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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种放电结构及充放电结构-CN201910961816.3有效
发明人：邱连兴 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：一种放电结构及充放电结构，包括：目标元器件和放电电路；其中，放电电路与目标元器件相连接，用于释放目标元器件的剩余电荷。本申请由于没有或只有少量输入/输出(IO)口的参与，因此在无需或只需少量IO口的情况下实现了元器件的放电，从而极大程度地节省了资源开销。
一种放电结构

[实用新型]放电电极结构-CN201721440356.2有效
发明人：肖雄;白莹;史慧新;文元彬;宁志芳 -专利权人：合肥华凌股份有限公司;合肥美的电冰箱有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： A61L9/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及放电电极净化领域，公开了一种放电电极结构，其中，所述放电电极结构包括第一电极和第二电极，所述第一电极包括形成为多孔结构的电极板(1)，所述第二电极包括平行于所述电极板(1)的线电极(2)。通过上述技术方案，具有通孔的电极板和线电极组成的电极之间可以避免尖端放电，避免或降低臭氧的产生，在净化空气的同时避免造成二次污染，同时避免产生臭氧而损坏电器结构。
放电电极结构电极板第二电极第一电极线电极臭氧本实用新型电器结构多孔结构二次污染放电电极尖端放电净化空气电极通孔平行净化

[实用新型]放电电极结构-CN201721419000.0有效
发明人：白莹;肖雄;史慧新;宁志芳 -专利权人：合肥华凌股份有限公司;合肥美的电冰箱有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： A61L9/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及放电净化领域，公开了一种放电电极结构，其中，所述放电电极结构包括第一电极(1)、第二电极(2)以及设置在所述第一电极(1)和所述第二电极(2)之间的绝缘介质(3)，所述绝缘介质(3)为多孔结构通过上述技术方案，设置在第一电极和第二电极之间的绝缘介质可以在一定程度上均化放电，使得第一电极和第二电极之间的线放电转化为面放电，提高分解有机物的效率，并且放电电压相对较低，避免或降低了臭氧的产生，减少臭氧的二次污染
第二电极第一电极放电放电电极结构绝缘介质臭氧本实用新型分解有机物多孔结构二次污染放电电压周围部件电极均化净化转化

[实用新型]电弧放电装置的放电阳极结构-CN200620077464.3无效
发明人：吴旭峰;徐春祥;朱光平;凌一鸣 -专利权人：东南大学
申请日： 2006-08-14 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： B01J19/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于电弧放电装置的放电阳极结构，包括阳极棒，该阳极棒内沿轴向设有一个用以填充氧化锌或锌粉的孔。所述阳极棒安装在散热片上的一个孔内。从散热片顶部开螺纹孔，用螺钉将阳极棒固定。这样，导电的阳极棒材料就作为放电电流通道，解决了原材料导电性差的问题。散热片用以防止放电过程中高温通过阳极棒传递使得支撑体发生碳化，而且一定程度对阳极棒进行冷却，并通过配套的螺纹孔和螺钉固定阳极棒。螺钉与阳极棒之间的金属片则有助于增大接触面积，提高放电效率。
电弧放电装置阳极结构

[发明专利]静电放电结构和具有静电放电结构的芯片-CN201410250686.X在审
发明人：黄柏狮;吴宗翰;虞继尧 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供一种静电放电结构和具有静电放电结构的芯片。该静电放电结构包括输入级；该输入级包括：输入焊盘，配置为接收输入信号；第一静电放电钳位电路，耦接于该输入焊盘和工作电压之间；第二静电放电钳位电路，耦接于该输入焊盘和接地电压之间，其中该第一静电放电钳位电路和该第二静电放电钳位电路能够旁通过大的静电电流本发明所提出的静电放电结构和具有静电放电结构的芯片，可改善充电装置模型的鲁棒性。
静电放电结构具有芯片

[发明专利]充放电电路结构、充放电设备、充放电系统和充、放电方法-CN201910760777.0有效
发明人：宋金梦;棘文建;刘洋;刘俊华;凌和平 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B60L53/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种充放电电路结构、充放电设备、系统和方法。其中，充放电电路结构应用于具有充放电口的充放电设备中，充放电口包括A+端、A‑端、DC+端、DC‑端和CAN通信端；充放电电路结构包括电池管理器、动力电池、启动电池和第一可控开关模块；启动电池的正端与第一可控模块的第一端、电池管理器的电源正端连接，启动电池的负端与电池管理器的电源负端、A‑端连接，第一可控模块的第二端与A+端连接，电池管理器的A+连接端与A+端连接，电池管理器的CAN通信端与充放电口的CAN通信端连接；
放电电路结构设备系统方法

[发明专利]静电除尘装置-CN202010202767.8有效
发明人：董双幸;封宗瑜;肖德玲;曾焕雄;王墅;赵勇 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B03C3/41 文献下载
摘要：本发明提供了一种静电除尘装置，包括：放电模块，包括多个放电结构，多个放电结构由内至外依次套设，各个放电结构均包括放电模块接地筒和放电组件，放电模块接地筒绕放电组件的周向设置；各个放电组件均包括第一自由端和第一固定端，第一自由端插设在相应的放电模块接地筒内，第一固定端位于相应的放电模块接地筒外；集尘模块，集尘模块设置在各个放电结构的放电组件远离该放电结构的放电模块接地筒的一侧，以使气体经过放电模块后进入集尘模块。本发明的静电除尘装置解决了现有技术中的静电除尘装置需要的放电电压较高的问题。
静电除尘装置

