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[发明专利]一种硼酸钙氧钇钆高温压电晶体切型及在压电领域中的应用-CN201510260378.X有效
发明人：赵显;于法鹏;王正平;段秀兰;王贺伟;路庆明 -专利权人：山东大学
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种硼酸钙氧钇钆高温压电晶体切型及在压电领域中的应用，采用硼酸钙氧钇钆高温压电晶体YxGd1‑xCa4O(BO3)3，x＝0.1～0.9通过加工制作得到性能优良的晶体切型，通过沿不同物理轴旋转一定角度获得最大纵向压电常数切型、最大切变压电常数切型和最大横向压电常数切型，本发明的晶体切型最大有效压电常数可达～13pC/N，为石英晶体的3～5倍，硅酸镓镧晶体的2倍，大大提高压电传感器件的灵敏度。
一种硼酸钙氧钇钆高温压电晶体领域中的应用

[发明专利]一种光学石英晶体的培育生长工艺-CN200910064238.X无效
发明人：赵雄章;高春浩;郭玉娥 -专利权人：北京石晶光电科技股份有限公司济源分公司
申请日： 2009-02-19 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： C30B29/18 文献下载
摘要：本发明提供一种光学石英晶体的培育生长工艺，该工艺包括以下步骤：步骤1、对光学石英晶体进行切割，切割方向与所述光学石英晶体的光轴呈45度角，同时切割面与所述光学石英晶体的电轴平行，取片，得45度切型的培育籽晶；步骤2、将所述45度切型的培育籽晶置入高压釜内，对所述45度切型的培育籽晶进行单面培育，使其生长，得到45度切型晶体，即用于加工大尺寸光学石英晶片的光学石英晶体。该工艺通过对籽晶切型的改变可培育生长出能加工出大尺寸光学石英晶片的光学石英晶体，其具有工艺简单、易于培育的优点。
一种光学石英晶体培育生长工艺

[发明专利]一种具有纯面切变振动模态晶体切型及其在无损探伤领域中的应用-CN202011182237.8有效
发明人：于法鹏;武广达;樊梦迪;段秀兰;程秀凤;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G01N29/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有纯面切变振动模态晶体切型及其在无损探伤领域中的应用，所述晶体材料为稀土磷酸盐晶体，确定出晶体的X、Y和Z轴方向，物理学坐标轴X、Y和Z轴分别平行于晶体学坐标轴a、b和c轴，具有纯面切变振动模态晶体切型为晶体绕着X轴旋转角度α或绕着Y轴旋转角度β或者绕着Z轴旋转角度γ进行切割获得的晶体。本发明的具有纯面切变振动模态晶体切型，采用稀土磷酸盐晶体，只有面切变振动模态，能够激发出纯的SH0波，并且加工方法简单，只需要确定X、Y、或Z轴所在方向，便可直接加工出最优晶体切型，不需要进行角度旋转，
一种具有切变振动晶体及其无损探伤领域中的应用

[发明专利]用于人造石英晶体的ST切型和AT切型定向籽晶体及其制造方法-CN96192030.0无效
发明人：约瑟夫F·巴拉西奥;蒂恩T·努因;戴维J·韦利;西奥多E·林德 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 1996-10-09 - 公布日： 1998-03-11 - 主分类号： C30B29/18 文献下载
摘要：ST切型和AT切型籽晶体(18、40)及其制造方法(100)。提供绕X(20)轴从+Z(22)轴向－Y轴(24)旋转约42.75°且确定ST切型的延伸籽晶体,在其上生长石英晶棒(32)。提供绕X轴从+Z轴向－Y轴旋转约35.25°且确定AT切型的延伸籽晶体,在其上生长石英晶棒(48)。可以平行于籽晶体将随后生产的石英晶棒切成晶片,由此减少废料(68),可以复原籽晶体进行再利用,可以生产没有中间籽晶部分的晶片(70),并可以提高生产能力。
用于人造石英晶体 st at 定向籽晶及其制造方法

[发明专利]一种自检验式动态压剪应力计-CN201410206619.8有效
发明人：徐松林;章超;周李姜;张磊 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2014-05-15 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种自检验式动态压剪应力计，包括三片角度为120度的扇形石英晶体薄片拼装而成的圆形薄片，三片石英晶体薄片用两片导电金属薄片包裹，每片石英晶体薄片的两表面分别设有铜箔作为电荷导出极，相邻两片石英晶体薄片之间绝缘处理，石英晶体薄片与导电金属薄片之间绝缘处理。三片石英晶体薄片分别为0°X切型、30°X切型和60°X切型，切型标准按照IEEE标准。能适应冲击波的测试，且具有自检验功能，能同时进行复杂应力状态下的动态压应力和剪应力的测试。
一种检验动态剪应力

