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[发明专利]一种超高密度细晶ITO靶材的生产方法-CN201911314764.7有效
发明人：黄誓成;陆映东;张倍维;梁盈祥;覃当凤 -专利权人：广西晶联光电材料有限责任公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高密度细晶ITO靶材的生产方法，包括以下步骤：（1）首先制备氧化铟掺锡粉体和氧化锡掺铟粉体，即采用化学法所得铟锡氧化物前驱体或混合法所得氧化铟和氧化锡混合粉，在温度为800‑950℃，保温时间为4‑12小时的条件下进行煅烧，然后用10‑40℃的水淬冷，得到氧化物粉体；（2）将氧化铟掺锡粉体和氧化锡掺铟粉体按比例混合成混合粉体，混合球磨并造粒，成型后，在氧气氛中烧结，烧结温度1500‑1550℃该方法采用高温淬火的氧化铟掺锡粉体和氧化锡掺铟粉体进行球磨混合，成型后，在氧气氛中低温烧结，得到超高致密度、晶粒细小的ITO靶材，该生产方法简单、适合批量生产。
一种超高密度 ito 生产方法

[发明专利]掺锡氧化铟粉中硅含量的测定方法-CN201910266439.1有效
发明人：黄肇敏;韦猛;赖馥馨;林葵;周素莲;黎颖;李健;罗艳;胡永玫;黎羿合;韦莉;聂小明;黄一帆;刘平;何贵香;邓卫利;李凤 -专利权人：广西壮族自治区冶金产品质量检验站;广西壮族自治区分析测试研究中心;桂林理工大学南宁分校
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明属于理化检测技术领域，具体涉及一种掺锡氧化铟粉中硅含量的测定方法，采用钼蓝光度法进行测定掺锡氧化铟粉中硅的含量，具体包括制备标准溶液、分析试样溶液的制备、测定、分析结果的计算等步骤。采用本发明的方法能够快速、准确、高效的测定出掺锡氧化铟粉中硅的含量，且该方法简便、可靠，可用来监控掺锡氧化铟粉的质量，促进掺锡氧化铟粉行业的健康发展。
氧化铟粉中硅含量测定方法

[发明专利]采用X射线衍射法对掺锡氧化铟粉进行物相分析的方法-CN201910267146.5有效
发明人：黄肇敏;李凤;韦猛;周素莲;林葵;李健;黎颖;罗艳;聂小明;胡永玫;韦莉;赖馥馨;黄一帆;刘平;何贵香;邓卫利;黎羿合 -专利权人：广西壮族自治区冶金产品质量检验站;广西壮族自治区分析测试研究中心;桂林理工大学南宁分校
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本发明涉及化学物相分析技术领域，具体地指一种采用X射线衍射法对掺锡氧化铟粉进行物相分析的方法。该方法包括（1）试样制备（2）仪器设备与测试条件（3）测试条件（4）分析步骤（5）数据处理等步骤。本发明采用X射线衍射法对掺锡氧化铟粉进行物相分析的方法，用于掺锡氧化铟粉分析中，将得到的掺锡氧化铟粉样品X射线衍射数据与衍射的PDF卡片库中标准谱图进行比较进而确定样品中所含的物相成分。其操作简单可控，同时结果准确、可靠；可在此基础上，建立掺锡氧化铟粉物相分析行业标准，从而促进掺锡氧化铟粉行业的健康发展。
采用射线衍射氧化进行分析方法

[发明专利]掺锡氧化铟粉中铁、铝、铅、镍、铜、镉、铬和铊含量的测定方法-CN201910267124.9在审
发明人：黄肇敏;林葵;韦猛;韦莉;聂小明;罗艳;黎颖;周素莲;李健;胡永玫;李凤;黄一帆;赖馥馨;黎羿合;刘平;何贵香;邓卫利 -专利权人：广西壮族自治区分析测试研究中心;广西壮族自治区冶金产品质量检验站;桂林理工大学南宁分校
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明属于理化检测技术领域，具体涉及一种掺锡氧化铟粉中铁、铝、铅、镍、铜、镉、铬和铊含量的测定方法，包括：（1）制备标准溶液、(2)分析试样溶液的制备、（3）随同试样做空白试验溶液、（4）标准系列溶液的制备本发明方法是将试料经氢氧化钠熔融，热水浸出盐酸酸化后，用电感耦合等离子体原子发射光谱仪测定试料溶液中待测元素特征谱线的强度，通过标准曲线法计算出试料中铁、铝、铅、镍、铜、镉、铬和铊的量。采用该方法能够快速有效的测定出掺锡氧化铟粉中铁、铝、铅、镍、铜、镉、铬和铊的含量，进而监控掺锡氧化铟粉的质量，促进掺锡氧化铟粉行业的健康发展。
掺锡氧化铟粉试料制备原子发射光谱仪标准系列溶液空白试验溶液元素特征谱线制备标准溶液耦合等离子体标准曲线法分析试样理化检测氢氧化钠试料溶液盐酸酸化热水浸熔融测量监控健康

