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[发明专利]一种可调带隙的声表面波器件-CN201910520394.6在审
发明人：诸骏;吴化平;陈宇丹;刘振东 -专利权人：宁海县浙工大科学技术研究院
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种可调带隙的声表面波器件，包括压电薄膜、薄膜上的叉指电极和柔性声子晶体贴片，所述叉指电极位于薄膜的两侧，所述柔性声子晶体贴片位于薄膜的中部，所述柔性声子晶体贴片采用二维声子晶体，基体PDMS的硬度和二维周期结构排列下的声子晶体带隙之间的函数关系，从而定量的达到人为控制声子晶体带隙的目的；通过改变声子晶体带隙实现调节声表面波器件的带隙。本发明能解决不重新制备也能调节声表面波器件的带隙的目的，从而降低实验成本。
带隙声子晶体声表面波器件贴片薄膜叉指电极可调二维声子晶体二维周期结构函数关系人为控制实验成本压电薄膜制备

[发明专利]一种高阶温度补偿的带隙电压基准源-CN201110123687.4有效
发明人：周泽坤;欧雪春;朱培生;石跃;明鑫;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明属于电源技术领域，公开了一种高阶温度补偿的带隙电压基准源。具体包括启动电路、一阶带隙基准电路、高阶温度补偿电路和求和输出电路。本发明带隙电压基准源通过将一阶带隙基准电路产生的一阶带隙基准电压与高阶温度补偿电路产生高阶温度补偿电流转换的电压进行求和叠加，进而得到基准电压，通过引入指数补偿改善带隙基准电压源的温度系数，所设计的电路同时采用两条反馈环路
一种温度补偿电压基准

[发明专利]一种芯片内部偏置电压校正电路-CN201210431930.3无效
发明人：蒋仁杰 -专利权人：长沙景嘉微电子股份有限公司
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：本电路利用带隙基准电压对PVT（工艺、电压、温度）不敏感的特性，用内部偏置电压和带隙基准电压进行比较，然后经过判断逻辑判断内部偏置电压是否达到预设的电压值，然后根据判断结果控制可变电流，调节芯片内部的偏置电压，直到芯片内部偏置电压与带隙基准电压的关系满足预先设计的条件，校正完成，从而使得芯片内部偏置电压与带隙基准电压具有相同的PVT特性，即可以实现利用一个带隙基准电压可以得到多个PVT特性与带隙基准可比拟的
一种芯片内部偏置电压校正电路

[实用新型]一种基于形状记忆合金的带隙可控超材料梁-CN201821999088.2有效
发明人：庄国志;吕旭峰;李振华;王宇涵;王丹凤 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： E04C3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于形状记忆合金的带隙可控超材料梁，包括基梁、形状记忆合金和加热片；形状记忆合金在加热的状况下呈弯曲状，在冷却情况下呈水平状；所述的形状记忆合金以设定间隔沿基梁长度方向布置在基梁上，本实用新型通过形状记忆合金形状的变化可以实现局域共振带隙的移动，实现了带隙的调节。架设简单，且不强制需要周期架设实现。通过形状记忆合金的变化可以实现布拉格带隙与局域共振带隙的切换，大大拓宽了可调节带隙的范围。
形状记忆合金带隙基梁本实用新型超材料加热片共振可控架设可调节水平状弯曲状贴附加热冷却移动

[发明专利]用于使用双极二极管元件修整带隙偏移的系统及方法-CN200980145533.6有效
发明人：明·勒;伍韦·马丁 -专利权人：密克罗奇普技术公司
申请日： 2009-11-17 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： G05F3/30 文献下载
摘要：本发明揭示一种集成电路，其具有：未经修整带隙产生电路；及耦合到所述未经修整带隙产生电路的带隙产生电路。所述带隙产生电路具有：电流源，其由所述未经修整带隙产生电路控制且与电阻器及第一双极二极管装置串联耦合；双极二极管装置中的一者或一者以上，每一双极二极管装置与所述第一双极二极管装置并联耦合，其中所述集成电路的经修整带隙参考电压输出为双极二极管装置的数目的函数
用于使用二极管元件修整偏移系统方法

[发明专利]一种富硒香蕉发酵酒的生产加工方法-CN201911064060.9在审
发明人：付满;陈欢;苏倩倩;黄海;刘忠义;范和良;蒙晓琳 -专利权人：北部湾大学
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： C12G3/022 文献下载
摘要：本发明公开了一种富硒香蕉发酵酒的生产加工方法，该方法包括以下步骤：采用富硒水源、富硒米、富硒地种植香蕉的带皮全果加工，经超声、微波处理后，低氧保护发酵，得到一款富硒、低成本、低甲醇、风味独特、口感柔和的富硒香蕉发酵酒
富硒香蕉发酵酒发酵工艺调整生产加工微波处理低成本富硒米超声低氧甲醇全果柔和水源灵活加工种植

