“应力释放层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2921077个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]发光二极管外延片的制备方法-CN201911337984.1有效
发明人：姚振;从颖;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：应力释放层的生长温度从N型GaN层的生长温度降低至第一生长温度，应力释放层内积累的热应力的方向与N型GaN层内热应力的方向相反，应力释放层内的热应力与N型GaN层内热应力相互抵消部分，应力释放层内会积累的应力较少后续再使应力释放层的生长温度从第一生长温度逐渐升高至第二生长温度，应力释放层的生长温度从第二生长温度逐渐降低至有源层的生长温度，应力释放层内部的热应力可以自我抵消部分，使得应力释放层内最终积累的应力较少，应力释放层释放应力的效果较好，后续生长有源层时会延伸至有源层的应力少，可以提高有源层的晶体质量。
发光二极管外延制备方法

[发明专利]柔性显示面板和显示装置-CN202111526058.6在审
发明人：韦尉尧 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本申请提供一种柔性显示面板和显示装置，柔性显示面板包括弯折区和非弯折区，在弯折区内，柔性显示面板包括衬底、线路层和至少两个应力释放层，线路层形成在衬底一侧，图案化形成多条信号线，至少两个应力释放层设置在线路层远离衬底的一侧，至少两个应力释放层中任意两个相邻应力释放层的弹性模量不同。本申请通过在弯折区的线路层上设置至少两个弹性模量不同的应力释放层，外部实验造成的应力在弹性模量较大的应力释放层被分散，在弹性模量较小的应力释放层被吸收，从而不会因应力集中造成弯折区线路断裂，增强了信号线的弯折能力
柔性显示面板显示装置

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法-CN201710388642.7有效
发明人：武艳萍 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，外延片还包括应力释放层，应力释放层为氮化镓层，应力释放层层叠在成核层中，或者应力释放层层叠在成核层和未掺杂氮化镓层之间，或者应力释放层层叠在未掺杂氮化镓层中，或者应力释放层叠在未掺杂氮化镓层和N型氮化镓层之间。本发明通过在成核层和未掺杂氮化镓层之间插入应力释放层，可以对衬底和氮化镓材料之间晶格失配产生的应力进行释放，避免应力影响外延片的翘曲度，衬底的表面平整，多量子阱层受热均匀，外延片发光波长的均匀性提高。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]应力释放层及具有应力释放层的硅负极锂离子电池-CN202310623955.1在审
发明人：陈健;陈海锋;宋缙华;刘雯;梅悦旎;顾海涛;郭瑞;王可;杨丞;解晶莹 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01M50/242 文献下载
摘要：本发明涉及应力释放层及具有应力释放层的硅负极锂离子电池，电池包括电芯、电池壳、电池盖以及应力释放层；电芯有两块，两块电芯并联，应力释放层置于两块电芯之间；应力释放层和两块电芯的组合体放置于电池壳内，电池壳容腔厚度大于应力释放层和两块电芯的组合体的厚度应力释放层包括芯层和包膜，包膜包裹芯层，芯层具有良好弹性变形能力，包膜保护所述芯层不受电解液腐蚀。在电池活化过程和电池循环过程中，应力释放层吸收硅负极锂离子电池多余变形，可在不显著提升电池重量的前提下，提升硅负极锂离子电池内部应力水平，保证电池内部应力水平处于舒适状态，提升电池循环性能和改善硅负极锂离子电池劣化趋势
应力释放具有负极锂离子电池

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法-CN201710400369.5有效
发明人：刘华容;万林;胡家辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、缺陷阻挡层、第一应力释放层、第二应力释放层、第三应力释放层、发光层和P型氮化镓层，缺陷阻挡层为掺杂硅的铝镓氮层，第一应力释放层为掺杂硅的氮化镓层，第二应力释放层包括交替层叠设置的多个第一子层和多个第二子层，第一子层为未掺杂的铟镓氮层，第二子层为掺杂硅的氮化镓层，第三应力释放层为掺杂硅的铟镓氮层；缺陷阻挡层中硅的掺杂浓度低于第一应力释放层，第一应力释放层中硅的掺杂浓度高于各个第二子层，各个第二子层中硅的掺杂浓度低于第三应力释放层。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]显示面板及显示设备-CN202210483142.2在审
发明人：贾文斌 -专利权人：合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种显示面板及显示设备，该显示面板包括基板、封装层和阻隔结构；封装层包括无机封装层，无机封装层设置在基板的一侧，无机封装层为连续膜层；阻隔结构包括应力释放结构，应力释放结构设置在无机封装层靠近或远离基板的一侧，应力释放结构的弹性模量小于无机封装层的弹性模量，应力释放结构用于释放无机封装层的切割应力。本申请通过在周边区域设置阻隔结构，且阻隔结构中的应力释放结构的弹性模量小于无机封装层的弹性模量，对无机封装层进行切割时，使得切割应力被应力释放结构释放掉，能够利于减少或消除无机封装层的裂缝，从而能够保证显示区域的封装效果
显示面板设备