[实用新型]无极感应放电荧光灯-CN99227036.7无效
发明人：于映;陈跃 -专利权人：福州大学
申请日： 1999-01-05 - 公布日： 2000-05-10 - 主分类号： H01J65/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无极感应放电荧光灯,一个在其一端带有凹腔的真空密封方式封闭物,其内充填有中等气压惰性气体和很低气压汞蒸汽的,灯泡壳内壁和腔外壁均涂覆稀土三基色荧光粉层的玻璃放电灯泡,在灯泡壳内壁面上镀覆了掺锡氧化铟透明导电膜,在凹腔外壁面上镀覆了二氧化钛粉透明介质膜,在玻壳外层镀覆一层掺锡氧化铟透明导电膜,位于塑料灯头内的泡壳内壁部分,在掺锡氧化铟与稀土三基色荧光粉层之间,涂覆二氧化钛粉层。
无极感应放电荧光灯

[发明专利]掺铌纳米铟锡氧化物粉末及其高密度溅射镀膜靶材的制备方法-CN200910087558.7无效
发明人：张维佳;郑伟;张静;沈燕龙;赵而敬 -专利权人：北京航空航天大学;郑伟
申请日： 2009-06-29 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：一种掺铌纳米铟锡氧化物粉末及其高密度溅射镀膜靶材的制备方法，包括以下步骤：(1)对高纯金属进行溶解：用无机酸溶解高纯金属铌、高纯金属铟、高纯金属锡成透明溶液；(2)配料：将透明溶液按比例分装容器；(3)化学沉淀：将三种透明溶液制得掺铌重掺锡的氢氧化铟纳米粉末；(4)清洗：用去离子水清洗掺铌重掺锡的氢氧化铟纳米粉末并沉淀；(5)煅烧：将纳米粉末进行煅烧，制得掺铌纳米铟锡氧化物粉末；(6)造粒：将掺铌纳米铟锡氧化物粉末加入粘合剂并干燥，制得掺铌的铟锡氧化物成型前粉未；(7)成型：将掺铌的铟锡氧化物成型前粉末压制成初胚；(8)烧结：将初胚进行常压烧结，制得高密度掺铌的铟锡氧化物溅射镀膜靶材；若要进一步提高该靶密度，则采用气压烧结。
纳米氧化物粉末及其高密度溅射镀膜制备方法

[发明专利]一种触摸屏网格型电极及其制作方法-CN201410269865.8有效
发明人：陈祖辉;蔡曙日;蔡怀清;林玉辉 -专利权人：福建科创光电有限公司
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种触摸屏网格型电极及其制作方法，该触摸屏网格型电极包括透明基板、氧化锡铟或掺氟二氧化锡层、镍层和金层。氧化锡铟或掺氟二氧化锡层、镍层和金层的形状相同，重合叠加在一起，其中氧化锡铟或掺氟二氧化锡层位于基板的第一表面上，镍层位于氧化锡铟或掺氟二氧化锡层之上，金层位于镍层之上。氧化锡铟或掺氟二氧化锡层、镍层和金层所具有形状是随机圆形或多边形并且随机相连的网格形状。本发明实现了在触摸屏上制作以氧化锡铟或掺氟二氧化锡为基础的网格型电极，具有较高的可制造性，可靠性，经济性等特点。
一种触摸屏网格电极及其制作方法

[发明专利]一种氧化铟或掺锡氧化铟包覆的正极材料及其制备方法-CN201710752144.6在审
发明人：项宏发;汪梦成;孙毅;梁鑫 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化铟或掺锡氧化铟包覆的用于锂电池的正极材料，其制备方法，包含其的正极，以及包含所述正极的锂电池。所述氧化铟或掺锡氧化铟在所述正极材料的表面形成致密均一的包覆层，基于100重量％的用于锂电池的正极材料，所述氧化铟或掺锡氧化铟的量为0.5重量％至5重量％。
一种氧化铟包覆正极材料及其制备方法

[发明专利]抗静电功能增强板的制造方法-CN03154875.X无效
发明人：服部章良;长谷川真也;吉池信幸 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1998-09-09 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： C03C17/42 文献下载
摘要：一种抗静电功能增强板，在其基底上包括：两层其上按不同量掺杂锡的掺锡氧化铟薄膜；两层其上按不同量掺杂锑的掺锑氧化锡薄膜；或两层其上按不同量掺铝的掺铝氧化锌薄膜。在上述的掺锡氧化铟薄膜、上述的掺锑氧化锡薄膜或上述的掺铝氧化锌薄膜的上(表面)层中锡、锑或铝的搀杂量大于下层锡、锑或铝的搀杂量。
抗静电功能增强制造方法

