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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]涂敷方法、涂敷装置以及涂敷处理程序-CN200710004022.5有效
发明人：藤田直纪;绪方庸元;若元幸浩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-01-19 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： B05D1/02 文献下载
摘要：在涂敷扫描的最后阶段，通过瞬间提高扫描速度(急加速)，使此前附着或者追随在抗蚀剂喷嘴的下部侧面(78b)的弯液面的抗蚀剂液隆起部(RQ)从抗蚀剂喷嘴(78)分离，优选将其留在保证区域边界(L_{X并且，在扫描刚结束后，使抗蚀剂喷嘴(78)在基板(G)上进行倒吸，从而去除涂敷扫描终端部的多余抗蚀剂液，此时倒吸的影响被上述留下的抗蚀剂液隆起部(RQ)抵消，从而可以防止保证区域(E_S)内的抗蚀剂膜厚变成设定值或者容许范围以下。}
方法装置以及处理程序

[发明专利]抗蚀剂涂敷方法以及抗蚀剂涂敷装置-CN200610135688.X有效
发明人：吉原孝介;井关智弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-10-23 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种抗蚀剂涂敷方法，在一边以第一转速使被处理基板旋转，一边对被处理基板的大致中央处供给抗蚀剂液之后，将被处理基板的转速减速至比第一转速慢的第二转速或停止旋转，并且，在该减速过程中，越靠近第二转速或停止旋转越减小减速度，然后，将被处理基板的转速加速至比第二转速快的第三转速，来甩开残余的抗蚀剂液。
抗蚀剂涂敷方法以及装置

[发明专利]光掩模坯料和光掩模及它们的制造方法、光掩模中间体及图案的复制方法-CN200710154387.6有效
发明人：井村和久;中西胜彦 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2007-09-26 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：在本发明中，通过下列工序制造光掩模坯料：成膜工序，该成膜工序将沿着透光性基板(1)的主表面(1a)的周边的外周部分，作为非形成区域(2a)，在该主表面(1a)上，形成遮光膜(2)；涂敷工序，该涂敷工序向包含形成遮光膜(2)的区域的涂敷抗蚀剂膜(3)，利用抗蚀剂膜(3)覆盖所述遮光膜(2)的周边；抗蚀剂膜周边除去工序，该抗蚀剂膜周边除去工序除去涂敷的抗蚀剂膜(3)的周边部分(3a)，从而使所述遮光膜(2)的周边部分(
光掩模坯料它们制造方法中间体图案复制

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN201910789074.0在审
发明人：八寻俊一;坂井光广;梶原拓伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种缩短基片处理装置的整体长度的技术。实施方式的基片处理装置包括预处理线、涂敷线、显影线和清洗线。预处理线对基片进行预处理。涂敷线配置在预处理线的下方，在进行了预处理的基片上涂敷光致抗蚀剂液。显影线对涂敷了光致抗蚀剂液的基片进行显影。清洗线配置在显影线的上方，对显影后的基片进行清洗。
处理装置方法

[发明专利]抗蚀液涂敷方法和装置-CN200310104695.X无效
发明人：高森秀之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-10-27 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的目的是抑制在被处理基板上涂敷的抗蚀液在干燥处理中的移动、保证抗蚀膜的膜厚均一性的抗蚀液涂敷方法和抗蚀液涂敷装置。抗蚀液喷嘴头154沿点划线A所示路线移动，对第1列至第3列依次进行涂敷扫描。更详细地说，沿Y方向穿过各个列的液晶板区域S移动，仅仅限定向各涂敷区域E(图中斜线部分)涂敷抗蚀液。从而，基板G的被处理面中，仅仅向与液晶板区域S分别对应的涂敷区域E以大致一定的膜厚涂敷了抗蚀液。基板周缘部和相邻接的涂敷区域E、E的间隙d中，残留有不存在抗蚀液膜的空区域。
抗蚀液涂敷方法装置