[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法及其发光二极管外延片-CN201810628861.2有效
发明人：王群;郭炳磊;葛永晖;董彬忠;李鹏;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：制备方法包括：采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层和应力释放层；对应力释放层的表面进行伽马射线辐照，降低应力释放层的电阻率；采用化学气相沉积技术在应力释放层上依次生长有源层和P型半导体层本发明通过对应力释放层的表面进行伽马射线辐照，有利于应力释放层的各组分均匀掺杂在应力释放层中，提高应力释放层中元素掺杂的均匀性和有效性，保证外延片生长质量的一致性和均匀性，减少和释放蓝宝石和氮化镓之间晶格失配产生的缺陷和应力，提升有源层的晶体质量，有利于增加有源层中的辐射复合发光，最终改善LED的发光效率。
一种发光二极管外延制备方法及其

[发明专利]一种发光二极管外延片的制作方法及其发光二极管外延片-CN201810550077.4有效
发明人：葛永晖;郭炳磊;刘旺平;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：制作方法包括：采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层和应力释放层；对所述应力释放层的表面进行离子辐照，降低所述应力释放层的电阻率；采用化学气相沉积技术在所述应力释放层上依次生长有源层和P型半导体层。本发明通过对应力释放层的表面进行离子辐照，改变应力释放层晶体的微观结构，影响应力释放层内缺陷的形态和数量，降低应力释放层的电阻率，有利于N型半导体层提供的电子迁移到有源层中进行复合发光，提高注入有源层的电子数量
一种发光二极管外延制作方法及其

[发明专利]一种LED外延结构及制作方法-CN201511011151.8有效
发明人：杜成孝;郑建森;张洁;徐宸科 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种LED外延结构及制作方法，从下至上依次包括：衬底、第一导电类型半导体层、应力释放层、量子阱层以及第二导电类型半导体层，其中在所述应力释放层中插入一低温低Al组分的AlxGa1‑xN层，x取值范围为0.1%≤x≤1%，或者是所述应力释放层为InGaN、GaN、AlGaN组成的超晶格层，从而改善述应力释放层的应力释放能力，改善电压及Droop效应，并提升亮度。
一种 led 外延结构制作方法

[实用新型]一种可自动释放应力的自修复轮胎胶体结构及轮胎-CN202220270679.6有效
发明人：蒲勇江 -专利权人：蓉驿时代科技有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： B60C19/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可自动释放应力的自修复轮胎胶体结构及轮胎，可自动释放应力的自修复轮胎胶体结构，包括基层、应力释放层和覆盖层，所述基层用于粘接在轮胎内侧壁上并与轮胎形成一体式结构；应力释放层包括若干单面胶带，单面胶带粘接在基层上，相邻单面胶带之间留有缝隙，所述缝隙形成应力释放区域，所述覆盖层覆盖在应力释放层上，并用于将相邻单面胶带间形成的应力释放区域进行覆盖；基层、应力释放层和覆盖层相互粘接后形成一体式结构；可自动释放应力的自修复轮胎，包括胎体和胎体内侧壁设置的防扎胶体结构。本实用新型能够有效解决自修复轮胎封装过程中的应力破坏问题。
一种自动释放应力修复轮胎胶体结构

