专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111392096.7在审
  • 苏博;赵振阳;纪世良 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2021-11-23 - 2023-05-23 - H01L27/088
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:在鳍部之间的掩埋电源轨顶部形成阻挡层,阻挡层与两侧的鳍部相间隔;在衬底上形成隔离层,隔离层覆盖鳍部的部分侧壁,且还覆盖掩埋电源轨的顶部;在隔离层的顶部形成横跨鳍部的栅极结构,栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁;在栅极结构两侧的鳍部中形成源漏掺杂层;在第一器件单元区的源漏掺杂层的顶部形成第一互连,第一互连与源漏掺杂层电连接;在第二器件单元区的源漏掺杂层的顶部形成第二互连,第二互连还从源漏掺杂层的侧部向下延伸至掩埋电源轨的顶部,第二互连与源漏掺杂层以及掩埋电源轨电连接。阻挡层降低了第一互连与第二互连之间发生短路的概率。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [实用新型]一种防潮粉剂原料储罐-CN201921930305.7有效
  • 徐强;张银芝;程学敏;张玉福 - 郑州巨人生化集团有限公司
  • 2019-11-11 - 2020-06-23 - B65D1/10
  • 本实用新型涉及一种防潮粉剂原料储罐,包括罐体和罐盖,所述罐体的上端部与罐盖之间采用螺纹连接;所述罐体上端部的内侧面上设置有沿所述罐体径向延伸的环形凸台,所述防潮粉剂原料储罐还包括插接在所述罐体上端部内的,所述包括本体和与所述本体螺纹连接的盖,所述本体开设有上端开口的用于放置颗粒干燥剂的腔室,所述腔室的侧壁与底板上开设有用于气体交换的通气孔,所述本体直径小于所述环形凸台围合形成的孔的孔径,所述盖的直径大于所述环形凸台围合形成的孔的孔径并小于所述罐体上端部的孔径;所述盖下端面上设置有用于与本体螺纹连接的延边;从而简化现有技术中储存罐结构,提高储存罐的密封性。
  • 一种防潮粉剂原料
  • [发明专利]分接连接器-CN201811248256.9有效
  • 斯特凡·加绍尔 - WAGO管理有限责任公司
  • 2018-10-25 - 2023-02-10 - H01R13/506
  • 本发明描述一种分接连接器(1),其具有绝缘材料壳体(2)并且具有接触元件(3),所述接触元件用于当分接连接器(1)插到导电型材上时导电地接触所述导电型材的电导线。分接连接器(1)具有导线架(9),所述导线架承载多个连接导线(5),用于将连接导线(5)连结到前置设备(15)上。连接导线(5)悬置地在接触元件(3)和导线架(9)的位置之间延伸。
  • 分接式插塞连接器
  • [实用新型]高频连接器的接插结构-CN201420318870.9有效
  • 林栽龙 - 威海乐士康电子有限公司
  • 2014-06-16 - 2014-10-29 - H01R13/631
  • 本实用新型公开了一种高频连接器的接插结构,其特征在于所述壳体由高频连接器壳体和接插所述高频连接器壳体的高频连接器耦合式壳体组成,壳体锁定工具具有下端开放的四边形形状,在躯体外侧上端有第一固定槽,在躯体外侧下端有第二固定槽,在内侧上下左右四个方向分别设有用于插入半径方向突出部分的导槽,高频连接器耦合式壳体的上端设有与壳体锁定工具的第一固定槽相扣的第一突起部分,高频连接器耦合式壳体的下端设有与壳体锁定工具的第二固定槽相扣的第二突起部分
  • 高频插塞式连接器结构
  • [发明专利]嵌入存储元件及其制造方法-CN201310350033.4有效
  • 廖修汉;庄哲辅 - 华邦电子股份有限公司
  • 2013-08-12 - 2018-02-16 - H01L27/11521
  • 本发明公开了一种嵌入存储组件及其制造方法,该嵌入存储组件包括栅极结构位于衬底的晶胞区上。源极区与漏极区分别位于晶胞区的栅极结构的两侧的衬底中。第一接触窗位于衬底上,与源极区接触。第二接触窗位于衬底上,与漏极区接触。第一接触窗的顶面高度低于第二接触窗的顶面高度。介电层在第一接触窗以及第二接触窗周围,且介电层中具有凹陷,裸露出第一接触窗。填充层位于凹陷中。导体层位于衬底上,导体层与第二接触窗接触,且导体层通过填充层与第一接触窗电性隔绝。利用移除位于源极区上的部分接触窗,于形成的凹陷中回填填充层隔绝,可以省去形成介层窗的步骤,且可免除介层窗与接触窗叠对的问题。
  • 嵌入式存储元件及其制造方法
  • [发明专利]可变电阻存储器结构及其制作方法-CN202111287182.1在审
  • 林奕佑;许博凯;邱崇益 - 联华电子股份有限公司
  • 2021-11-02 - 2023-05-09 - H10N70/20
  • 本发明公开一种可变电阻存储器结构及其制作方法,其中该可变电阻存储器结构包含一基底,一晶体管设置在基底上,其中晶体管包含一栅极结构、一源极和一漏极,一漏极接触漏极,一金属层间介电层位于漏极的上方,一可变电阻存储器位于漏极上并且位于金属层间介电层内的一第一沟槽中,其中可变电阻存储器包含漏极、一金属氧化层和一上电极,漏极作为可变电阻存储器的下电极,金属氧化层接触漏极,上电极接触金属氧化层以及一金属层设置于第一沟槽中
  • 可变电阻存储器结构及其制作方法

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