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[发明专利]带隙结构、天线组件、印刷电路板和雷达传感器-CN202210300307.8有效
发明人：王剑;李鑫;王正龙;张书俊 -专利权人：杭州海康威视数字技术股份有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙结构、天线组件、印刷电路板和雷达传感器，涉及带隙结构的技术领域，解决了天线辐射效率低，并且相邻的两个信号单元之间容易发生互耦的技术问题。带隙结构包括绝缘层、带隙层、接地层、多个导电结构和多个螺线槽。带隙层包括多个阵列排布的带隙单元。相邻的两个带隙单元之间相互绝缘。带隙单元的形状为n边形，n为5～8之间的正整数。接地层设置于绝缘层远离带隙层的一侧。任一个导电结构的一端与一个带隙单元电连接，另一端与接地层电连接。一个螺线槽开设于一个带隙单元上，且沿带隙层至绝缘层的方向贯穿带隙层。任一个螺线槽在接地层上的正投影，环绕于一个导电结构在接地层上的正投影。本发明提供的带隙结构用于天线组件。
结构天线组件印刷电路板雷达传感器

[发明专利]一种新型分段补偿带隙基准电路-CN202210866143.5有效
发明人：马铭磷;黄帅昌 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型分段补偿带隙基准电路，用于产生参考电压。所述分段补偿带隙基准电路包括：带隙基准电路A、带隙基准电路B。其中带隙基准电路A包括：启动电路、偏置电路、带隙基准核心电路。带隙基准电路B与带隙基准A具有相同结构。所提出新型带隙基准电路将两种常规结构结合在一起，并选择最大值作为输出。从而实现了高精度的参考电压。
一种新型分段补偿基准电路

[发明专利]一种带隙基准电路-CN202210021717.9有效
发明人：雒超;薛棋文;郭国平 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本公开提供了一种带隙基准电路，该带隙基准电路包括电流模带隙基准电路，与电源相连；以及启动电路，用于在所述电流模带隙基准电路上电时使所述电流模带隙基准电路转换为电压模结构启动，并在启动后使所述电流模带隙基准电路又恢复到电流模结构正常工作
一种基准电路

[实用新型]一种具有哑铃带隙结构的带通滤波器-CN201220749598.0有效
发明人：刘新月;郑宏兴;刘颖;孙程光;王利强 -专利权人：天津职业技术师范大学
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有哑铃带隙结构的带通滤波器，用于无线通信系统等领域。具有哑铃带隙结构的带通滤波器包括输入馈线、输出馈线、两个平行耦合线和两个折线形哑铃带隙结构谐振器，折线形哑铃带隙结构谐振器由闭环矩形微带线和折线形哑铃带隙结构组成，其中折线形哑铃带隙结构两边的哑铃部分为长宽相等的方形带隙，中间哑铃臂为折线形带隙；输入输出馈线分别为50欧姆特征线宽，连接SMA馈电装置。
一种具有哑铃结构带通滤波器

[发明专利]带有带隙基准结构的欠压锁存电路-CN201010508409.6无效
发明人：赵鹤鸣;李富华;谢卫国;王伟;黄秋萍;江石根 -专利权人：苏州大学;苏州华芯微电子股份有限公司
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有带隙基准结构的欠压锁存电路，包括分压器、带隙基准电路、比较器和逻辑电路，其特征在于：所述带隙基准电路和比较器采用带隙基准比较器实现，带隙基准比较器由带隙基准结构和负载构成，分压器的分压电压输出端连接带隙基准比较器的比较电压输入端，带隙基准比较器的输出端连接逻辑电路的输入端，经逻辑电路整形后构成欠压锁存电路的控制输出端；逻辑电路与分压器间设有反馈控制回路，当带隙基准比较器输出高电平时，逻辑电路经反馈控制回路使分压器输出较高的分压电压本发明通过设计带隙基准结构构建了带隙基准比较器，电路结构明显简化，电路面积更小，成本更低；响应速度快；温度漂移小；功耗低。
带有基准结构欠压锁存电路

