“改质层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果2711914个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种内通道形成方法及内通道制作系统-CN202211336246.7在审
发明人：张松;刘志磊;陆红艳;朱凡 -专利权人：帝尔激光科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B23K26/046 文献下载
摘要：本申请提供一种内通道形成方法及内通道制作系统，利用贝塞尔光束照射待加工器件，以在待加工器件中形成多个第一改质线和多个第二改质线，多个第一改质线和多个第二改质线沿预设加工路径分布，第一改质线从待加工器件的第一侧完全贯穿或部分贯穿待加工器件，以便引流腐蚀液进入待加工器件内部，多个第二改质线位于待加工器件的内部，将待加工器件置于腐蚀液中进行腐蚀加工，在待加工器件内形成沿预设加工路径且覆盖多个第二改质线所在位置的内通道，在腐蚀加工的过程中，多个以第一改质线所在位置为中心的第一腐蚀区用于在被腐蚀后将腐蚀液传输至多个以第二改质线所在位置为中心的第二腐蚀区
一种通道形成方法制作系统

[发明专利]激光加工方法-CN200780025390.6无效
发明人：筬岛哲也 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2007-06-06 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：当沿着切断预定线在加工对象物的厚度方向上形成多列改质区域时，精度良好地形成最接近第1面的第1改质区域、以及最接近第2面的第2改质区域。本实施方式的激光加工方法中，将聚光点对准于加工对象物(1)的内部并照射激光，沿着加工对象物(1)的切断预定线(5)，在加工对象物(1)的厚度方向上形成作为切断的起点的改质区域(M1～M6)。该改质区域(M1～M6)中，最接近背面(21)的改质区域(M6)以背面(21)的位置为基准而形成，最接近表面(11a)的改质区域(M1)以表面(11a)的位置为基准而形成。于是，即使加工对象物(1)的厚度产生偏差，发生变化，也抑制了改质区域(M6)的位置及改质区域(M1)的位置因加工对象物(1)的厚度的变化而发生偏移。
激光加工方法

[发明专利]一种半钢转炉炼钢终渣的改质方法-CN201210301527.9有效
发明人：陈均;曾建华;陈永;梁新腾;李青春;翁建军;喻林;何为;谢明科 -专利权人：攀钢集团研究院有限公司;攀钢集团攀枝花钢钒有限公司;攀钢集团西昌钢钒有限公司
申请日： 2012-08-23 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C21C5/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种半钢转炉炼钢终渣的改质方法，在转炉炼钢的全过程配合底吹供气模式，在出钢前根据终点钢水氧活度先后加入预定量的第一改质物质和第二改质物质，静置后出钢，其中，第一改质物质为碳质还原材料，第二改质物质为镁质材料本发明克服了采用改质剂对终渣进行改质成本高、效果不明显的缺点，使用低成本的炼钢辅料替代转炉终渣的调整剂或改质剂，并通过对底吹供气强度的调整达到终点调渣和降低炉渣中全铁含量的双重目的。
一种转炉炼钢方法

[发明专利]一种改质沥青外循环电加热工艺装置-CN201811275434.7在审
发明人：杨雪松;单春华 -专利权人：中冶焦耐（大连）工程技术有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C10C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种改质沥青外循环电加热工艺装置，包括循环泵、电加热器、阀门(一)、阀门(二)、返回管、抽出管、温度记录调节仪表和温度记录仪表。由循环泵将改质沥青抽出送到电加热器加热后再返回到改质沥青贮槽或送去液体装车，省去了庞大的导热油系统，解决了改质沥青贮存和加热难问题，既节省了改质沥青贮槽空间，又使得在液体改质沥青去装车时，可以加热到需要的温度，加热均匀，不需要设置改质沥青循环搅拌管道，节省能量，设备造价低、运行成本低廉。
改质沥青加热电加热器工艺装置温度记录电加热外循环循环泵阀门贮槽装车导热油系统调节仪表加热均匀设备造价循环搅拌运行成本抽出管返回管贮存抽出仪表返回

