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[发明专利]一种掺氮碳材料包覆氧化亚硅的复合材料及其制备方法-CN201710634110.7有效
发明人：齐美洲;杨茂萍;杨尘;王辉 -专利权人：合肥国轩高科动力能源有限公司
申请日： 2017-07-29 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺氮碳材料包覆氧化亚硅的复合材料，以氧化亚硅为核，以掺氮碳材料包覆氧化亚硅形成核壳结构，其中，掺氮碳材料为掺氮石墨烯和掺氮氧化沥青的混合物；掺氮碳材料包覆氧化亚硅的复合材料中，按重量百分比计包括：70～90％氧化亚硅、5～20％掺氮石墨烯、3～15％掺氮氧化沥青；本发明还公开了一种掺氮碳材料包覆氧化亚硅的复合材料的制备方法。本发明以氧化亚硅为核，以掺氮碳材料包覆氧化亚硅形成核壳结构，在提高负极材料电子导电性的同时，还可以缓冲负极材料在脱嵌锂过程中的体积变化，提高材料循环过程中的结构稳定性，具有可逆容量高、循环性能好的优点。
一种掺氮碳材料氧化复合材料及其制备方法

[发明专利]一种硅-碳-氮复合负极材料及其制备方法-CN201410515321.5有效
发明人：刘三兵;梅周盛 -专利权人：奇瑞汽车股份有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅‑碳‑氮复合负极材料及其制备方法，属于锂离子电池负极材料领域。所述方法包括：在氩气气氛下，以0.5‑10℃/min的升温速率将硅源和氮源的混合物加热至600‑1000℃，在600‑1000℃的温度下烧结3‑15小时，降温至室温，得到掺氮的硅基材料；将掺氮的硅基材料和石墨混合均匀，并在氮气气氛下，以0.5‑10℃/min的升温速率将掺氮的硅基材料和石墨的混合物加热至500‑900℃，并在500‑900℃的温度下烧结1‑10小时，降温至室温，得到硅‑碳‑氮复合负极材料。本发明通过对硅材料进行氮掺杂，能够减小硅材料的能带宽度，提高其导电性；通过石墨包覆在该掺氮的硅基材料表面，能够有效缓冲硅材料的体积效应，所制备的硅‑碳‑氮复合负极材料具有优良的倍率性能和循环稳定性。
一种复合负极材料及其制备方法

[发明专利]一种氮掺杂碳包覆硅纳米材料及其制备方法和应用-CN201810077349.3在审
发明人：刘娟娟 -专利权人：合肥国轩高科动力能源有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮掺杂碳包覆硅纳米材料，所述氮掺杂碳包覆硅纳米材料的掺氮量为4.0‑4.2wt％。本发明还公开了一种氮掺杂碳包覆硅纳米材料的制备方法和应用。本发明所制备的氮掺杂碳包覆硅纳米材料具有高掺氮量、大比表面积和孔径多样化的特征，同时可以通过调控聚吡咯的量来控制包覆碳的厚度，有效地控制硅材料的膨胀，灵活性较大，整个制备过程简单易操作，适宜成本低。试验证明，本发明氮掺杂碳包覆硅纳米材料的比表面积明显大于未包覆前的硅纳米材料，达到242.7m2/g；本发明氮掺杂碳包覆硅纳米材料的孔径在2‑10nm范围，具有多样化的孔径结构。
硅纳米材料氮掺杂碳包覆制备方法和应用掺氮有效地控制孔径结构制备过程硅材料聚吡咯控制包包覆制备膨胀调控试验