[实用新型]一种电子带隙结构及印刷电路板-CN202221707472.7有效
发明人：蔡步森;陈欢洋 -专利权人：浙江宇视科技有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种电子带隙结构及印刷电路板，涉及芯片封装技术领域，其技术方案中电子带隙结构包括至少一个电子带隙单元；电子带隙单元包括通孔分布区；其中，通孔分布区包括基板和贯穿基板的多个通孔，多个通孔阵列排布本实用新型实施例提供的电子带隙结构，在引入印刷电路板中可以起到抑制同步开关噪声的效果，并且该电子带隙结构包括至少一个电子带隙单元，电子带隙单元中包括通孔分布区，即在保证起到抑制同步开关噪声效果的同时，还可以通过通孔分布区中通孔进行信号走线的扇出，进一步保证提供的电子带隙结构适用于实际的需要设置通孔的单板设计。
一种电子结构印刷电路板

[实用新型]一种BICMOS线路结构的带隙基准电路-CN201320080616.5有效
发明人：王文建 -专利权人：浙江商业职业技术学院
申请日： 2013-02-21 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种BICMOS线路结构的带隙基准电路。BICMOS线路结构的带隙基准电路包括带隙电路、输出反馈补偿电路、电压调整电路和启动电路：所述带隙电路产生随温度变化很小的基准电压；所述输出反馈补偿电路是对所述带隙电路进行频率响应补偿并输出基准电压；所述电压调整电路用以调整输出基准电压的电压值；所述启动电路是对所述带隙电路提供启动电流。利用本实用新型提供的BICMOS线路结构的带隙基准电路能产生高精度的基准电压。
一种 bicmos 线路结构基准电路

[发明专利]一种高精度低噪声无运放结构的带隙基准源-CN202310556226.9在审
发明人：李泽宏;曾传扬;汪鑫 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种高精度低噪声无运放结构的带隙基准源，属于电子电路领域。该带隙基准源包含启动电路、带隙核心电路。启动电路用于电路上电时启动，具有多次启动功能；带隙核心电路用于产生基准电压。本发明通过在带隙核心电路模块中采用共源共栅电流镜，提高了无运放结构电路的镜像精度，并且通过采用无运放结构，极大降低了带隙电路的整体低频噪声。
一种高精度噪声无运放结构基准

[发明专利]量子阱能级结构的QLED器件-CN201610981754.9有效
发明人：钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇;陈崧 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种量子阱能级结构的QLED器件，包括依次层叠设置的衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极，所述量子点发光层为量子阱能级结构，包括依次交替层叠的第一带隙层和第二带隙层，且所述量子点发光层的两个表层均为所述第一带隙层；其中，所述第一带隙层由第一带隙材料制成，所述第二带隙层由量子点发光材料制成，所述第一带隙材料的带隙宽度大于所述量子点发光材料的带隙宽度，且两者能级差≥0.5eV
量子能级结构 qled 器件

[发明专利]一种宽带隙多异质结隧穿结结构-CN201210207237.8无效
发明人：单智发;张永;蔡建九;陈凯轩;林志伟 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种宽带隙多异质结隧穿结结构，由四个功能层组成；第一功能层具有第一带隙和第一型掺杂；第二功能层具有第二带隙和第一型掺杂，且带隙小于第一带隙；第三功能层具有第三带隙和第二型掺杂；第四功能层具有第四带隙和第二型掺杂，且带隙大于第三带隙。本发明解决了现有技术宽带隙隧穿结峰值电流密度低的问题，采用四个功能层组成隧穿结结构，各功能层之间形成异质结，既可以通过pN型或nP型异质结构的带阶提高峰值隧穿电流，又可以通过Pp型或Nn型异质结构的载流子的注入效应来实现载流子补偿
一种宽带隙多异质结隧穿结结构

