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[发明专利]一种集成式硅基芯片及其制作方法、集成电路-CN202110996272.1在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成式硅基芯片及其制作方法、集成电路，集成式硅基芯片包括：硅衬底、基于硅的控制电路、砷化镓外延结构、砷化镓高电子迁移率晶体管和匹配电路；硅衬底被划分为硅器件区域和砷化镓器件区域；基于硅的控制电路，设置在硅衬底上，对应设置在硅器件区域；砷化镓外延结构，设置在硅衬底上，对应砷化镓器件区域；砷化镓高电子迁移率晶体管，设置在砷化镓外延结构上；以及匹配电路，设置在砷化镓外延结构上；基于硅的控制电路与砷化镓高电子迁移率晶体管电连接；匹配电路与砷化镓高电子迁移率晶体管电连接。可以将基于硅的控制电路、砷化镓高电子迁移率晶体管和匹配电路集成到一个芯片上。
一种集成式硅基芯片及其制作方法集成电路

[发明专利]倒装式砷化镓聚光光伏芯片-CN202310257705.0在审
发明人：许志荣;王婷桦 -专利权人：盛锜半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了倒装式砷化镓聚光光伏芯片，倒装式砷化镓聚光光伏芯片，砷化镓聚光光伏芯片为太阳能砷化镓电池芯片，其包括芯片正面、以及与芯片正面对应的芯片背面，芯片正面表面上未设置电极点位置，芯片背面上同时设置有多个电极点位置，包括第一电极点位置、第二电极点位置、第三电极点位置，当电极点位置同时设置在同一侧时，砷化镓聚光光伏芯片为倒装式砷化镓聚光光伏芯片，当倒装式砷化镓聚光光伏芯片上电极点位置设置为三个时，如第一电极点位置、第二电极点位置、第三电极点位置，可将其设置为一个正极两个负极，或者两个正极一个负极；而当倒装式砷化镓聚光光伏芯片上电极点位置仅设置为两个时，则只设置一个正极和一个负极。
倒装式砷化镓聚光芯片

[实用新型]倒装式砷化镓聚光光伏芯片-CN202320518308.X有效
发明人：许志荣;王婷桦 -专利权人：盛锜半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了倒装式砷化镓聚光光伏芯片，倒装式砷化镓聚光光伏芯片，砷化镓聚光光伏芯片为太阳能砷化镓电池芯片，其包括芯片正面、以及与芯片正面对应的芯片背面，芯片正面表面上未设置电极点位置，芯片背面上同时设置有多个电极点位置，包括第一电极点位置、第二电极点位置、第三电极点位置，当电极点位置同时设置在同一侧时，砷化镓聚光光伏芯片为倒装式砷化镓聚光光伏芯片，当倒装式砷化镓聚光光伏芯片上电极点位置设置为三个时，如第一电极点位置、第二电极点位置、第三电极点位置，可将其设置为一个正极两个负极，或者两个正极一个负极；而当倒装式砷化镓聚光光伏芯片上电极点位置仅设置为两个时，则只设置一个正极和一个负极。
倒装式砷化镓聚光芯片

[发明专利]本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器-CN201710891577.X有效
发明人：李九生;孙建忠 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明公开了一种本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器。它包括砷化镓层、砷化镓输入波导、砷化镓第一锥形波导、砷化镓多模干涉波导、砷化镓第二锥形波导、砷化镓定向耦合波导、砷化镓第三锥形波导、砷化镓第一弧形波导、砷化镓第二弧形波导、砷化镓第三弧形波导、砷化镓第一输出波导、砷化镓第二输出波导，当输入TE偏振模式的太赫兹波时，太赫兹波直接从砷化镓第二输出波导输出，没有发生偏振模式转换，当输入TM偏振模式的太赫兹波时，太赫兹波经过砷化镓多模干涉波导转换为TE偏振模式，经砷化镓定向耦合波导耦合从砷化镓第一输出波导输出
征砷化镓波导结构赫兹偏振输出

