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[发明专利]硅基电润湿微显示器件下基板的制作方法-CN201010123324.6无效
发明人：张斌 -专利权人：彩虹集团公司
申请日： 2010-03-15 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基电润湿微显示器件下基板的制作方法，包括以下步骤：第一步在硅基片上整面沉积金属或非金属电极层；第二步利用掩膜微影技术制作与阳电极图案相同的光阻图案；第三步以该光阻图案做掩膜，蚀刻金属层，剥离该光阻得到阳电极图形；第四步整面沉积介质层；第五步对该介质层表面进行疏水性处理；第六步利用掩膜微影技术制作像素绝缘层。本发明制作方法工艺简单、良品率高，可以满足硅基电润湿微显示器件下基板大规模生产的要求。
硅基电润湿显示器件下基板制作方法

[发明专利]医学图像的去伪影模型训练方法、装置、设备及存储介质-CN202211475468.7在审
发明人：王红;李悦翔;魏东;郑冶枫 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G06V10/774 文献下载
摘要：一种医学图像的去伪影模型训练方法、装置、设备及存储介质，涉及人工智能技术领域。上述方法包括：获取干净医学图像、干净弦图和至少两个掩膜图像，掩膜图像是在医学图像中产生伪影的实体所对应的图像；对于每一个掩膜图像，基于干净弦图和掩膜图像，生成掩膜图像对应的带伪影医学图像和受污染弦图；采用去伪影模型，基于带伪影医学图像和受污染弦图，生成掩膜图像对应的去伪影医学图像和去污染弦图；根据干净医学图像、干净弦图、至少两个掩膜图像分别对应的去伪影医学图像和去污染弦图，确定去伪影模型的训练损失；基于训练损失对去伪影模型进行训练
医学图像去伪影模型训练方法装置设备存储介质

[实用新型]黄光微影设备曝光机之可调节型掩膜版吸附台-CN200320112204.1无效
发明人：钟福来;赵艳岐;季来运;陈勤文;陈月云 -专利权人：海泰超导通讯科技（天津）有限公司
申请日： 2003-11-14 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种黄光微影设备曝光机之可调节型掩膜版吸附台，包括机座、中心工作台、中心工作台角度调整机构三部分，其特征在于在中心工作台上包括掩膜版调整定位机构。本实用新型的优越性在于：本案可调节型掩膜版吸附台结构充分考虑了掩膜版吸附台的通用性，它可以适用于多种规格尺寸大小的掩膜版进行曝光工作，解决了传统掩膜版吸附台缺乏通用性的问题。
黄光微影设备曝光调节型掩膜版吸附

[发明专利]对数字减影血管造影的掩膜图像的最佳的加权-CN202210757111.1在审
发明人： M.曼哈特 -专利权人：西门子医疗有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G06T5/50 文献下载
摘要：为了降低噪声和运动伪影，建议一种产生用于数字减影血管造影的减影图像(S)的方法。在将造影剂添加到对象(2)中之前获取(S1)对象(2)的多个掩膜图像，并且在将造影剂添加到对象(2)中之后获取(S2)对象(2)的影像。由多个掩膜图像获取第一总和图像，方式为将多个掩膜图像分别乘以各自的权重并且相加。通过优化方法自动地确定(S5、S6)针对多个掩膜图像中的每个掩膜图像的所述各自的权重，并且通过从影像中减去总和图像求得所述减影图像。
数字血管造影图像最佳加权

[发明专利]用于通过基于受应力的注入掩膜的应力记忆法而形成受应变的晶体管的方法-CN200780033417.6有效
发明人： F·维尔贝莱特;R·博施克;M·热拉尔 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2007-07-24 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：通过使用具有高本征应力(intrinsic stress)的注入掩膜，可提供应力记忆技术顺序(SMT)，其中可避免额外的微影步骤。
用于通过基于应力注入记忆形成应变晶体管方法

[发明专利]用于生成减影图像的系统和方法-CN201710863386.2在审
发明人： T.布朗;T.斯库斯特;刘整社 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：本发明提供用于生成减影图像的方法和系统。在一个实施例中，方法包括从受试者的身体结构的一组掩膜图像生成掩膜，并通过将掩膜应用到获取的受试者的身体结构的图像数据，生成掩膜化图像，包括对在所述图像的感兴趣区(ROI)内部与所述ROI外部不同地对掩膜加权以此方式，用户能够调节ROI内部和外部的减影的相对幅值，因此能够使脉管系统和标志二者在相同的图像帧内可见。
用于生成图像系统方法

