专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种非易失性存储器的擦除方法和装置-CN201310059146.9在审
  • 刘永波 - 北京兆易创新科技股份有限公司
  • 2013-02-25 - 2014-08-27 - G11C16/14
  • 本发明提供了一种非易失性存储器擦除的方法和装置,其中,所述方法包括:对目标擦除块进行预编程操作;所述目标擦除块中包括多个目标擦除扇区;针对所述经预编程操作的多个目标擦除扇区施加擦除脉冲进行擦除;针对所述经过擦除的多个目标擦除扇区进行擦除校验;若存在所述擦除校验失败的目标擦除扇区,则针对所述擦除校验失败的目标擦除扇区施加擦除脉冲继续擦除,直至所述目标擦除块中的所有目标擦除扇区擦除校验成功为止;针对擦除校验成功的目标擦除扇区进行过擦除纠正。本发明可减少目标擦除块的进行擦除时间,减少过擦除的目标擦除扇区,减少过擦除纠正的数量和纠正所需要的时间,提高擦除的准确性及效率。
  • 一种非易失性存储器擦除方法装置
  • [发明专利]一种快闪存储器的擦除方法和装置-CN201210307085.9有效
  • 陈建梅;胡洪 - 北京兆易创新科技股份有限公司
  • 2012-08-24 - 2014-03-12 - G11C16/14
  • 申请提供了一种快闪存储器的擦除方法和装置,以解决现有技术增加擦除测试成本和擦除成功率越来越低的问题。所述方法包括:预先设定第一次擦除擦除强度、最大擦除次数和擦除操作次数X;进行第一次擦除;统计所经历的擦除次数;根据擦除次数和最大擦除次数确定擦除次数比较参数,根据擦除次数比较参数确定下一次擦除擦除强度和最大擦除次数;继续对快闪存储器进行擦除、统计擦除次数、确定擦除次数比较参数,以及确定下一次擦除擦除强度和最大擦除次数的循环操作,直至全部存储单元擦除完毕或进行第X次擦除后为止。不通过测试操作确定固定的擦除电压和最大擦除时间,节省了擦除的成本;也考虑到快闪存储器的老化问题,提高了擦除成功率。
  • 一种闪存擦除方法装置
  • [发明专利]一种数据的擦除方法和装置-CN201710877045.0在审
  • 战磊 - 青岛海信移动通信技术股份有限公司
  • 2017-09-25 - 2018-03-06 - G06F3/06
  • 本发明实施例提供了一种数据的擦除方法和装置,该方法包括确定待擦除的数据;查询所述数据的特征信息;从预设的多个擦除类别中选择与所述特征信息匹配的擦除类别,作为目标擦除类别;采用所述目标擦除类别中的擦除方式擦除所述数据通过提供多种擦除类别、多种擦除方式,基于待擦除的数据的实际状况自适应地选择合适的擦除类别及擦除方式进行擦除,大大提高了擦除操作的灵活性,可以兼顾擦除的效率、安全性,在擦除普通数据时,可以使用擦除效率高的擦除方式进行擦除,节约时间,在擦除涉及个人隐私或者财产安全的数据时,可以使用擦除安全性高的擦除方式进行擦除,避免泄露数据,保证数据安全。
  • 一种数据擦除方法装置
  • [发明专利]一种快闪存储器的擦除方法和装置-CN201210431561.8有效
  • 陈建梅;胡洪 - 北京兆易创新科技股份有限公司
  • 2012-11-01 - 2014-05-14 - G11C16/14
  • 本发明实施例公开了一种快闪存储器的擦除方法和装置,以解决现有技术对同一批产品的整体擦除速度慢,以及同一个快闪存储器的擦除速度越来越慢的问题。其包括:预先生成n个不同的擦除强度组合,并设定擦除操作的最大擦除次数;根据n个不同的擦除强度组合中的第一次擦除操作的擦除强度组合对快闪存储器进行擦除操作,并生成擦除信号;根据擦除信号选择下一次擦除操作的擦除强度组合或终止擦除操作;进行擦除、生成擦除信号和选择擦除强度组合的循环操作,直至擦除操作的次数等于最大擦除次数或擦除信号为终止擦除信号为止。通过在预先生成的n个不同的擦除强度组合中,智能选择下一次擦除操作的擦除强度组合,提高了快闪存储器的擦除速度。