[发明专利]一种氮掺多孔微米盘硅碳复合材料、制备方法及其应用-CN202111447544.9在审
发明人：郭守武;訾凤高;张利锋;阮欢;张雨末;朱勇军;刘洪岐 -专利权人：陕西汉唐森源实业发展集团有限责任公司;陕西科技大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C01B33/023 文献下载
摘要：本发明提供一种氮掺多孔微米盘硅碳复合材料、制备方法及其应用，属于微纳米材料合成领域。本发明制备的硅碳复合材料的内核为多孔含硅物质，所述多孔含硅物质呈直径为20μm的圆盘状，且表面具有丰富的孔隙结构。所述多孔含硅物质表面具有氮掺立体网络状碳包覆层，可以有效缓解硅锂合金在充放电过程中的体积变化。本发明原料均为工业级产品，廉价易得，制备工艺简单，重复性较强，适合批量化生产。制备的氮掺硅碳复合材料形貌特征鲜明，作为锂离子电池负极材料，具有较好的电化学性能。
一种多孔微米盘硅碳复合材料制备方法及其应用

[发明专利]氮氧共掺双碳包覆的多孔硅碳复合材料、制备方法及其应用-CN202111447553.8有效
发明人：高生辉;郭守武;阮欢;张利锋;田亚飞;沈云成;高峰;李立;王凤 -专利权人：陕西榆能集团能源化工研究院有限公司;陕西科技大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01M4/1393 文献下载
摘要：本发明提供氮氧共掺双碳包覆的多孔硅碳复合材料、制备方法及其应用，属于微纳米材料合成领域。该硅碳复合材料具有独特的内、中、外三层结构，内核为多孔含硅物质，硅颗粒粒径为20μm，且表面具有丰富的孔隙结构。中间层为氧掺碳包覆层，可以提高复合材料的电导率和对电解液的浸润性。外层为氮掺碳包覆层，所述氮掺碳层为立体多孔网络状结构，可以有效缩短锂离子的传输路径，增加复合材料的韧性，减小电极材料因体积变化发生的结构破坏。制备的硅碳复合材料结构特殊，形貌特征鲜明，作为锂离子电池负极材料，具有较好的电化学性能。
氮氧共掺双碳包覆多孔复合材料制备方法及其应用

[发明专利]一种掺氮碳包覆硅复合材料及其制备方法-CN201510338749.1在审
发明人：张校刚;郑浩;方姗;童震坤 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开一种掺氮碳包覆硅复合材料及其制备方法，属于锂离子电池领域。其中掺氮碳包覆硅复合材料是由硅储锂材料作为主要活性物质存在于复合材料内部，以及具有一定的储锂容量的导电性良好的有机热解掺氮碳作为包覆层，硅在复合材料中的含量为30％～90％；其制备方法包括复合材料前驱体的制备及碳包覆工艺另外，本发明以廉价的二氧化硅作为硅源，通过金属镁热还原法将其转化为具有储锂活性的硅材料。与现有技术相比，本发明流程短，易于操作，合成工艺简单，易于实现规模化生产，制备的掺氮碳包覆硅复合材料作为锂离子电池负极材料时，具有优异的电化学性能，在便携式移动设备及电动汽车方面具有潜在应用前景。
一种掺氮碳包覆硅复合材料及其制备方法

[发明专利]一种掺氮硅碳复合负极材料及其制备方法-CN201910852579.7有效
发明人：许晓落;刘尚;安静 -专利权人：石家庄尚太科技股份有限公司;山西尚太锂电科技有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明提供一种掺氮硅碳复合负极材料，所述负极材料通过通入硅源气体、碳源气体和氮源气体，在高温下裂解，生成自由基硅和碳，形成掺氮碳化硅，并包覆在内核多孔纳米硅表面形成结构稳定、包覆均匀性强、致密度高的掺氮碳化硅材料包覆层，避免内核直接与电解液接触，降低其副反应发生机率；同时通过化学裂解形成的掺氮碳化硅一方面较碳材料具有较高的容量，导电率；另一方面，硅烷气体裂解后形成的硅自由基与内核纳米硅之间可以形成结构牢固的包覆层材料
一种掺氮硅碳复合负极材料及其制备方法