[发明专利]涂敷方法和涂敷装置-CN201110168382.5有效
发明人：一野克宪;吉原健太郎;吉原孝介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种涂敷方法和涂敷装置，即使在涂敷液例如抗蚀剂液的供给量较少的情况下也能在基板的表面上均匀地形成涂敷膜。涂敷方法包括：预湿工序，将预湿液供给到基板(W)的中心，并且使基板旋转而使预湿液扩散到第1基板的整个表面上；涂敷膜形成工序，向供给了预湿液的基板供给涂敷液(例如抗蚀剂液)，使该涂敷液干燥，从而在上述第1基板的表面形成涂敷膜。采用比涂敷液的表面张力高的混合液体作为预湿液，通过使能够溶解涂敷膜成分(例如抗蚀剂成分)的溶剂、和表面张力高于该溶剂的高表面张力液体混合，获得上述混合液体。
方法装置

[发明专利]抗蚀剂组合物的制造方法、过滤装置、抗蚀剂组合物的涂敷装置以及抗蚀剂组合物-CN201310268274.4无效
发明人：室井雅昭;尾崎弘和 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2006-07-12 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本发明提供一种可以得到抑制缺陷发生的抗蚀剂组合物的抗蚀剂组合物的制造方法、能够在所述制造方法中良好使用的过滤装置、搭载所述过滤装置的抗蚀剂组合物的涂敷装置以及抑制缺陷发生的抗蚀剂组合物。所述组合物是将抗蚀剂组合物通过具备聚乙烯制中空丝膜过滤器而得到，所述抗蚀剂组合物是将通过酸的作用使碱溶性发生变化的树脂成分和通过曝光而产生酸的酸产生剂成分溶解于有机溶剂中而成的。
抗蚀剂组合制造方法过滤装置以及

[发明专利]抗蚀剂组合物的制造方法、过滤装置、抗蚀剂组合物的涂敷装置以及抗蚀剂组合物-CN200680026038.X无效
发明人：室井雅昭;尾崎弘和 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2006-07-12 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本发明提供一种可以得到抑制缺陷发生的抗蚀剂组合物的抗蚀剂组合物的制造方法、能够在所述制造方法中良好使用的过滤装置、搭载所述过滤装置的抗蚀剂组合物的涂敷装置以及抑制缺陷发生的抗蚀剂组合物。所述组合物是将抗蚀剂组合物通过具备聚乙烯制的中空丝膜的过滤器而得到，所述抗蚀剂组合物是将通过酸的作用使碱溶性发生变化的树脂成分和通过曝光而产生酸的酸产生剂成分溶解于有机溶剂中而成的。
抗蚀剂组合制造方法过滤装置以及

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202080091728.3在审
发明人：中谷光德 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的制造方法包括如下工序：在InP基板(1)的表面设置脊部(4)的工序；以覆盖脊部的方式在InP基板的表面涂敷光致抗蚀剂(10)的工序；经由掩模(20)对光致抗蚀剂的对处于脊部的头部的电极接触部的一部分进行覆盖的区域进行曝光，并进行显影而形成抗蚀剂图案(11)的工序；以对在形成抗蚀剂图案时所产生的抗蚀剂图案的缺陷部进行覆盖的方式涂敷收缩材料(16)的工序；使残存于抗蚀剂图案的曝光后的界面中的酸(33)与收缩材料反应，而在缺陷部形成交联部(17)来进行修复的工序；以及在剥离未反应的收缩材料后，通过蚀刻加工除去从修复缺陷部后的抗蚀剂图案露出的电极接触部(5b)的工序，由此得到所希望的加工形状。
半导体装置制造方法

[发明专利]光刻方法-CN200710192794.6有效
发明人：基思·弗兰克·贝斯特;桂成群;戴维·克里斯多夫·奥克威尔;彼得·顿伯格 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2007-11-20 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种在至少部分涂覆有抗蚀剂的衬底上形成环形密封的方法，所述方法包括加热衬底上的抗蚀剂环。所述抗蚀剂环被加热用于从抗蚀剂环上去除图案，或者防止被加热的抗蚀剂环被图案化。本发明还公开了一种光刻方法，包括步骤：通过加热衬底上的抗蚀剂环而在至少部分涂敷有抗蚀剂的衬底上形成环形密封。
光刻方法