  • 一种闪存擦除方法装置
  • [发明专利]非易失性存储器的擦除方法和非易失性存储器-CN202111130514.5在审
  • 陈洋;刘杨 - 合肥格易集成电路有限公司;兆易创新科技集团股份有限公司
  • 2021-09-26 - 2023-03-31 - G06F3/06
  • 本公开提供一种非易失性存储器的擦除方法及非易失性存储器,涉及半导体技术领域。该方法包括:对目标擦除区域执行第一擦除操作后执行第一擦除验证操作,获得目标擦除区域中各个存储单元的第一擦除验证结果;根据目标擦除区域中各个存储单元的第一擦除验证结果获得目标擦除区域的第一擦除验证结果;响应于获得目标擦除区域的第一擦除验证结果为未通过,对目标擦除区域执行第二擦除操作后执行第二擦除验证操作,获得目标擦除区域中各个存储单元的第二擦除验证结果;根据目标擦除区域中第一擦除验证结果和第二擦除验证结果均为未通过的存储单元的数量判断是否对目标擦除区域执行第三擦除操作该方法缩小了擦除操作后存储单元的阈值电压分布范围。
  • 非易失性存储器擦除方法
  • [发明专利]一种存储器擦除的方法和装置-CN201310084243.3有效
  • 张现聚;丁冲;苏志强;程莹 - 北京兆易创新科技股份有限公司
  • 2013-03-15 - 2017-05-17 - G11C16/14
  • 本发明提供了一种存储器擦除的方法和装置,所述方法包括对目标擦除块进行预编程操作;施加第一擦除脉冲对经过预编程操作的目标擦除块进行第一擦除操作;对所述目标擦除块进行第一过擦除验证操作;对所述目标擦除块进行第一擦除验证操作;判断所述第一擦除验证操作是否成功;施加第二擦除脉冲对所述经过预编程操作的目标擦除块进行第二擦除操作;对所述目标擦除块进行第二过擦除验证操作;对所述目标擦除块进行第二擦除验证操作;判断所述第二擦除验证操作是否成功;对所述目标擦除块进行第三过擦除验证操作。本发明不仅极大降低了过擦除风险,而且缩短了过擦除修复所需的大量时间,提高了存储器的擦除可靠性和速度。
  • 一种存储器擦除方法装置
  • [发明专利]一种书写路径擦除方法及设备-CN201610628823.8有效
  • 王敏;李春华;张振宝 - 海信视像科技股份有限公司
  • 2016-08-03 - 2021-06-18 - G06F3/0488
  • 本发明公开了一种书写路径擦除方法,通过确定与用户选择的擦除方式对应的擦除间距,根据擦除间距对待擦除的书写路径进行补点处理,补点处理后的书写路径所包含的数据点两两之间的距离不大于擦除间距;根据所述用户输入的擦除路径以及所述擦除方案在补点处理后的书写路径中确定擦除区域;根据预设的擦除算法对所述擦除区域进行擦除。通过对待擦除区域进行补点,使待擦除区域内的书写路径可以在当前的擦除方式下进行精确的擦除,有效的提高了电子白板在擦除过程中的擦除精度。
  • 一种书写路径擦除方法设备
  • [发明专利]一种视觉传达教学用多点多方位演示装置-CN202111026472.0有效
  • 高飞;崔兰珍;纪璐;张鹏翔;马笑 - 河南财政金融学院
  • 2021-09-02 - 2022-10-21 - B43L21/04