[发明专利]1.3微米高密度量子点结构及其制备方法-CN200410009992.0无效
发明人：牛智川;方志丹;倪海桥;韩勤;龚政;张石勇;佟存柱;彭红玲;吴东海;赵欢;吴荣汉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-09 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种1.3微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆盖层制作在砷化铟自组织量子点上；一第二砷化镓势垒层，该第二砷化镓势垒层制作在铟镓砷覆盖层上；一砷化镓覆盖层，该砷化镓覆盖层制作在第二砷化镓势垒层上。
1.3 微米高密度量子结构及其制备方法

[发明专利]具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器-CN200910237780.0无效
发明人：孙晓明;郑厚植;章昊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-11-17 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：一种具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上；一有源区生长在腔体下砷化镓层上，包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层；一腔体中砷化镓层生长在有源区上；一势垒结构生长在腔体中砷化镓层上，包括依次生长的下铝镓砷层、砷化铝层、上铝镓砷层以及铝镓砷渐变层，其中下铝镓砷层和上铝镓砷层的组成成份都为Al0.45Ga0.55As，铝镓砷渐变层的组成成份为AlXGa1-XAs，沿着生长方向，X由0.45渐变至0；一腔体上砷化镓层生长在势垒结构上；一上反射镜生长在腔体上砷化镓层上，包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。
具有电流特性谐振腔增强光电探测器

[发明专利]宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法-CN200610002667.0无效
发明人：刘宁;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化镓盖层，该低温砷化镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化镓盖层上制备高温砷化镓盖层，该高温砷化镓盖层是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的最外一层，具有保护作用
光谱砷化铟砷化铟镓砷化镓量子材料生长方法

[发明专利]一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池-CN201710498727.0在审
发明人：黄孝如 -专利权人：海门市绣羽工业设计有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，所述砷化镓太阳能电池依次包括：砷化镓衬底；位于砷化镓衬底上的背电场层；位于背电场层上的砷化镓p‑n结，所述砷化镓p‑n结包括层叠设置的n型砷化镓层和p型砷化镓层；位于砷化镓p‑n结上的砷化铝镓窗口层；位于砷化铝镓窗口层上的电极接触层；位于电极接触层上的防反射层；以及，位于电极接触层上的若干电极。
砷化镓砷化镓太阳能电池电极接触层防反射层砷化铝镓背电场窗口层衬底光电转换效率防反射结构太阳能电池层叠设置电极反射

[发明专利]长波长砷化铟/砷化镓量子点材料-CN200610088947.8无效
发明人：刘宁;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-07-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种长波长砷化铟/砷化镓量子点材料，其特征在于，所述材料是基于应变自组织的量子点材料，其结构包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层制作在衬底上；一多周期量子点层，该多周期量子点层制作在砷化镓缓冲层上；一砷化镓盖层，该砷化镓盖层制作在多周期量子点层上。
波长砷化铟砷化镓量子材料

[实用新型]一种砷化镓单晶的表面清洁装置-CN202222357070.5有效
发明人：何建军;沈桂英;赵有文 -专利权人：南通富电半导体材料科技有限公司;如皋市化合物半导体产业研究所;江苏秦烯新材料有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种表面清洁装置，尤其涉及一种砷化镓单晶的表面清洁装置。要解决的技术问题：提供一种可以自动清洗，减轻人们的负担的砷化镓单晶的表面清洁装置。一种砷化镓单晶的表面清洁装置，包括有支撑架、安装筒、水泵、进水管和连接管等；安装筒底部左右两侧均连接有支撑架，安装筒右侧连接有水泵，水泵右侧连接有进水管，水泵左侧连接有供水流动的连接管，连接管的两端分别密封式贯穿安装筒前后两侧本实用新型的电机可以带动砷化镓单晶转动，水泵可以将水输送到喷头内，水通过喷头喷出，对砷化镓单晶进行清洗，如此能够自动转动砷化镓单晶，自动清洗砷化镓单晶，减轻人们的负担。
一种砷化镓单晶表面清洁装置

