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- [发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构-CN202080092801.9在审
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程凯;张丽旸
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苏州晶湛半导体有限公司
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2020-04-26
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2022-12-02
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H01L21/02
- 一种半导体结构的制作方法及半导体结构，所述制作方法包括：提供衬底(1)；在所述衬底(1)上形成无定形层(2)，所述无定形层(2)包括多个图形(21)，使部分衬底(1)暴露；在所述无定形层(2)上形成金属氮化物层(3)；去除所述无定形层(2)，所述衬底(1)与所述金属氮化物层(3)之间形成多个空腔(30)；去除所述衬底(1)。在衬底(1)上形成无定形层(2)，并在无定形层(2)上形成金属氮化物层(3)，无定形层(2)可抑制外延生长时产生滑移或位错，从而提高金属氮化物层(3)的质量，改善半导体结构的性能，同时金属氮化物层(3)
- 半导体结构制作方法
- [发明专利]光栅的制作方法-CN201210120460.9有效
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符雅丽;王新鹏
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2012-04-23
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2013-10-30
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G02B5/18
- 本发明提供了一种光栅的制作方法：在半导体衬底上依次形成刻蚀终止层、无定形碳硬掩膜层和光阻胶层；将光罩上的光栅图形转移到光阻胶层上，形成图案化的光阻胶层；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀无定形碳硬掩膜层至显露出刻蚀终止层；无定形碳硬掩膜层经过刻蚀后具有与光罩上的光栅图形相应的间距；去除光阻胶层后，沉积氧化硅层并回刻所述氧化硅层，使氧化硅层填充在经过刻蚀的无定形碳硬掩膜层两侧的空间位置，其高度与无定形碳硬掩膜层相同；灰化去除所述无定形碳硬掩膜层；沉积金属并对其进行化学机械研磨，形成填充在氧化硅层两侧的金属线，其高度与无定形碳硬掩膜层相同。
- 光栅制作方法
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