[发明专利]一种硅磷共掺杂硬碳复合材料及其制备方法和应用-CN202210565007.2在审
发明人：梁金;梁慧宇 -专利权人：常州烯源谷新材料科技有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种硅磷共掺杂硬碳复合材料，其具有核壳结构，所述内核为掺杂硅和磷的硬碳，以内核的总重量计，硅和磷元素所占的质量百分比均为0.5％‑2％；所述外壳为掺氮的无定型碳，以外壳的总重量计，氮元素所占的质量百分比为本发明的材料采用先将气化的磷源和硅源在高温下掺杂在硬碳表面，再将碳源和氮源进行气相沉积的方法制备。其利用硅为复合材料提供高比容量，且硅掺杂在硬碳中，束缚充放电过程中的硅的膨胀，使硅与磷在加热及反应过程中发生合金化，提升材料的结构稳定性；采用气相沉积法在内核表面包覆掺氮无定形碳，其包覆均匀，阻抗低，首次效率提升
一种硅磷共掺杂复合材料及其制备方法应用

[发明专利]栅极氧化的碳化硅器件及其制造方法-CN202310626447.9在审
发明人：梁帅;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极氧化的碳化硅器件及其制造方法，其中，栅极氧化的碳化硅器件的制造方法包括以下步骤提供中间器件，在JFET层的顶部通过第一预设浓度的掺氮多晶硅沉积形成第一预设厚度的掺氮多晶硅层；将中间器件放入扩散炉中加热，在掺氮多晶硅层的顶部形成第二氧化层和第一氧化层；在第一氧化层的顶部沉积多晶硅形成栅电极；在第一氧化层的顶部制备钝化层；在钝化层的顶部制备源电极并在衬底层的底部制备漏电极。在本发明通过在JFET层上沉积掺氮多晶硅，掺氮多晶硅进行氧化时，将掺氮多晶硅中的氮原子向SiC材质的JFET层处推近，通过氮原子钝化减少JFET层和氧化硅层接触面形成的聚集碳团和近界面陷阱数量，提高碳化硅器件的击穿电压
栅极氧化碳化硅器件及其制造方法

[发明专利]一种三维多孔硅碳复合材料、制备方法及其应用-CN202111450753.9在审
发明人：郭守武;阮欢;张利锋 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种三维多孔硅碳复合材料、制备方法及其应用，属于微纳米材料合成领域。本发明制备的硅碳复合材料包括多孔氮掺碳包覆硅纳米粒子，且硅碳复合材料中硅纳米粒子的粒径为40～80nm。所述氮掺碳为独特的三维网络状，且具有丰富的孔隙结构，不仅可以有效防止硅纳米粒子的团聚，提高复合材料的整体导电性，还可以增加复合材料的韧性，防止在充放电过程中电极材料因体积变化发生的结构破坏。制备的硅碳复合材料形貌特征鲜明，作为锂离子电池负极材料，具有较好的电化学性能。
一种三维多孔复合材料制备方法及其应用

[发明专利]钴/掺氮多孔碳复合材料及其制法与催化硅烷氧化的方法-CN201610536845.1有效
发明人：杨帆;冯安东;李永峰 -专利权人：中国石油大学(北京)
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种钴/掺氮多孔碳复合材料及其制法与催化硅烷氧化的方法。该钴/掺氮多孔碳复合材料是通过以下步骤制备得到的：将钴盐、钴的含氮有机配体和模板剂在溶剂中混合，将去除溶剂后的混合物在600‑1000℃煅烧，再采用酸未去除模板剂与钴氧化物，得到钴/掺氮多孔碳复合材料。该催化硅烷氧化的方法包括以下步骤：将本发明的钴/掺氮多孔碳复合材料或未去除模板剂与钴氧化物的混合物作为催化剂，与有机硅烷在氧化剂的作用下反应，得到硅醇。本发明采用模板剂、钴盐和钴的含氮有机配体作为原料，并以高温煅烧和酸未的方法制得了负载单原子钴的掺氮多孔碳复合材料，该材料具有较高的比表面积、介孔孔径以及较大的孔容。
多孔复合材料及其制法催化硅烷氧化方法

