专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]功率感知填充-CN201580044163.2有效
  • G·帕奇拉腊斯;A·伊兰里;A·E·特纳;B·雷赫利克 - 高通股份有限公司
  • 2015-07-24 - 2019-11-26 - G06F12/0886
  • 各方面包括用于实现针对小于缓存行的数据的缓存存储存取请求和通过将该数据与填充数据进行组合来消除从主存储过度提取的计算设备、系统和方法,其中该填充数据具有在缓存行和该数据的大小之间的差值的大小。处理可以使用数据的大小或数据的压缩比率来确定数据(未压缩或压缩的)是否小于缓存行。处理可以使用恒定数据值或数据值的模式来生成填充数据。处理可以向缓存存储控制发送针对经组合的数据的写缓存存储存取请求,缓存存储控制可以向缓存存储写入该经组合的数据。缓存存储控制可以向存储控制发送写存储存取请求,存储控制可以向存储写入经组合的数据
  • 功率感知填充
  • [发明专利]存储系统及存储系统的控制方法-CN202211137703.X在审
  • 小林弘幸;出口淳;弘原海润治;都井敬 - 铠侠股份有限公司
  • 2018-08-06 - 2022-12-23 - G06F13/16
  • 本发明的一实施方式提供一种解决串列接口与存储接口的数据传送速度不匹配,且大容量、宽频带的存储系统及存储系统的控制方法。根据一实施方式,存储系统具备第1及第2存储存储控制及桥接电路。存储控制发送第1数据,该第1数据是应分别写入给第1及第2存储数据,并且是在振幅方向及时间方向中的任一方向以上分配给对应的各存储的区域中包含各存储的特定比特数据。桥接电路从自存储控制发送的第1数据中分配给该第1存储的区域,取出特定比特数据,控制特定比特数据向第1存储的写入,并且将所取出的特定比特数据从第1数据去除后的第2数据,发送给控制向第2存储数据写入的第
  • 存储器系统控制方法
  • [发明专利]智能处理装置与降低存储带宽的方法-CN202111433001.1有效
  • 何虎;周世杰 - 锐宸微(上海)科技有限公司
  • 2021-11-29 - 2023-03-28 - G06N3/063
  • 本申请实施例公开了一种智能处理装置与降低存储带宽的方法。该智能处理装置包含第一与第二存储存储管理电路与卷积运算电路。存储管理电路自外部存储转移输入数据至第一存储。卷积运算电路自第一存储读取输入数据,并执行多级运算以产生多个特征图数据。在产生第一特征图数据中的第一区块数据后,存储管理电路储存第一区块数据至第二存储。当所储存的第一区块数据数据量满足默认数值时,存储管理电路自第二存储转移第一区块数据至第一存储,且卷积运算电路自第一存储读取第一区块数据,并据以执行第二级运算以产生第二特征图数据的第二区块数据
  • 智能处理器装置降低存储器带宽方法
  • [发明专利]纹理数据的方法和设备-CN97121354.2有效
  • 小泽裕幸 - 索尼公司
  • 1997-08-30 - 2003-09-10 - G06T17/00
  • 一种以读取速度不受存储尺寸影响的方式从存储读出纹理数据从而不需使用高速缓冲存储单元的系统,其中存储地址比较单元将当前像素的存储地址与紧邻之前的邻近像素的存储地址进行比较,比较结果作为信息供给比较结果存储单元存储存取单元接收与该邻近的像素存储地址不同的存储地址并读出存储中相应地址的纹理数据,纹理数据重构单元根据比较结果存储单元的信息从纹理数据存储单元中读出纹理数据,从而重构纹理数据
  • 纹理数据方法设备
  • [发明专利]带有纠错及数据刷洗电路的存储系统-CN201980067024.X在审
  • 陆宇;林潔予 - 美商若响半导体股份有限公司
  • 2019-10-11 - 2021-06-08 - G06F3/06
  • 本发明为一种纠错存储系统及操作该存储系统的方法。在一些实施例中,存储系统包括:数据存储;ECC存储;及数据刷洗电路,其电耦合至ECC存储数据存储数据刷洗电路系可配置对接收刷洗数据命令作出回应,用以纠正数据存储中的错误。用以纠错的码字长度可比数据存储正常存取期间使用的字长度长。在一些实施例中,存储系统包括与第一位错误率相关联的第一存储电路,及与第二位错误率相关联的第二存储电路。在一些实施例中,存储系统包括可纠错的多层存储单元(MLC)阵列。
  • 带有纠错数据刷洗电路存储器系统
  • [发明专利]数据存储装置与数据处理方法-CN202010484223.5在审
  • 刘远平;李怡桦;杨子逸 - 慧荣科技股份有限公司
  • 2020-06-01 - 2021-09-10 - G06F3/06
  • 本发明公开了一种数据存储装置,包括一存储装置与一存储控制存储控制配置多个第一存储区块自一主机装置接收数据,第一存储区块形成至少一第一超区块。当储存于第一存储区块之数据之一数据量达到一特定数值时,存储控制于一既定程序中将数据自第一存储区块搬移至多个第二存储区块,第二存储区块形成至少一第二超区块,第二超区块包含位于不同的存储芯片之第二存储区块,并且储存于第一超区块中相邻之两个逻辑数据页之数据被写入两个位于不同的存储芯片的第二存储区块。
  • 数据存储装置数据处理方法
  • [发明专利]一种阵列式存储存储单元控制方法-CN202210714480.2有效
  • 吴佳;李礼;吴叶楠 - 浙江威固信息技术有限责任公司
  • 2022-06-22 - 2023-08-15 - G06F3/06
  • 本发明属于数据存储技术领域,涉及阵列式存储存储单元控制方法,本发明在阵列式数据存储中设置了控制,控制中包括监控系统,采用监控系统实时监控并获取存储单元的实时工作负载,并根据存储单元的工作负载和现阶段数据存储情况对存储单元进行调度,以提高用户的数据存储速度和服务体验。本发明还提供了一种阵列式数据存储的控制方法,以降低数据存储成本、提高数据存储速度为导向,同时兼顾数据存储企业的经营成本和用户使用体验,通过本发明的存储低成本控制算法对存储单元进行控制,按照现阶段需要存储数据具体情况调用合适的存储单元进行数据存储,在尽可能降低存储成本的同时完成数据的高速存储任务。
  • 一种阵列存储器单元控制方法
  • [发明专利]存储装置及其程式化方法-CN201710043193.2有效
  • 陈毓明 - 华邦电子股份有限公司
  • 2017-01-19 - 2021-05-18 - G11C16/08
  • 本发明提供一种存储装置包括:存储阵列,包括储存数据的多个存储胞;感测电路,耦接至所述存储阵列以读取储存在所述存储阵列中的数据数据暂存,用于储存欲写入至所述存储阵列,数据处理,以及控制单元中的数据所述数据处理器用以接收欲写入至所述存储阵列中的输入数据单元,以及基于储存在所述存储阵列中的阵列数据单元处理所述输入数据单元,以产生已处理的数据单元。所述控制单元用以将所述已处理数据单元写入至所述存储阵列中。
  • 存储器装置及其程式化方法

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