[发明专利]基于指数补偿的低温漂高电源抑制比带隙基准电路-CN201910756733.0有效
发明人：李泽宏;洪至超;胡任任;蔡景宜;杨耀杰;仪梦帅 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：基于指数补偿的低温漂高电源抑制比带隙基准电路，包括预稳压模块、预稳压启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块，带隙基准核心模块用于产生基准电压，共源极接法的第十五PMOS管构成βhelp结构，避免了CMOS工艺中β值过小导致基极电流引入过大误差的问题；同时通过第九电阻R9将基准电压的高阶曲率补偿结构嵌入βhelp结构中，显著的减低了基准输出电压的温度漂移系数；带隙基准核心启动模块用于使带隙基准核心模块脱离简并点；预稳压模块用于产生为带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块供电的局部电压，通过自适应驱动结构既保证了预稳压结构的驱动能力又有效的提高了基准输出电压的电源抑制比；预稳压启动模块用于使预稳压模块脱离简并点
基于指数补偿低温电源抑制基准电路

[发明专利]带隙基准电压产生电路-CN202111528636.X有效
发明人：迮德东;张杰 -专利权人：上海富芮坤微电子有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供一种带隙基准电压产生电路，所述带隙基准电压产生电路包括：带隙基准电压模块，用于输出带隙基准电压；偏置电压生成模块，与所述带隙基准电压模块连接，用于输出偏置电压至所述带隙基准电压模块，以使所述带隙基准电压模块输出带隙基准电压本发明通过偏置电压电路结构的改善，提供一种工作电压范围较宽的带隙基准电压产生电路。
基准电压产生电路

[实用新型]一种宽带隙多异质结隧穿结结构-CN201220294751.5有效
发明人：单智发;张永;蔡建九;陈凯轩;林志伟 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开一种宽带隙多异质结隧穿结结构，由四个功能层组成；第一功能层具有第一带隙和第一型掺杂；第二功能层具有第二带隙和第一型掺杂，且带隙小于第一带隙；第三功能层具有第三带隙和第二型掺杂；第四功能层具有第四带隙和第二型掺杂，且带隙大于第三带隙。本实用新型解决了现有技术宽带隙隧穿结峰值电流密度低的问题，采用四个功能层组成隧穿结结构，各功能层之间形成异质结，既可以通过pN型或nP型异质结构的带阶提高峰值隧穿电流，又可以通过Pp型或Nn型异质结构的载流子的注入效应来实现载流子补偿
一种宽带隙多异质结隧穿结结构

[发明专利]带隙超材料的Yang-Li叠加效应设计方法及其结构-CN202111019881.8在审
发明人：杨德庆;李清 -专利权人：上海交通大学三亚崖州湾深海科技研究院;上海交通大学
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供一种带隙超材料的Yang‑Li叠加效应设计方法及其结构。该方法首先指定超材料功能基元基本属性；其次指定超材料的总体能带设计区间，并根据Yang‑Li叠加效应所要进行带隙叠加设计的带隙区间数，设定功能基元组的个数；随后，建立各超材料功能基元组的优化设计数学模型，优化求解得到功能基元组的各自设计变量值；之后利用Yang‑Li叠加效应将各功能基元组梯度叠加序构成为带隙超材料或带隙超材料结构；最后，根据设计方案制造出指定频段减振降噪超材料或超材料结构。本发明的一种带隙超材料的设计和制造方法及相应带隙超材料，打破了现有带隙超材料带隙较窄且只能作为功能材料的工程应用局限。
带隙超材料 yang li 叠加效应设计方法及其结构

[发明专利]具有用于应力和带隙调节的可变包覆层/芯尺寸的晶体管结构-CN201380079217.X有效
发明人： W·拉赫马迪;V·H·勒;R·皮拉里塞泰;M·拉多萨夫列维奇;G·杜威;N·慕克吉;J·T·卡瓦列罗斯;R·S·周;B·舒-金;R·科特利尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种装置，包括设置在衬底上且限定沟道区的异质结构，该异质结构包括具有小于衬底材料带隙的第一带隙的第一材料和具有大于第一带隙的第二带隙的第二材料；和在沟道区上的栅极叠置体，其中第二材料被设置在第一材料和栅极叠置体之间该方法包括在衬底上形成具有第一带隙的第一材料；在第一材料上形成具有大于第一带隙的第二带隙的第二材料；和在第二材料上形成栅极叠置体。
具有用于应力调节可变覆层尺寸晶体管结构

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