[发明专利]具有组分和厚度渐变应力释放层的发光二极管结构及其制备方法-CN201610900195.4在审
发明人：周泉斌;徐明升;王洪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了具有组分和厚度渐变应力释放层的发光二极管结构及其制备方法；该发光二极管结构自下而上依次为蓝宝石衬底、GaN成核层、非故意掺杂GaN层、N型GaN导电层、应力释放层、InGaN/GaN多量子阱有源层和P型GaN导电层；其中，应力释放层由InGaN势阱层和GaN势垒层交替组成；应力释放层的InGaN势阱层的单层厚度为3.4‑2.6nm；从下到上厚度逐渐降低；应力释放层的GaN势垒层的单层厚度为10‑16nm本发明采用组分和厚度渐变应力释放层来减小多量子阱有源区的应力和缺陷密度，提高多量子阱的内量子效率和发光二极管的发光强度。
具有组分厚度渐变应力释放发光二极管结构及其制备方法

[实用新型]深紫外发光二极管-CN202121317867.1有效
发明人：郑锦坚;毕京锋;高默然;范伟宏;曾家明;张成军 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种深紫外发光二极管，包括自下向上的衬底、模板层、应力调变层、n型半导体层、量子阱层和p型半导体层，所述应力调变层为超晶格层，所述超晶格层包括周期性交替堆叠的第一应力释放层和第二应力释放层，每个周期中的所述第一应力释放层和所述第二应力释放层的厚度之和大于10nm。本实用新型的技术方案使得应力调变层的应力调变效果得到提高，进而使得模板层与n型半导体层之间的晶格失配与热失配能够得到有效缓解，应力能够得到释放，从而使得表面裂纹得到改善。
深紫发光二极管

[发明专利]一种装配式建筑外墙用轻质隔墙板渗漏维修方法-CN202010651822.1在审
发明人：王忠 -专利权人：海南红杉科创实业有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： E04G23/02 文献下载
摘要：本发明公开一种装配式建筑外墙用轻质隔墙板渗漏维修方法，先沿墙板交接缝或裂纹切割出应力释放槽；再沿应力释放槽的边沿涂刷界面处理层；接着将粘固填充层填充至应力释放槽，直至粘固填充层外泛至应力释放槽的槽沿直至延伸至外墙整体；最后将外墙装饰面层设于所述粘固填充层表面直至恢复到与外墙构造一致。本发明先在交接缝或裂纹内开设应力释放槽，避免应力集中；接着，在应力释放槽内填充粘固填充层，粘固填充层具有适应剪切和拉伸的形变性能，抵抗形变应力贯穿到外表面，克服应力集中而引发的开裂，从而实现渗漏维修。
一种装配式建筑外墙用轻质隔墙板渗漏维修方法

[发明专利]外延结构、发光器件和外延结构的制作方法-CN202110183455.1有效
发明人：翟小林;杨顺贵;张青洲;张海林;周毅 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种外延结构、发光器件及外延结构的制作方法，外延结构包括依次形成在衬底上的缓冲层和应力释放层，应力释放层包括第一应力释放层，第一应力释放层的材质为AlGaN，其中，Al组分含量占比为50％‑90第一应力释放层的材质为Al组分含量较高的AlGaN，可预先引入压应力，实现高质量无裂纹的GaN薄膜外延生长。高Al组分的第一应力释放层不仅过滤大量位错，而且引入的压应力使得部分位错转弯煙灭，最终实现镜面光滑无裂纹且低位错密度的GaN薄膜，在衬底尺寸较大的情况下控制外延结构的应力水平，进而控制波长均匀性。
外延结构发光器件制作方法

[发明专利]一种MOCVD中InN/LT-AlN复合应力释放缓冲层技术-CN201410520437.8在审
发明人：罗睿宏;张国义 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种在MOCVD机台中使用的InN/LT-AlN复合应力释放缓冲层技术。应力释放层是在MOCVD材料生长中一种重要功能层，能实现良好的应力释放效果，改善外延片的翘曲度以及晶体质量，尤其在GaN-On-Silicon这种存在巨大的热失配和晶格失配的异质材料外延生长中显得特别重要本发明提供了InN/LT-AlN复合应力释放缓冲层技术，在LT-AlN(低温氮化铝)缓冲层生长前先沉积一层InN功能层，从而形成复合应力释放缓冲层，从而很好的释放异质生长中带来的应力。
一种 mocvd inn lt aln 复合应力释放缓冲技术

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条