[发明专利]抗静电功能增强板和它的制造方法-CN98120357.4无效
发明人：服部章良;长谷川真也;吉池信幸 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1998-09-09 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： C03C17/42 文献下载
摘要：一种抗静电功能增强板，在其基底上包括：两层其上按不同量掺杂锡的掺锡氧化铟薄膜；两层其上按不同量掺杂锑的掺锑氧化锡薄膜；或两层其上按不同量掺铝的掺铝氧化锌薄膜。在上述的掺锡氧化铟薄膜、上述的掺锑氧化锡薄膜或上述的掺铝氧化锌薄膜的上(表面)层中锡、锑或铝的搀杂量大于下层锡、锑或铝的搀杂量。
抗静电功能增强制造方法

[发明专利]一种p型导电的掺铟氧化锡薄膜-CN03141558.X无效
发明人：季振国;何振杰 -专利权人：浙江大学
申请日： 2003-07-07 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开的p型导电的氧化锡薄膜为掺铟氧化锡薄膜，薄膜中铟/锡原子比为0.01～0.30，薄膜的晶体结构为金红石结构。本发明采用在氧化锡中掺铟，使得氧化锡薄膜成p型导电，由此可以获得氧化锡同质pn结，有利于制作基于氧化锡的宽禁带耐高温电子器件及光电器件。
一种导电氧化薄膜

[发明专利]一种共掺铌、铟的纳米氧化锡粉体的制备及应用方法-CN201810149584.7有效
发明人：沈涛;张玲洁;张继;杨辉;樊先平 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明涉及纳米粉体材料制备及应用，旨在提供一种共掺铌、铟的纳米氧化锡粉体的制备及应用方法。包括：取五氯化铌、三氯化铟和五水四氯化锡并加至去离子水中，充分溶解后形成均匀的混合溶液；加入络合剂进行金属阳离子的络合反应；以氨水溶液调节溶液pH值为7～12后继续反应形成溶胶；调节旋转蒸发温度后继续反应形成湿凝胶；干燥处理，所获粉体在研磨、过筛后进行烧结处理，获得共掺铌、铟的纳米氧化锡粉体。本发明对氧化锡表面的结构特性进行了有效地改性处理，从而为后续与银基体相复合提供基础，使银基电接触复合材料能在密度、电学、硬度性能方面得到进一步的改进。
纳米氧化锡粉体共掺制备应用纳米粉体材料五水四氯化锡调节溶液pH 金属阳离子氧化锡表面氨水溶液改性处理干燥处理混合溶液结构特性络合反应三氯化铟烧结处理五氯化铌性能方面旋转蒸发研磨复合材料电学络合剂湿凝胶银基电银基体有效地粉体过筛水中离子溶解复合改进

[发明专利]一种铟锡氧化物（ITO）纳米粉体及其制造方法-CN201210376860.6在审
发明人：祝渊;汤子康;陈克新;王岩;徐明强 -专利权人：中山大学
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米铟锡氧化物粉体，该纳米铟锡氧化物粉体包括铟化合物和锡化合物；其中，氧化铟：氧化锡的质量比为9：1；该纳米铟锡氧化物粉体为不规则椭球状。该纳米铟锡氧化物粉体为不规则椭球状。本发明铟锡氧化物（ITO）纳米粉体制造方法所得到的铟锡氧化物（ITO）纳米粉体，粒径较为均匀，基本在60nm左右，分散性良好。
一种氧化物 ito 纳米及其制造方法

[实用新型]一种薄膜太阳电池的减反射结构-CN201520009371.6有效
发明人：郝会颖;何明 -专利权人：中国地质大学（北京）
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种薄膜太阳电池的减反射结构，所述减反射结构包括玻璃底板；所述玻璃底板一侧覆盖有掺铝氧化锌薄膜、掺锡氧化铟薄膜或掺氟氧化锡薄膜；所述掺铝氧化锌薄膜、掺锡氧化铟薄膜或掺氟氧化锡薄膜与所述玻璃底板之间嵌装有纳米铝颗粒层
一种薄膜太阳电池反射结构

[发明专利]燃料电池隔离件-CN201910323661.0有效
发明人：高田智司 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01M8/0228 文献下载
摘要：所述燃料电池隔离件在基材上具有含有掺锑氧化锡和掺锡氧化铟的复合膜，上述复合膜中的锡与铟的元素比(Sn/In)为1.4以下。
燃料电池隔离

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