[发明专利]用于产生栅极叠层侧壁隔片的方法-CN200610000510.4无效
发明人：蕾扎·阿嘎娃尼;迈克尔·丘·宽;夏立群;尹康素 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2006-01-09 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于通过利用PECVD工艺在栅极结构上沉积一个或多个含硅材料层以产生总k值在约3.0到约5.0之间的隔片，从而在栅极叠层上形成侧壁隔片的方法。含硅材料可以是碳化硅、掺氧的碳化硅、掺氮的碳化硅、掺碳的氮化硅、掺氮的碳氧化硅或其组合。沉积在等离子体增强化学气相沉积室中执行，并且沉积温度小于450℃。
用于产生栅极侧壁方法

[发明专利]一种氮掺杂硅碳复合负极材料及其制备方法-CN202111125447.8在审
发明人：赵明才;张娟;龚喜 -专利权人：江苏载驰科技股份有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮掺杂硅碳复合负极材料及其制备方法。硅碳负极材料内部采用了氮掺杂针刺状阵列石墨片，针刺状阵列石墨片不但可以有效地提高纳米硅颗粒负载量，而且纳米硅颗粒均匀分散在针刺状阵列石墨片表面，减少团聚。同时硅碳复合材料通过针刺状阵列石墨片、掺氮的一维碳纳米材料和纳米硅进行混合，搭建内核结构，形成复合颗粒。并且通过无定形碳在复合颗粒表面包覆一层致密的无定形碳，最终形成结构新颖稳定的，性能优异的硅碳负极材料。该材料能够有效地缓解纳米硅颗粒的团聚，并且为硅体积膨胀提供了一定的缓冲空间，最终提高硅碳负极材料的首次效率以及循环稳定性。
一种掺杂复合负极材料及其制备方法

[实用新型]一种纳米复合涂层切削刀具-CN201721553456.6有效
发明人：付德君;李娜;曾晓梅 -专利权人：武汉江海行纳米科技有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纳米复合涂层切削刀具，涉及刀具加工技术领域，本实用新型中刀具表面设有纳米复合涂层，纳米复合涂层从内到外包括基础层、中间层、耐磨层和外覆层，其中：基础层为氮化锆硅层；中间层为交替沉积的氮化钛层、碳氮化钛层和氮铝化钛层；耐磨层为掺碳的氮化硅钛复合层；外覆层为掺铝的氮化硅钛复合层。交替沉积的氮化钛层、碳氮化钛层和氮铝化钛层的硬度较单一的氮化钛层、碳氮化钛层和氮铝化钛层更高，掺碳的氮化硅钛复合层比氮化硅钛具有更高的硬度且摩擦系数小，掺铝的氮化硅钛复合层抗高温氧化性能良好。
氮化硅钛纳米复合涂层复合层碳氮化钛层氮化钛层氮铝化钛本实用新型交替沉积切削刀具掺碳的基础层耐磨层外覆层中间层掺铝抗高温氧化性能刀具表面刀具加工摩擦系数氮化锆硅层

[发明专利]用于制造氮掺杂的单晶硅的方法-CN202111155528.2在审
发明人：徐鹏;文英熙;倚娜 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于制造氮掺杂的单晶硅的方法，所述方法包括：利用氮化硅坩埚以及氮化硅掺杂剂通过直拉法拉制高掺氮单晶硅；利用石英坩埚以及以所述高掺氮单晶硅作为掺杂剂通过直拉法拉制低掺氮单晶硅。根据本发明的用于制造氮掺杂的单晶硅的方法，利用氮化硅坩埚制备高含氮量、低含氧量的高掺氮单晶硅，然后进一步利用该高掺氮单晶硅来制备低掺氮单晶硅，从而实现硅片的机械强度提升、单晶硅内部的BMD含量提高。
用于制造掺杂单晶硅方法

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