专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种恢复模块-CN201611214675.1有效
  • 周文定 - 成都赛力康电气有限公司
  • 2014-11-05 - 2019-07-30 - H01L23/535
  • 本发明提供一种恢复模块,包括外壳及与其配合构成腔体的底板,腔体内设有至少一恢复结构组,恢复结构组包括至少三个恢复、绝缘基板、第一电极和第电极,至少三个恢复、绝缘基板和第一电极均设于底板上,第电极设于绝缘基板上,至少三个恢复相同的第一与第一电极相连,至少三个恢复相同的第与第电极相连,至少三个恢复的任一个芯片的中心与其它各恢复芯片中心的距离之和相等;所述各恢复中心之间的连线构成以第电极中心为中心的长方形。
  • 一种恢复二极管模块
  • [发明专利]一种恢复模块-CN201410617717.0有效
  • 周文定 - 成都晶川电力技术有限公司
  • 2014-11-05 - 2015-01-14 - H01L25/11
  • 本发明提供的恢复模块,包括外壳及与其配合构成腔体的底板,腔体内设有至少一恢复结构组,恢复结构组包括至少三个恢复、绝缘基板、第一电极和第电极,至少三个恢复、绝缘基板和第一电极均设于底板上,第电极设于绝缘基板上,至少三个恢复相同的第一与第一电极相连,至少三个恢复相同的第与第电极相连,至少三个恢复的任一个芯片的中心与其它各恢复芯片中心的距离之和相等本发明提供的恢复模块提高了各芯片之间的回路电流的均流性,提高了模块稳定性。
  • 一种恢复二极管模块
  • [实用新型]一种恢复模块-CN201420657200.X有效
  • 周文定 - 成都晶川电力技术有限公司
  • 2014-11-05 - 2015-02-04 - H01L25/11
  • 本实用新型提供的恢复模块,包括外壳及与其配合构成腔体的底板,腔体内设有至少一恢复结构组,恢复结构组包括至少三个恢复、绝缘基板、第一电极和第电极,至少三个恢复、绝缘基板和第一电极均设于底板上,第电极设于绝缘基板上,至少三个恢复相同的第一与第一电极相连,至少三个恢复相同的第与第电极相连,至少三个恢复的任一个芯片的中心与其它各恢复芯片中心的距离之和相等本实用新型提供的恢复模块提高了各芯片之间的回路电流的均流性,提高了模块稳定性。
  • 一种恢复二极管模块
  • [发明专利]高频恢复-CN200910183195.7有效
  • 吕全亚;陈云峰;杨吉明 - 常州佳讯光电产业发展有限公司
  • 2009-08-11 - 2010-01-20 - H01L25/07
  • 一种高频恢复,包括组、焊片、引线、引线头、包胶层和塑封体。组包括n片按同向极性顺序排列,n片中有1片、或2片、……或n-1片芯片恢复,其余芯片为普通整流,各片的两侧均置有一焊片且与焊片互相连接,两个引线的引线头端面分别与组两端的焊片相连接,组和焊片的外周设有包胶层,两个引线头和包胶层外围有塑封体。本发明较传统高频恢复具有短的反向恢复时间和较高耐压性能,价格便宜,采购方便,从而降低了高频恢复生产成本,适合于工业化大生产。
  • 高频恢复二极管
  • [实用新型]一种小结电容TVS器件-CN202222022617.6有效
  • 吕全亚;郭建新;钱永江;李俊;庄娟梅 - 常州佳讯光电产业发展有限公司
  • 2022-08-03 - 2022-12-16 - H01L25/07
  • 本实用新型公开了一种小结电容TVS器件,包括恢复、TVS管芯、封装壳体、第一引出脚和第引出脚;所述恢复和TVS管芯以背对背的方式串联封装在封装壳体内;所述第一引出脚的一端设置在封装壳体内并连接恢复远离TVS管芯的一端;所述第引出脚的一端设置在封装壳体内并连接TVS管芯远离恢复的一端;所述第一引出脚和第引出脚的另一端位于封装壳体的外部。本实用新型将恢复和TVS管芯以背对背的方式串联封装在封装壳体内形成的组合器件,能够减小结电容,同时获得比单个TVS管更快的响应速度。
  • 一种小结电容tvs器件
  • [发明专利]一种高压恢复生产工艺-CN201410551171.3有效
  • 孙澜;单慧;朱军;刘韵吉;杨敏红 - 桑德斯微电子器件(南京)有限公司
  • 2014-10-16 - 2019-01-25 - H01L29/861
