTC）2·nH2O制备CuO多级纳米结构的方法，采用了一种不同于以往报道的合成纳米金属氧化物的方法，在基于Cu3(BTC)2·nH2O材料的基础上实现原位转变，合成CuO纳米晶体也不同于之前报道过的通过高温煅烧来实现Cu3(BTC)2·nH2O转化为Cu纳米粒子，再在空气中煅烧制备CuO纳米晶体。本发明还提供上述材料转变的方法：采用碱液浸泡法，将前驱体Cu3(BTC)2·nH2O浸泡在NaOH溶液中，充分反应后制得CuO纳米晶体。这种方法方便简单，可行性高。
基于金属有机骨架材料 cu sub btc nh 制备 cuo 多级纳米结构方法

[发明专利]像素电路、像素电路驱动方法及显示装置-CN201310129993.8有效
发明人：青海刚;祁小敬 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2013-04-15 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明所提供的像素电路在向存储电容写入数据时利用驱动晶体管形成的二极管连接，通过存储电容预存驱动晶体管的阈值电压和数据电压信号，对阈值电压漂移进行了有效的补偿，保持了驱动电流的均匀性和稳定性。进一步的，本发明中触控电路复用像素电路的控制信号，并在为存储电容充电的同时通过充电晶体管为触控电路中的耦合电容充电，因此，在不增加电路结构和操作复杂性的同时，完美的实现了触控电路在像素电路中的集成。
像素电路驱动方法显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置-CN201310123609.3有效
发明人：袁广才 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜晶体管显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层和源/漏电极，以及位于所述栅电极和有源层之间的栅绝缘层，其中：所述栅电极包括栅电极金属层和第一组保护层
薄膜晶体管及其制造方法阵列显示装置

[发明专利]一种晶体硅片的磷扩散方法-CN201310076915.6有效
发明人：万松博;王栩生;章灵军 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅片的磷扩散方法，包括如下步骤：一种晶体硅片的磷扩散方法，包括如下步骤：(1)恒定源扩散：将待处理的晶体硅片放于扩散炉中，以1~10℃/min的升温速率升温至805~850℃，通入携磷源氮气
一种晶体硅片扩散方法

[发明专利]静态随机存储器及其存取控制方法及其位线预充电电路-CN201310086079.X有效
发明人：拜福君;付妮 -专利权人：西安华芯半导体有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明涉及静态随机存储器及其存取控制方法及其位线预充电电路，包括充电单元，所述充电单元包括晶体管PP1、晶体管PP2、晶体管PEQ，还包括或门电路OR，所述或门电路OR的输入端接列选择信号SEL_n和控制信号
静态随机存储器及其存取控制方法位线预充电电路

[发明专利](1S)-1-苯基-3,4-二氢-1H-异喹啉-2-甲酸苯酯新晶型及其制备方法-CN201310647549.5有效
发明人：高源;张贵岭;田振平;周晓东;潘雷;范传文 -专利权人：齐鲁制药有限公司
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C07D217/06 文献下载
摘要：本发明属于医药化工技术领域，具体提供了一种晶体形式的(1S)-1-苯基-3,4-二氢-1H-异喹啉-2-甲酸苯酯以及该晶体形式的制备方法，所获得的晶体晶型A在制备琥珀酸索利那新的过程中具有易于溶解、反应条件温和
苯基喹啉甲酸苯酯新晶型及其制备方法