[发明专利]血管提取方法-CN201610617709.5有效
发明人：赵鹏;毛玉妃 -专利权人：上海联影医疗科技有限公司
申请日： 2016-07-30 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： G06T7/136 文献下载
摘要：基于所述切片图像中像素点的灰度信息取若干个连通域；基于所述连通域的圆度确定种子点；以所述种子点为起点，基于阈值a对所述三维图像进行区域生长，获取第一图像；以所述种子点为起点，基于第一阈值对所述第一图像进行区域生长，获取血管掩膜；将所述第一图像与血管掩膜相减获取第一减影图像；粗分割所述第一减影图像，并形态学处理所述初始掩膜，获取骨骼掩膜；第一图像与所述骨骼掩膜相减获取包括若干个连通域的第二减影图像；基于血管生长条件连接所述若干个连通域
血管提取方法

[发明专利]一种激光微造型掩膜及利用掩膜的激光微造型方法-CN201310013112.6有效
发明人：冯爱新;薛伟;田良;谢华锟;卢轶;顾永玉 -专利权人：温州大学;江苏大学;成都工具研究所有限公司
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用掩膜的激光微造型方法，包括以下步骤：（1）在工件表面覆盖激光微造型掩膜；所述激光微造型掩膜由熔覆材料和粘结剂混合制成，所述粘结剂为易蒸发材料，且不与熔覆材料发生反应；所述激光微造型掩膜包括掩膜基底和掩膜微孔，掩膜微孔在掩膜基底上排列成点阵形状；（2）用连续激光对工件表面覆盖激光微造型掩膜的区域进行快速扫描；当激光扫描完激光微造型掩膜覆盖的区域，则同时完成了对材料表面的熔覆与微造型工作。本发明所述激光微造型方法同时实现了激光表面熔覆加工与激光表面微造型加工，缩短了加工时间，节约了能量，提高了生产效率。本发明还同时提供了一种激光微造型掩膜。
一种激光造型利用方法

[发明专利]静脉窦的分割方法-CN201610503562.7在审
发明人：王晓东;毛玉妃 -专利权人：上海联影医疗科技有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种静脉窦的分割方法，包括如下步骤：输入医学图像，所述医学图像包含静脉窦和若干血管所在的大脑区域；膨胀所述大脑区域获取第一掩膜，腐蚀所述大脑区域获取第二掩膜，将所述第一掩膜和第一掩膜相减获取减影图像，所述减影图像包含若干个连通域；在所述若干个连通域中，确定所述静脉窦所在的连通域；以所述静脉窦所在的连通域作为起始区域，沿第一方向进行区域生长获取所述静脉窦。
静脉分割方法

[发明专利]阵列基板及其制造方法-CN201710899289.9有效
发明人：黄书豪;刘晋铨;苏松宇 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：利用掩膜进行一微影蚀刻工艺，以于栅绝缘层与第一层间绝缘层中形成第一～第四接触洞。形成分别通过第一～第四接触洞与第一及第二主动层连接的第一及第二源极、第一及第二漏极。形成第二层间绝缘层。利用前述掩膜进行另一微影蚀刻工艺，以于第二层间绝缘层中形成第一～第三开口及接触洞，其中于法线方向上，第三开口与第一接触洞重叠，接触洞与第二接触洞重叠，第一开口与第三接触洞重叠，第二开口与第四接触洞重叠。
阵列及其制造方法

[实用新型]一种激光微造型掩膜-CN201320060546.7有效
发明人：卢轶;冯爱新;薛伟;田良;谢华锟;顾永玉 -专利权人：江苏大学
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： B23K26/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种激光微造型掩膜，所述激光微造型掩膜由熔覆材料和粘结剂混合制成，所述粘结剂为易蒸发材料，且不与熔覆材料发生反应；所述激光微造型掩膜包括掩膜基底和掩膜微孔，掩膜微孔在掩膜基底上排列成点阵形状；采用本实用新型所述激光微造型掩膜进行激光微造型可以同时实现激光表面熔覆加工与激光表面微造型加工，缩短了加工时间，节约了能量，提高了生产效率。要形成不同的工件表面微凹坑阵列只需更换掩膜而不需要改变激光扫描路线程序，缩小了工作量。
一种激光造型