[发明专利]显影装置及显影方法-CN200480041996.5有效
发明人：山本太郎;吉原孝介;京田秀治;竹口博史;大河内厚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-12-24 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种显影装置及显影方法，对应抗蚀剂种类或抗蚀剂图形，调整显影液的温度。利用显影液喷嘴扫描涂敷显影液，所述显影液喷嘴具有基板有效区域的宽度对应的长度的狭缝状喷出口。在显影液一定时间保持盛放在基板上的状态后，利用稀释液喷嘴扫描涂敷稀释液。由此，显影反应实质上停止，并且抗蚀剂溶解成份扩散。根据显影液的温度调整迅速溶解所希望量的抗蚀剂，另一方面，通过在既定时间供给稀释液，在抗蚀剂溶解成份产生不良影响前停止显影，由此可以获得线宽均一的图形，也提高生产量。
显影装置方法

[发明专利]光敏组合物-CN200610146456.4有效
发明人： M·R·温克尔;J·E·斯蒂珀;刘向前;J·奥卡达－科克利;S·A·伊比特森 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2006-11-08 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G03F7/028 文献下载
摘要：本发明提供适合在单步涂敷应用中沉积厚的光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂组合物和方法。该光致抗蚀剂层特别适合用在芯片级封装中，例如，用于形成金属突起。
光敏组合

[发明专利]基板处理装置-CN200510129565.0有效
发明人：安田周一;金冈雅;金山幸司;宫城聪;茂森和士;浅野彻;鸟山幸夫;田口隆志;三桥毅;奥村刚 -专利权人：大日本网目版制造株式会社
申请日： 2005-12-06 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种基板处理装置，具有分度器区、反射防止膜用处理区、抗蚀膜用处理区、显影处理区、浸液曝光用处理区以及接口区。以相邻于接口区的方式配置曝光装置。浸液曝光用处理区具有抗蚀剂盖膜用涂敷处理部以及抗蚀剂盖膜用除去处理部。在曝光处理之前，在浸液曝光用处理区形成抗蚀剂盖膜。在曝光处理之后，在浸液曝光用处理区除去抗蚀剂盖膜。
处理装置

[发明专利]移除抗蚀剂层的方法-CN201910536016.7在审
发明人：欧阳盼盼 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种移除抗蚀剂层的方法。以具有有机配体的金属氧化物核心的材料来形成抗蚀剂层。全局地涂敷含氯化合物或含甲基化合物至抗蚀剂层上，以使含氯化合物或含甲基化合物与抗蚀剂层实行配体交换工艺，从而通过升华移除抗蚀剂层。
抗蚀剂层方法

[发明专利]抗蚀剂图案形成方法-CN200510131034.5无效
发明人：八木巧司 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-12-07 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种抗蚀剂图案形成方法。在已形成了CCD图像传感器的基本结构的半导体基板(60)上涂敷彩色抗蚀剂，形成抗蚀剂膜(62)。进而在该抗蚀剂膜(62)上成膜升华防止膜(64)。以使升华防止膜(64)具有阻止包含于抗蚀剂膜(62)的颜料等向外部升华的功能的方式选择材料及厚度。将已形成升华防止膜(64)的半导体基板(60b)载置于曝光装置中，通过光掩膜(66)照射紫外线，进行抗蚀剂(62)的曝光。通过曝光后进行的抗蚀剂膜(62)的显影处理除去升华防止膜(64)。因此，可以防止在用彩色抗蚀剂形成固体摄像元件的彩色滤光器之际、在曝光时颜料从抗蚀剂升华并附着在曝光装置内的现象。
抗蚀剂图案形成方法

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