  • 本发明公开了一种高压恢复生产工艺,属于半导体芯片领域。一种高压恢复,包括芯片、N+截止环、表面特殊钝化层和P+阳极,所述的芯片恢复芯片截层从下向上依次为芯片、N+截止环、表面特殊钝化层和P+阳极。特殊钝化层包含电场限制环。芯片生产工艺采用电场限制环的方法,成功调制恢复表面电场,在同样条件下,增加了恢复的耐压;采用特殊表面钝化层,中和氧化层中表面电荷,提高了恢复耐压的稳定性,降低了反向漏电流。它具有开关损耗低,击穿电压高,漏电流小,反向功耗少的优点,增强了的耐压稳定性及可靠性,延长了的寿命。
  • 一种高压恢复二极管芯片及其生产工艺
  • [实用新型]一种高压恢复-CN201420600978.7有效
  • 孙澜;单慧;朱军;刘韵吉;杨敏红 - 桑德斯微电子器件(南京)有限公司
  • 2014-10-16 - 2015-02-04 - H01L29/861
  • 本实用新型公开了一种高压恢复,属于半导体芯片领域。一种高压恢复,包括芯片、N+截止环、表面特殊钝化层和P+阳极,所述的芯片恢复芯片截层从下向上依次为芯片、N+截止环、表面特殊钝化层和P+阳极。特殊钝化层包含电场限制环。芯片生产工艺采用电场限制环的方法,成功调制恢复表面电场,在同样条件下,增加了恢复的耐压;采用特殊表面钝化层,中和氧化层中表面电荷,提高了恢复耐压的稳定性,降低了反向漏电流。它具有开关损耗低,击穿电压高,漏电流小,反向功耗少的优点,增强了的耐压稳定性及可靠性,延长了的寿命。
  • 一种高压恢复二极管芯片
  • [实用新型]一种超薄插片式恢复模块-CN202020619267.X有效
  • 王国勇;陶伟光;朱真君;张壮;范雯雯 - 浙江固驰电子有限公司
  • 2020-04-22 - 2020-10-02 - H01L23/02
  • 本实用新型针对现有技术模块体积有待进一步小型化的问题,提供一种超薄插片式恢复模块,属于半导体技术领域,包括底板和设置在底板上的外壳,底板和外壳固定连接,底板和外壳之间设有腔体,所述底板上固定连接有至少一组位于腔体内的结构组,所述结构组包括至少两个恢复和陶瓷基板,所述恢复和陶瓷基板均和底板固定连接,所有恢复和底板连接的端部的极性均相同,所述陶瓷基板上固定连接有金属片,所述金属片上固定连接有引出电极;所述恢复背对底板的端部和金属片之间通过若干根跳线连接,所述底板上涂覆有一层阻焊油墨。
  • 一种超薄插片式快恢复二极管模块
  • [发明专利]一种功率缓冲-CN201110042951.1无效
  • 薛列龙 - 如皋市大昌电子有限公司
  • 2011-02-23 - 2012-08-22 - H01L25/07
  • 本发明公开了一种功率缓冲,包括由一对引线与芯片通过焊片焊接后,整体封装,外露引线脚构成,其特征在于:所述芯片为电压箝位恢复两种不同功能的芯片反电极叠加构成。本发明的优点在于:将电压箝位恢复反电极串联焊接在一对引线之间,从而构成功率缓冲,结构更加紧凑,在电路的使用中,减少了连接点,降低了故障机率。
  • 一种功率缓冲二极管
  • [实用新型]一种功率缓冲-CN201120044706.X有效
  • 薛列龙 - 如皋市大昌电子有限公司
  • 2011-02-23 - 2012-02-01 - H01L25/07
  • 本实用新型涉及一种功率缓冲,包括由一对引线与芯片通过焊片焊接后,整体封装,外露引线脚构成,其特征在于:所述芯片为电压箝位恢复两种不同功能的芯片反电极叠加构成。本实用新型的优点在于:将电压箝位恢复反电极串联焊接在一对引线之间,从而构成功率缓冲,结构更加紧凑,在电路的使用中,减少了连接点,降低了故障机率。
  • 一种功率缓冲二极管
  • [实用新型]一种高压恢复-CN202020640850.9有效
  • 何豆豆 - 惠安中正网络科技有限公司
  • 2020-04-25 - 2020-11-24 - H01L29/861
  • 本实用新型公开了一种高压恢复,包括本体,所述本体内壁的底部设置有P型层,所述P型层的顶部设置有电流阻挡层,所述电流阻挡层的顶部设置有透明导电层,所述透明导电层的顶部设置有P型电极,所述P型电极的顶端固定连接有N型层,所述N型层的顶部固定连接N型电极,所述本体一侧的前侧与后侧均固定连接有第一引脚。该高压恢复,通过采用特殊表面钝化层,中和氧化层中表面电荷,提高了恢复耐压的稳定性,降低了反向漏电流,本实用新型具有开关损耗低,击穿电压高,漏电流小,反向功耗少的优点,增强了的耐压稳定性及可靠性,延长了的寿命。
  • 一种高压恢复二极管芯片

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