专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2130461个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]射频器件-CN200910225553.6无效
  • 谢伦琛;蔚翔;赖德强;庞照勇;李晓林 - 华为技术有限公司
  • 2009-11-30 - 2010-05-05 - H01P1/00
  • 一种射频器件,包括金属底座、连接在金属底座上的外壳及压置于外壳的封装盖,由所述金属底座、外壳及封装盖形成容纳腔,所述外壳由非金属材料制成,在所述容纳腔内设有金属导磁片,所述金属导磁片与所述金属底座形成磁体通路本发明实施方式由容纳腔内的金属导磁片与金属底座形成磁体通路,实现射频器件的基本功能,具有高可靠性;外壳由非金属材料制成,可实现模具化批量生产,设计和加工非常容易实现,能有效提高加工效率,降低成本。
  • 无源射频器件
  • [实用新型]器件模具-CN201621114190.0有效
  • 彭贤志;刘小春 - 东莞洲亮通讯科技有限公司
  • 2016-10-11 - 2017-04-12 - H01P11/00
  • 本实用新型公开了无器件模具。该器件模具包括壳体、分布于所述壳体上的若干腔体与谐振柱台,所述壳体上还设有进水口,相邻的所述腔体之间采用加强筋连接,相邻的所述谐振柱台之间采用耦合筋连接,所述进水口的拔模斜度为4.5度‑5.5度;所述壳体对应于所述腔体底部的厚度为本实用新型所述器件模具,不易拉伤和变形,寿命长,能使得产品更好地填充与脱模。
  • 无源器件模具
  • [发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构-CN202110729591.6在审
  • 涂旭峰;霍炎 - 矽磐微电子(重庆)有限公司
  • 2021-06-29 - 2021-10-01 - H01L21/56
  • 其中,半导体封装方法包括:在器件的正面设置基板层,器件的正面具有电性连接键,基板层中设有贯穿基板层相对两表面的基板层开口,基板层开口与电性连接件相对应;在裸片正面形成保护层,并在保护层上形成保护层开口;裸片正面设有焊垫,保护层开口与裸片正面的焊垫相对应;将器件和裸片间隔贴装于载板上;裸片的正面朝向载板,器件的正面朝向载板;形成包封层,包封层至少包封裸片和器件的侧面。通过预先在器件表面设置基板层,解决了部分器件锡端子面无法直接封装的技术难题,并且有利于保证器件的稳定性及可靠性。裸片正面的保护层有利于保护裸片。
  • 半导体封装方法结构
  • [发明专利]封装结构及其形成方法-CN202310626087.2在审
  • 陈海杰;王长文;刘昊宇 - 江阴长电先进封装有限公司
  • 2023-05-30 - 2023-08-01 - H01L21/60
  • 一种封装结构的形成方法包括:提供转接板,转接板包括第一重布线层,第一重布线层包括第一组导电衬垫及第二组导电衬垫;提供器件基板,器件基板包括器件层及覆盖器件层的第二重布线层,器件层包括至少一器件,第二重布线层包括第三组导电衬垫及第四组导电衬垫,第三组导电衬垫的另一端与器件电连接;以第一重布线层的第一表面及第二重布线层的第一表面为键合面,采用混合键合工艺将转接板与器件基板键合;自器件基板背离转接板的表面去除部分器件层,以暴露出第四组导电衬垫;在器件基板背离转接板的表面设置至少一芯片,芯片与第四组导电衬垫电连接。该方法直接在转接板内部或者表层集成器件,提高了工艺兼容性。
  • 封装结构及其形成方法
  • [发明专利]射频器件机器制作方法-CN201911073285.0在审
  • 秦国轩;杨晓东;游子璇 - 天津大学
  • 2019-11-05 - 2020-04-28 - H01L21/265
  • 本发明属于射频器件领域,为提出一种新型滤波器结构,具有制作工艺简单,制作工艺与半导体制作工艺兼容的特点,使得器件易于与有源器件进行集成。为此,本发明采取的技术方案是,射频器件机器制作方法,首先通过光刻技术在本征半导体衬底上形成掺杂图形区域。然后,对该区域进行选择性高浓度掺杂,掺杂厚度为3‑5微米。掺杂后对器件进行退火处理,完成新型射频器件的制备。本发明主要应用于射频器件设计制造场合。
  • 无源射频器件机器制作方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top