[实用新型]一种改质沥青外循环电加热工艺装置-CN201821774386.1有效
发明人：杨雪松;单春华 -专利权人：中冶焦耐（大连）工程技术有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： C10C3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种改质沥青外循环电加热工艺装置，包括循环泵、电加热器、阀门(一)、阀门(二)、返回管、抽出管、温度记录调节仪表和温度记录仪表。由循环泵将改质沥青抽出送到电加热器加热后再返回到改质沥青贮槽或送去液体装车，省去了庞大的导热油系统，解决了改质沥青贮存和加热难问题，既节省了改质沥青贮槽空间，又使得在液体改质沥青去装车时，可以加热到需要的温度，加热均匀，不需要设置改质沥青循环搅拌管道，节省能量，设备造价低、运行成本低廉。
改质沥青加热电加热器工艺装置温度记录电加热外循环循环泵阀门贮槽装车本实用新型导热油系统调节仪表加热均匀设备造价循环搅拌运行成本抽出管返回管贮存抽出仪表返回

[发明专利]液晶面板及其配向膜-CN201110321017.3无效
发明人：谢忠憬;贺成明 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：本发明公开一种液晶面板及其配向膜，所述配向膜是由侧链上具有共轭双键的改质聚酰亚胺制成，通过共轭双键的特性来降低聚酰亚胺的电阻值，使所述配向膜的电阻值小于所述液晶面板中的液晶材料的电阻值，且同时提高改质聚酰亚胺配向膜的亚胺化率本发明是通过改质聚酰亚胺的侧链上的共轭双键来传导液晶层的带电离子，以防止部分区域的离子浓度的增加，进而改进影像残留的问题。
液晶面板及其

[发明专利]一种钢包脱氧造渣改质剂及其制造方法-CN200710157920.4无效
发明人：廖相巍;李德刚;温铁光;李广帮;黄玉平;孙群;王向辉 -专利权人：鞍钢股份有限公司
申请日： 2007-10-31 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： C21C7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种钢包脱氧造渣改质剂，包括活性白灰、金属粉，铝矾土与石灰石粉及助熔剂，其特征在于改质剂是由上述材料制成双层或三层结构的球状颗粒，本发明的优点及效果在于，在相同组分条件下，采用此结构的钢渣改质剂与其它形式的改制剂
一种钢包脱氧造渣改质剂及其制造方法

[发明专利]一种电炉钢渣改质剂及其电炉钢渣改质的方法-CN201510890406.6在审
发明人：周显涛 -专利权人：莱芜钢铁华威工程有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： C04B5/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种电炉钢渣改质剂和电炉钢渣的改质方法。本发明提供的电炉钢渣改质剂包括：河沙骨料、煤矸石骨料、粉煤灰和纯碱；所述电炉钢渣改质剂按质量百分比包括Al₂O₃ 14.5-22.5％，CaO 2.4-4％和本发明的改质剂可以用于电炉钢渣的在线改质，充分利用钢渣显热，将钢渣成分由硅钙体系改为硅铝体系，渣铁分离效果好，提高了铁素回收率。
一种电炉钢渣改质剂及其方法

[发明专利]矿物原料的改质方法-CN202180027136.X在审
发明人：谷山奈津美;吉川崇 -专利权人：栗田工业株式会社
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C22B1/00 文献下载
摘要：一种矿物原料的改质方法，其为向矿物原料中添加改质剂来对所述矿物原料进行改质的方法，所述方法包括：连续地测定所运送的所述矿物原料的水分率的工序；基于所述水分率，算出所述改质剂的添加量的工序；以及将所述添加量的所述改质剂添加至所述矿物原料的工序，通过所述改质剂的添加，防止所述矿物原料的向处理设备的附着、在所述处理设备内的堵塞、向所述处理设备内及所述处理设备外的喷出、以及体积密度的降低中的至少任一者。
矿物原料方法