[发明专利]一种三硼酸铋晶体高灵敏度压电切型及其应用-CN202310706273.7在审
发明人：于法鹏;徐梦妍;马志鸿;刘学良 -专利权人：山东大学;山东新港电子科技有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明属于压电晶体应用技术领域，具体涉及一种三硼酸铋晶体高灵敏度压电切型及其应用。所述三硼酸铋晶体高灵敏度压电切型选自以下任意一种：厚度方向为X，长度方向为Y的晶片，以宽度w方向为旋转轴遵循右手螺旋法则转动θ角度获得的(XYw/θ)切型，42°≤|θ|≤34°；厚度方向为X，长度方向为Z的晶片，以长度l方向为旋转轴遵循右手螺旋法则转动α角度获得(XZl/α)切型，30°≤|α|≤33°；厚度方向为Y，长度方向为X的晶片，以宽度w方向为旋转轴遵循右手螺旋法则转动β角度获得的(YXw/β)切型，33°≤|β|≤60°。本发明根据BIBO晶体的对称性，通过对压电元件的切型角度设计，得到了BIBO压电晶体热膨胀系数与高温合金热膨胀系数相匹配的切型，满足高温压力传感器开发要求。
一种硼酸晶体灵敏度压电及其应用

[发明专利]一种基于粘弹性模型的石英谐振器频率老化的预测方法-CN202310890707.3在审
发明人：谢龙涛;朱军虎;王骥 -专利权人：宁波大学
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于粘弹性模型的石英谐振器频率老化的预测方法，涉及石英晶体技术领域，本方法包括S1：建立初始矩阵，并将不同切型对应的角度代入初始矩阵进行坐标变换，得到对应切型的弹性矩阵和粘度矩阵；S2：依据石英晶体板中影响老化的弹性和粘度以及在持续应变下弹性和粘度对石英晶体板的影响，建立与石英晶体板物理参数相关的预设模型；S3：通过预设模型等效石英晶体板；S4：基于应变和应力的关系，结合石英晶体板厚度振动的频率计算公式以及频率漂移公式，得到石英晶体板关于弹性常数和粘度的老化模型。本方法能够根据石英晶体谐振器不同切型的角度预测该切型石英晶体谐振器的老化情况。
一种基于粘弹性模型石英谐振器频率老化预测方法

[发明专利]一种铌酸锂晶体的压缩式高温压电敏感切型及制备与应用-CN202211507374.3在审
发明人：于法鹏;王国良;刘学良;程秀凤;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明属于压电晶体应用技术领域，具体涉及一种铌酸锂晶体的压缩式高温压电敏感切型及制备与应用。本发明提供了一种铌酸锂晶体的压缩式高温压电敏感切型，切型为YXl/θ，200°≤θ≤250°。本发明针对铌酸锂晶体纵向伸缩振动模式d22，设计了适用于宽温域范围内压电性能优异且温度稳定性高的切型；对于同成分铌酸锂晶体，在室温至600℃范围内，有效压电常数d’22的绝对值大于23pC/N，d’22随温度的变化率均小于17％；对于近化学计量比铌酸锂晶体，在室温至700℃范围内，该切型有效压电常数d’22的绝对值均大于24pC/N，d’22随温度的变化率均小于16％，表明本发明的铌酸锂晶体的压缩式高温压电敏感切型适合高温压电传感器件的研制
一种铌酸锂晶体压缩高温压电敏感制备应用

[发明专利]一种降低力频效应的矩形AT切型压电石英晶片设计方法-CN201310182754.9无效
发明人：梁生元;姚晓文;吴敬军;李冬强 -专利权人：廊坊中电熊猫晶体科技有限公司
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H03H3/04 文献下载
摘要：本发明是一种降低力频效应的矩形AT切型压电石英晶片设计方法，是在AT切型压电石英晶片设计制造时将石英晶体元器件之晶片需要点胶固定的方向选在压电石英晶体坐标系的Z轴方向，有效解决了以往矩形AT切型压电石英晶片制造的石英晶体元器件因力频效应大导致的频率不稳定的问题优点：本发明制作的矩形AT切型压电石英晶片，用于制造的石英晶体元器件，在制造、测试和使用中，当石英晶体元器件受到外部应力等变化时，可以保证频率稳定，多次测试的结果误差保持在系统误差范围内，确保了产品的频率可靠性，从而解决了传统取向的矩形AT切型压电石英晶片制造的石英晶体元器件受外部应力等变化时频率漂移问题。
一种降低效应矩形 at 压电石英晶片设计方法

[发明专利]一种稀土磷酸盐晶体压电切型及其在高温传感领域中的应用-CN202210535488.2有效
发明人：于法鹏;武广达;樊梦迪;刘学良;李妍璐;程秀凤;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C01B25/45 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀土磷酸盐晶体的压电切型及其在高温传感领域中的应用，所述稀土磷酸盐晶体的压电切型兼具高压电活性和低串扰响应特征，同时具有良好的温度稳定性，有利于提高压电传感器件的灵敏度。本发明所提出的具有最优切变振动模态晶体切型，加工方法简单，只需绕X轴旋转一次即可直接加工出最优晶体切型，样品制备简便。
一种稀土磷酸盐晶体压电及其高温传感领域中的应用