  • 一种视觉传达教学用多点多方位演示装置,包括演示板,演示板侧壁通过金属软轴连接有擦除结构,擦除结构包括擦除件、除屑部,擦除件近似椭球形,擦除结构能够擦除演示板上的内容,擦除结构能够调整擦除件与演示板的接触面面积,擦除结构能够通过擦除件往复移动来驱动除屑部,除屑部能够对擦除件与演示板接触处进行除屑处理。本装置通过一种可调节擦除件的摩擦面面积的擦除结构以适应不同面积的擦除内容,既能快速擦除大面积内容,又能擦除细节内容,提高了本装置的适用性,当擦除擦除件产生碎屑,通过擦除动作使除屑部清理擦除件的表面碎屑,不仅减少了人为清理碎屑的操作,而且使擦除件的擦除效果更好,提高了本装置的便利性。
  • 一种视觉传达教学多点多方位演示装置
  • [发明专利]一种闪存的擦除方法-CN201710007941.1在审
  • 任栋梁;钱亮 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2017-01-05 - 2017-05-31 - G11C16/16
  • 一种闪存的擦除方法,包括以下步骤设置擦除电压为第一预设擦除电压,并且采用所述第一预设擦除电压对所述闪存的存储单元进行擦除操作;在每次完成所述擦除操作后,检验所述存储单元的擦除结果,如果所述擦除结果为擦除失败,则重复采用所述第一预设擦除电压对所述闪存的存储单元进行擦除操作;如果擦除失败的次数达到第一预设次数,则调节所述擦除电压至第二预设擦除电压,所述第二预设擦除电压高于所述第一预设擦除电压,所述第一预设次数大于等于2;采用所述第二预设擦除电压对所述存储单元进行一次或多次高压擦除。本发明方案可以在获得相近的擦除操作成功率的基础上,减少擦除操作的耗时。
  • 一种闪存擦除方法
  • [发明专利]自适应多阶段擦除-CN201680047839.8有效
  • N.N.杨;A.鲍谢 - 桑迪士克科技有限责任公司
  • 2016-06-09 - 2020-02-07 - G11C16/16
  • 本文所描述的各种实施方式包括用于在储存器设备中使能自适应多阶段擦除的系统、方法和/或设备。该方法包括:通过执行擦除阶段操作的序列直到满足擦除操作停止条件,来对一个或多个非易失性存储器设备的部分执行擦除操作。每个擦除阶段操作包括:使用擦除电压对非易失性存储器设备的部分执行擦除阶段,并且确定擦除阶段的擦除阶段统计。对于除了第一擦除阶段操作之外的擦除阶段操作的序列中的每个擦除阶段操作,在执行擦除阶段操作时所使用的擦除电压等于在执行擦除阶段操作的序列中的前一个擦除阶段操作时所使用的擦除电压加上基于前一个擦除阶段操作的擦除阶段统计的擦除电压增量
  • 自适应阶段擦除
  • [发明专利]一种控制擦除性能的方法和装置-CN201910356982.0有效
  • 刘言言;许梦;付永庆 - 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
  • 2019-04-29 - 2022-07-08 - G11C16/14
  • 本发明提供了一种控制擦除性能的方法以及装置。所述方法应用于NOR flash存储器,所述NOR flash存储器包括:擦除循环次数检测单元、时钟频率发生器、擦除操作状态机以及擦除存储单元,所述擦除操作状态机包括:计数器,所述方法包括:所述擦除操作状态机接收擦除操作指令,根据擦除操作指令执行擦除验证操作和擦除加压操作,擦除加压操作包括:接收擦除循环次数检测单元发送的循环次数,根据循环次数调整单次擦除加压操作的时间,根据调整后的时间完成擦除加压操作。本发明在执行擦除加压操作时,擦除操作状态机根据循环次数,调整单次擦除加压操作的时间,完成擦除加压操作,控制擦除验证操作和擦除加压操作的循环周期,提高NOR flash存储器的擦除性能。
  • 一种控制擦除性能方法装置

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