[发明专利]静电放电保护结构-CN201510571157.4在审
发明人：吕宇强 -专利权人：帝奥微电子有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种静电放电保护结构，其特征在于，包括具有第一掺杂类型或者第二掺杂类型的衬底；具有第一掺杂类型的体区，设置于该衬底上；具有重掺杂的第二掺杂类型的第一有源区，设置于该体区内；具有轻掺杂的第二掺杂类型的漂移区，设置于该衬底上；栅极结构，部分覆盖于该第一有源区以及该漂移区上；具有重掺杂的第二掺杂类型的第二有源区，设置于该漂移区未被该栅极结构覆盖的位置上；以及具有重掺杂的第二掺杂类型的第三有源区，设置于该漂移区被该栅极结构覆盖的部分与该第二有源区之间
静电放电保护结构

[发明专利]静电放电测试结构-CN201611044428.1在审
发明人：张子恒;曾仁洲;宋明相 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种静电放电(ESD)测试结构包括位于第一管芯中的测量装置。所述静电放电测试结构进一步包括位于第二管芯中的熔断器。所述静电放电测试结构进一步包括多个接合件，将所述第一管芯电连接至所述第二管芯，其中所述多个接合件中的第一接合件将所述熔断器电连接至所述测量装置。
静电放电测试结构

[发明专利]静电放电防护结构-CN202111499179.6在审
发明人：林昌民;林志轩;周业宁;邱华琦;李建兴 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种静电放电防护结构，其中，所述静电放电防护结构包括一P型衬底、一P型结构、一N型埋层、一元件主动区、一P型保护环以及一N型结构。P型结构形成于P型衬底之中，作为P型衬底的电性接触。N型结构形成于N型埋层之上，并位于P型保护环与P型结构之间。本发明实施例可以大幅提高静电放电防护结构的静电放电耐受度。
静电放电防护结构

[发明专利]静电放电保护结构-CN202111443893.3在审
发明人：梁旦业 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种静电放电保护结构。该静电放电保护结构中，衬底具有第一导电类型；源极区和漏极区均具有与第一导电类型相反的第二导电类型，且间隔设置在衬底中；栅极结构设置在源极区和漏极区之间的衬底上；浮空设置的第一掺杂区具有第一导电类型，设置在漏极区的远离栅极结构的一侧的衬底中，且与漏极区间隔设置，第一掺杂区的掺杂浓度大于衬底的掺杂浓度；源极区和栅极结构共同电连接至第一电位端，漏极区电连接至第二电位端。增加第一掺杂区能够降低静电放电保护结构的寄生NPN晶体管的集电结的雪崩击穿电压，有助于降低静电放电保护结构的触发电压。
静电放电保护结构

[发明专利]静电放电保护结构-CN201410027721.1有效
发明人：甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-01-21 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电放电保护结构，包括P型衬底；位于所述P型衬底内的N型阱区和P型阱区，所述N型阱区和所述P型阱区相邻并接触；位于所述N型阱区内的第一N型掺杂区和第一P型掺杂区，所述第一N型掺杂区和所述第一P型掺杂区耦接于静电放电输入端；位于所述P型阱区内的第二N型掺杂区和第二P型掺杂区，所述第二N型掺杂区和所述第二P型掺杂区耦接于静电放电输出端；位于至少一阱区内的反向掺杂区，所述反向掺杂区适于增大所述静电放电输入端与所述静电放电输出端之间的阻抗本发明技术方案提供的静电放电保护结构的维持电压较大，有利于避免闩锁效应。
静电放电保护结构

[发明专利]静电放电保护结构-CN201310232133.7有效
发明人：甘正浩;霍晓;张莉菲;代萌;俞少峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电放电保护结构，包括P型衬底，位于所述P型衬底内的触发三极管和可控硅结构；所述可控硅结构包括位于所述P型衬底内的第一N型阱区和P型阱区，所述第一N型阱区和P型阱区相邻且相接触，位于所述第一N型阱区内的第一P型掺杂区，位于所述P型阱区内的第二P型掺杂区和第二N型掺杂区；所述触发三极管的集电极、第一P型掺杂区与静电放电输入端相连接，所述第二N型掺杂区与静电放电输出端相连接，所述触发三极管的发射极、第二P型掺杂区与升压电阻的一端相连接，所述升压电阻的另一端与静电放电输出端相连接。所述静电放电保护结构利用触发电压较低的触发三极管进行辅助触发，使得所述静电放电保护结构的触发电压较低。
静电放电保护结构

[发明专利]静电放电保护结构-CN201310295934.8有效
发明人：温詠儒;王畅资;唐天浩 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：静电放电保护结构，包括基底、接点区、第一金属氧化物半导体元件、第二金属氧化物半导体元件、第一掺杂区以及第二掺杂区。接点区位于基底中。第一金属氧化物半导体元件包括具有第一导电型的第一漏极区，位于基底中。
静电放电保护结构

[发明专利]静电放电保护结构-CN201310259916.4有效
发明人：霍晓;张莉菲;甘正浩;代萌;俞少峰;严北平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电放电保护结构，包括位于衬底内的阱区，阱区内具有第一导电类型的掺杂离子，阱区与接地端电连接；位于衬底内的第二掺杂区，第二掺杂区位于阱区表面，第二掺杂区内具有第二导电类型的掺杂离子，第二掺杂区的掺杂浓度高于阱区的掺杂浓度；位于衬底内的第一掺杂区，第一掺杂区位于第二掺杂区表面，且第一掺杂区的表面与衬底表面齐平，第一掺杂区内具有第一导电类型的掺杂离子，第一掺杂区与静电放电输入端电连接，第一掺杂区的掺杂浓度高于第二掺杂区的掺杂浓度该静电放电保护结构的击穿电压低，保护能力提高。
静电放电保护结构

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