[发明专利]硅酸镓镧系列晶体高温零温度补偿切型及应用-CN201010011815.1有效
发明人：于法鹏;袁多荣;张树君;潘立虎;尹鑫;郭世义;段秀兰;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2010-01-07 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅酸镓镧系列晶体高温零温度补偿切型及应用。对于32点群的硅酸镓镧系列晶体，正的d11的方向取为x的正方向，y、z方向根据右手螺旋法则确定；晶体厚度方向为Y，长度方向为X，以X方向按右手螺旋法则旋转α角度，记为YXltw(α)，-90°＜α＜+20°，+α为逆时针旋转，-α为顺时针旋转；切型尺寸比例为厚度∶宽度∶长度＝0.2～2∶6～12∶6～12。本发明的硅酸镓镧系列晶体高温零温度补偿切型和频率器件具有频率稳定性高，适应温度范围广，晶片加工简单的特点。
硅酸系列晶体高温温度补偿应用

[发明专利]多谱线输出共频移复合型固体拉曼激光器-CN201710721755.4有效
发明人：李述涛;董渊;金光勇;于永吉;王超 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01S3/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种多谱线输出共频移复合型固体拉曼激光器，属于激光器技术领域，本发明基于c切YVO₄晶体(或者c切Nd:YVO₄晶体)和c切GdVO₄晶体(或者c切Nd:GdVO₄晶体)除分别具有频移谱线890cm^‑1和882cm^‑1外，在c切方向均具有259cm^‑1的频移谱线，由于频移谱线890cm^‑1和882cm^‑1只能分别在c切YVO₄晶体(或者c切Nd:YVO₄晶体)和c切GdVO₄晶体(或者c切Nd:GdVO₄晶体)中获得拉曼增益，而频移谱线259cm^‑1则可以在两种晶体中都获得增益，因此通过实施本发明能够在一个固体拉曼激光器的两种拉曼晶体中实现基于同一频移谱线的拉曼激光输出，从而实现基于890cm^‑1、882cm^‑1和259cm^‑1三种频移谱线的拉曼激光的同步振荡和有效输出，该多谱线输出共频移复合型固体拉曼激光器更加适用于对激光波长有特殊要求的医药
频移谱线固体拉曼激光器多谱线输出激光激光器技术领域激光波长拉曼晶体拉曼增益同步振荡有效输出通讯

[发明专利]一种黄长石型结构晶体的零/近零频率温度系数切型及其加工方法与应用-CN201610945737.X在审
发明人：申传英;张怀金;王继扬;王端良;王海龙 -专利权人：曲阜师范大学;山东大学
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H03H9/19 文献下载
摘要：本发明涉及一种黄长石型结构晶体的零/近零频率温度系数切型及其加工方法与应用，采用黄长石型结构压电晶体；所述黄长石型结构压电晶体的通式为(A1A2)2{(B1B2)(C1C2)}3O7；A1＝Ca、Sr、本发明的黄长石型结构压电晶体的零/近零频率温度系数切型的应用温度范围宽，可在20～600℃进行应用，频率温度稳定性可达‑10ppm/℃。
一种长石结构晶体频率温度系数及其加工方法应用

[发明专利]NdCa₄O(BO₃)₃晶体零频率温度系数切型及应用-CN201010136214.3有效
发明人：袁多荣;于法鹏;张树君;潘立虎;尹鑫;郭世义;段秀兰;赵显 -专利权人：山东大学
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H03H3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种NdCa4O(BO3)3晶体零频率温度系数切型及应用，晶体旋转α角度，记为(ZXw)α，-20°≤α≤45°，切型尺寸比例为厚度∶宽度∶长度＝1∶(2-3)∶(6-10)。NdCa4O(BO3)3晶片切型的宽度方向上镀铂金电极，电极厚度为200-220nm；采用宽度切变振动模式，在-140-200℃范围内，晶片谐振频率的温度稳定性控制在0～25ppm/℃。本发明克服了石英晶体机电耦合系数较低(＜8％)，钽酸锂、硅酸镓镧等晶体频率稳定范围较窄的问题，适于制成宽温度范围内使用的频率控制器件。
ndca sub bo 晶体频率温度系数应用

[发明专利]三硼酸铋晶体高温压电切型及其在高温压电领域的应用-CN201410160486.5有效
发明人：赵显;于法鹏;路庆明;程秀风;段秀兰;侯帅;王贺伟;陈菲菲;张树君 -专利权人：山东大学
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种三硼酸铋晶体高温压电切型及其在高温压电领域的应用。本发明采用单斜晶系的BiB₃O₆晶体研制高压电常数晶体切型，有效压电常数可达40pC/N，在室温到600℃具有较高的温度稳定性。本发明克服了压电陶瓷材料使用温度偏低，铌酸锂晶体压电常数不高等缺点，制成宽温度范围内使用的压电传感和超声探测元器件。
硼酸晶体高温压电及其领域应用

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