[发明专利]一种砷化镓电池散热结构-CN202210776874.0在审
发明人：史博鑫 -专利权人：史博鑫
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓电池散热结构，包括砷化镓芯片、电源正极、电源负极和散热器，所述砷化镓芯片的基面通过焊接层连接第一导体，所述电源负极通过所述第一导体连接所述砷化镓芯片的基面，所述砷化镓芯片通过正极导线连接第二导体本发明的有益效果是：通过改进砷化镓电池的封装结构，提高砷化镓电池自身的导热效率，使砷化镓电池产生的热量高效传导到散热器，防止砷化镓电池发生过热损毁。
一种砷化镓电池散热结构

[发明专利]一种砷化镓电池散热结构-CN202210960137.6在审
发明人：史博鑫 -专利权人：史博鑫
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓电池散热结构，包括砷化镓芯片、电源正极、电源负极和散热器，所述砷化镓芯片的基面通过焊接层连接第一导体，所述电源负极通过所述第一导体连接所述砷化镓芯片的基面，所述砷化镓芯片通过正极导线连接第二导体本发明的有益效果是：通过改进砷化镓电池的封装结构，提高砷化镓电池自身的导热效率，使砷化镓电池产生的热量高效传导到散热器，防止砷化镓电池发生过热损毁。
一种砷化镓电池散热结构

[发明专利]室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法-CN201510976237.8在审
发明人：徐万劲;李磊;李艳平;姚利;侯瑞祥;秦国刚 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，在室温环境下先通过感应耦合等离子体处理或其他方法在砷化镓材料或砷化镓器件表面引入表面缺陷，再对砷化镓材料或砷化镓器件进行一定剂量的伽马射线辐照，激活励砷化镓内的金属杂质扩散该方法简单快捷，而且由于不需高温，不仅可用于改善砷化镓晶片的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。
室温环境激励砷化镓中金属原子扩散方法

[发明专利]砷化镓基半导体器件的制造方法-CN202011468551.2有效
发明人：于良成;白龙刚;杨国文;赵卫东 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种砷化镓基半导体器件的制造方法，涉及半导体器件制备技术领域。本发明提供的砷化镓基半导体器件的制造方法包括：将砷化镓基底放入酸溶液中进行清洗；向经过清洗的砷化镓基底表面通入流动的氨气，并使氨气进行等离子反应，以去除砷化镓基底表面的氧化物；在砷化镓基底上制备氮化硅保护膜本发明提供的砷化镓基半导体器件的制造方法，在砷化镓基底上制备氮化硅保护膜之前，利用氨气的等离子反应去除砷化镓基底表面的氧化物，并在砷化镓基底上形成完整的氮氢化学键，从而可以得到表面粗糙的稳态砷化镓基底，使得制备在砷化镓基底上的氮化硅保护膜不易于脱落，提高了产品良率。
砷化镓基半导体器件制造方法

[发明专利]用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途-CN201910045917.6在审
发明人： W·弗利格尔;C·克莱门特;C·维劳尔;M·舍费尔奇甘;A·克莱茵韦希特;S·艾希勒;B·韦纳特;M·梅德尔 -专利权人：弗赖贝格化合物原料有限公司
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于制备经表面处理的砷化镓衬底的新方法，和新提供的砷化镓衬底及其用途。根据本发明的方法的改进基于特殊的最终表面处理，其中使砷化镓衬底的至少一个表面在干燥条件下借助UV辐照和/或臭氧气体进行氧化处理，使砷化镓衬底的至少一个表面与至少一种液体介质接触，以及马兰葛尼式干燥所述砷化镓衬底根据本发明提供的砷化镓衬底显示出迄今未获得的表面性质，尤其是所述表面性质之均匀性，其可借助光学表面分析仪检测，尤其是借助椭圆偏振侧向衬底映射用于光学不接触定量表征。
衬底砷化镓表面性质制备侧向分析仪检测臭氧气体定量表征干燥条件光学表面椭圆偏振氧化处理液体介质不接触均匀性映射马兰改进

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