专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]Cs2-CN201910940204.6在审
  • 金盛烨;尹延峰;田文明;边继明 - 中国科学院大连化学物理研究所
  • 2019-09-30 - 2021-03-30 - C30B29/12
  • 本发明公开了一种Cs2AgBiBr6掺杂Rb的合成方法,属于材料发光领域。所述方法为:在合成Cs2AgBiBr6的过程中,采用不同含量的Rb对Cs2Cs2AgBiBr6掺杂Rb单晶的生长。通过不同含量Rb的掺杂,Cs2AgBiBr6的荧光强度先增加后减小,Cs2的扩散系数先增加后减小,为Cs2AgBiBr6的研究和发展提供了指导意义。
  • csbasesub
  • [发明专利]混合单晶的制备方法及光电二极管-CN202211073728.8在审
  • 张秀娟;揭建胜;孙玉叶;常志臻 - 苏州纳捷森光电技术有限公司
  • 2022-09-02 - 2023-04-04 - C30B7/14
  • 本发明提供了一种锡混合单晶的制备方法及光电二极管,属于锡混合单晶制备技术领域。该制备方法包括:制备锡混合前驱体溶液;提供一导电基底,并在导电基底上形成空穴传输层;提供一盖片,并利用修饰剂在盖片的表面形成疏水修饰层;向导电基底上的空穴传输层添加锡混合前驱体溶液;将盖片压紧在导电基底上,使得疏水修饰层和空穴传输层之间形成微米级间隙;对盖片和导电基底进行最高温度不超过预设温度的梯度升温加热,以使得锡混合前驱体溶液结晶生长为锡混合单晶;去除导电基底和盖片,以获取锡混合单晶本发明的制备方法成功制备了表面光滑、无明显晶界并具有高结晶质量的单晶薄片。
  • 混合钙钛矿单晶制备方法光电二极管
  • [发明专利]一种大面积单晶膜、制备方法及其应用-CN202211366691.8在审
  • 李建荣;冯艳;刘浪 - 江西理工大学
  • 2022-11-01 - 2023-03-31 - C30B29/54
  • 本发明公开了一种大面积单晶膜、制备方法及其应用,涉及光电探测技术领域,其技术要点为:本发明的大面积单晶膜的制备方法利用气‑液表面与界面作用,通过调节溶剂和生长条件,得到大面积(C7H16N)2CuBr4结构单晶膜。本发明提供单晶膜的生长方法在理论上面积可以无限制延伸,得到的单晶膜厚度能实现在3‑560μm可调。用厚度560μm的单晶膜制备的X射线探测器光电响应开关比达到91.8,且暗电流低至0.11pA。本发明涉及到的单晶膜的生长方法简单,原料廉价易得,适用于大面积的单晶膜生长,有望在X射线探测器具有潜在应用价值。
  • 一种大面积无铅钙钛矿单晶膜制备方法及其应用

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