[发明专利]曝光装置-CN201510294077.9有效
发明人：陈善韬;刘建宏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种曝光装置，所述曝光装置包括掩膜板，所述掩膜板上设置有掩膜图形，所述曝光装置还包括第一微透镜层，所述第一微透镜层设置在所述掩膜板的出光侧，且所述第一微透镜层利用穿过所述掩膜板的光线形成所述掩膜图形的缩小的实像，所述实像和所述掩膜板分别位于所述第一微透镜层的两侧。本发明利用微透镜的特性，使掩膜图形形成缩小的实像后投影到待曝光基板上，有效提高了曝光的精度和分辨率，节约了设备成本和研发成本。
曝光装置

[发明专利]使用低温沉积含碳硬掩膜的半导体基材制程-CN200680029299.7无效
发明人： K·拉马斯瓦米;H·哈那瓦;B·加罗;K·S·考林斯;K·玛;V·帕里哈;D·詹宁斯;A·J·马耀;A·奥－巴亚缇;A·恩盖耶 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2006-08-07 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种利用光学可写式掩膜处理一半导体基材上的薄膜结构的方法，其包括将该基材置放于一反应器处理室中，该基材于其表面上具有一欲依据预定图案作蚀刻的目标层；藉由下列方式于该基材上沉积含碳硬掩膜层：(a该方法更包括于该含碳硬掩膜层中光微影地定义该预定图案，并在该硬掩膜层的存在下蚀刻该目标层。
使用低温沉积含碳硬掩膜半导体基材

[发明专利]电力设备图像分割方法及装置-CN202310687836.2在审
发明人：冯建辉;姜虹云;保佑智;耿座学;杨修正;简利胜;王林;王先强;余顺金;陈刚;王英伍;张家顺;瞿威均;孙世金;陈铸亮;杨家凯;李学富;普碧才;赵正平;江能清;杨猴兵;孔碧光 -专利权人：云南电网有限责任公司怒江供电局
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06V10/26 文献下载
摘要：本申请提供一种电力设备图像分割方法及装置，所述方法包括：对原始图像进行多尺度裁剪，以得到多个局部补丁图像和多个上下文图像；分割所述局部补丁图像以获得局部分割掩膜图像；合并多个所述局部分割掩膜图像以生成合并掩膜图像；将所述局部掩膜图像和所述上下文掩膜图像输入到语义细化网络中，以计算所述局部掩膜图像特征和所述上下文掩膜图像特征的相关性；根据所述相关性拼接所述局部掩膜图像和所述上下文掩膜图像，以获得细化局部掩膜图像。本申请提供的电力设备图像分割方法，可减少边界伪影，细化掩膜轮廓，获取精细化的局部掩膜图像，以解决在对图像进行分割时分割质量差的问题。
电力设备图像分割方法装置

[发明专利]一种消除碳化硅器件终端刻蚀中微掩膜的方法-CN201610743365.2在审
发明人：吴佳;刘可安;李诚瞻;史晶晶;高云斌;周正东;杨程 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除碳化硅器件终端刻蚀中微掩膜的方法，包括：在SiC上制备掩膜；对掩膜进行光刻，将光刻版上的图形转移到所述掩膜的光刻胶上；对掩膜表面进行干法刻蚀，达到初步刻蚀深度；对掩膜的表面湿法腐蚀到预定刻蚀深度，去除掩膜表面的微掩膜；干法刻蚀所述SiC。除此之外，本发明还公开了一种消除碳化硅器件终端刻蚀中微掩膜的方法，采用先干法刻蚀并预留一定的刻蚀余量，再通过氧化将微掩膜去除。由于在刻蚀的过程中，都是先使用干法刻蚀一定的深度，预留一定的刻蚀余量，再采用湿法腐蚀或者局部氧化来去除残留的微掩膜，不会在晶圆材料造成较大的晶格损伤，减少或避免了刻蚀对器件造成的不良影响，提高器件的成品率
一种消除碳化硅器件终端刻蚀中微掩膜方法

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