[发明专利]一种改质沥青的生产系统及其制备方法-CN201410028982.5有效
发明人：朱兴建;沈鹏;吴凤娥;王永志;王莹;廉久会;张蒿 -专利权人：鞍山兴德工程技术有限公司
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C10C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种改质沥青的生产系统及其制备方法，将来自焦油加工装置二次蒸发器的中温沥青通过管道送入带有闪蒸油气处理装置的改质中间体沥青加工设备，经真空闪蒸器闪蒸后产生的闪蒸油气进入重油处理设备进行重洗油馏分的分离及冷凝回收利用，并将闪蒸后生成的改质中间体沥青送入沥青改质反应设备生产改质沥青。本发明显著提升了改质沥青的各项指标，极大地减少了能源与动力消耗，保证了整个反应过程没有污染物外泄。
一种沥青生产系统及其制备方法

[发明专利]切断用加工方法-CN201210103660.3有效
发明人：坂本刚志;下井英树;内山直己 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：通过向加工对象物(1)对准聚光点并照射激光，以沿着切断预定线(5)在加工对象物(1)中形成改质区域(M1)。对该形成有改质区域(M1)的加工对象物1，通过利用对改质区域的蚀刻速率比对非改质区域的蚀刻速率高的蚀刻液施以蚀刻处理，来蚀刻改质区域(M1)。因此，利用对改质区域(M1)的高蚀刻速率，沿着切断预定线(5)有选择且迅速地蚀刻加工对象物(1)。
切断加工方法

[发明专利]切断用加工方法-CN200880017270.6有效
发明人：坂本刚志;下井英树;内山直己 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：通过向加工对象物(1)对准聚光点并照射激光，以沿着切断预定线(5)在加工对象物(1)中形成改质区域(M1)。对该形成有改质区域(M1)的加工对象物1，通过利用对改质区域的蚀刻速率比对非改质区域的蚀刻速率高的蚀刻液施以蚀刻处理，来蚀刻改质区域(M1)。因此，利用对改质区域(M1)的高蚀刻速率，沿着切断预定线(5)有选择且迅速地蚀刻加工对象物(1)。
切断加工方法

[发明专利]晶圆加工方法及装置-CN201910265825.9有效
发明人：王亭入;范小贞;柳啸;陈畅;杨深明;李福海;巫礼杰;卢建刚;尹建刚;高云峰 -专利权人：大族激光科技产业集团股份有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆加工方法及装置，晶圆加工方法包括以下步骤：激光从晶圆的正面入射金属导电薄膜，并沿切割轨迹在所述金属导电薄膜上移动，以使得金属导电薄膜上产生与切割轨迹相对应的划痕；调整激光的聚焦点，对晶圆内部进行改质加工，以使得晶圆内形成改质层，调整后的激光的聚焦点到晶圆的正面的距离d满足如下条件：加工方法装置

[发明专利]晶片的加工方法-CN201711120722.0在审
发明人：裵泰羽 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：的多条间隔道，该晶片的加工方法包含如下的激光加工步骤：将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的内部并且沿着该间隔道照射该激光束，从而沿着该间隔道在晶片的内部形成在晶片的厚度方向上重叠的多个改质层，如果将对具有与解理方向平行的多条间隔道的晶片进行分割时需要在晶片的厚度方向上重叠地形成的改质层的数量设为n层，则在该激光加工步骤中，在晶片的厚度方向上重叠地形成m层的改质层，其中，n为自然数，m为
晶片间隔道改质层解理激光加工步骤激光束加工方向平行聚光点透过性波长分割照射

[发明专利]一种半导体元件的制备方法-CN202210323719.3在审
发明人：李春昊;郝宏伟;王金生;仰瑞;巫礼杰;高云峰 -专利权人：大族激光科技产业集团股份有限公司;深圳市大族半导体装备科技有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：所述半导体元件的制备方法包括在基底层的一侧面生长形成第一外延层；利用激光在基底层内形成第一改质层；将基底层沿第一改质层分离出预设厚度范围的第一衬底；其中，第一外延层位于第一衬底上；在第一外延层表面制备第一器件本发明通过将激光由基底层的任意一侧入射，激光在基底层内部加工出第一改质层，直接加工出预设厚度范围的第一衬底，第一衬底厚度通常为50μm～150μm。
一种半导体元件制备方法

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top