[发明专利]一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构-CN201711307026.0在审
发明人：任明远;宋博尊;秦梦莹 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度的高阶曲率补偿的电流模基准的带隙电路结构，包括运算放大电路(103)，改进电路精度大小的电路(101)，一阶补偿带隙电路(100)，高阶补偿带隙电路(102)。其中，一阶补偿带隙电路(100)用来产生一个正常工作的基准电压，得到具有一阶温度补偿的电流值，高阶补偿带隙电路(102)，利用VBE的线性项进行温度补偿，得到一个高阶的温度补偿值；精度改进电路(101)，通过调节失调电压的大小，从而改变N值增大了电流正比于面积反比之间的积，减小了失调电压的影响，得到一个高精度的高阶曲率补偿的带隙基准电流值。该发明与普通的带隙电路相比具有拥有着很大的区别，补偿后的电路的温度和失调电压大小、精度等特性得到了很大的改良。
一种高精度曲率补偿电流基准电路结构

[发明专利]电源上电结构-CN201910643552.7在审
发明人：张宁;钱翼飞 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种电源上电结构，包括：LDO模块，带隙基准源模块，电压检测模块，偏置模块，开关模块；LDO模块、电压检测模块和偏置模块的工作电压都采用外部电源电压；带隙基准源模块的工作电压采用LDO输出电压；开关模块提供LDO模块的参考电压输入端和偏置电流输入端在偏置模块的输出和带隙基准源模块的输出之间切换连接，在上电时，由偏置模块提供偏置电压和电流到LDO模块并实现启动，LDO模块的LDO输出电压上升到能使带隙基准源模块稳定工作时，由带隙基准源模块提供偏置电压和电流到LDO模块，实现正常工作。本发明能采用内部电源电压对带隙基准源模块供电并同时能解决内部电源电压对带隙基准源模块的上电启动的制约。
带隙基准源偏置模块上电电压检测模块内部电源电压工作电压开关模块偏置电压电源参考电压输入端外部电源电压模块提供模块稳定偏置电流上电启动输出输入端供电制约

[发明专利]一种低压结构的带隙基准源电路-CN202111678032.3在审
发明人：傅珅;王海力 -专利权人：京微齐力（北京）科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本申请提供了一种低压结构的带隙基准源电路。该带隙基准源电路包括：核心带隙基准源生成电路和带隙基准源输出电路，核心带隙基准源生成电路包括第一支路和第二支路，第二支路与第一支路连接。其中，第二支路用于将第一支路上形成的第一基准电压转换成小于第一基准电压的第二基准电压并输出到带隙基准源输出电路，带隙基准源输出电路基于第二基准电压输出目标电压或者目标电流。
一种低压结构基准电路

[发明专利]低功耗的带隙基准电路、芯片及电子设备-CN202310353996.3在审
发明人：张志辉 -专利权人：辰芯半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开一种低功耗的带隙基准电路、芯片及电子设备，其中，本发明技术方案为由第一电源以及均与所述第一电源连接的带隙基准核心模块、PN结支路、上拉模块、自偏置电流模块、电流注入模块和启动判断模块组成的低功耗的带隙基准电路；通过启动判断模块在第一电源上电时，对公共节点的带隙基准电压是否低于带隙基准参考电压的判断，输出对应控制信号，指示各模块的工作状态。本发明技术方案可使所述的低功耗的带隙基准电路在不增加额外的电流的情况下，减小工艺\电压\温度对启动电路正常工作的影响，产生适用于电压模和电流模的带隙基准电压，能够适应电源电压的快速上电和缓慢上电。
功耗基准电路芯片电子设备

[发明专利]一种高阶温度补偿基准电压源和集成电路-CN202310035395.8在审
发明人：叶美耀;熊欢;陈敏华;李雪;袁兴林;唐毓尚 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供了一种高阶温度补偿基准电压源和集成电路，所述基准电压源包括：偏置电路、运算放大电路、带隙基准电压源核心电路和温度曲率补偿电路；所述偏置电路用于将外部电源端的输出电压转换成偏置电流；所述带隙基准电压源核心电路用于根据所述偏置电流产生带隙基准电压；所述运算放大电路用于构成负反馈，控制所述带隙基准电压的大小；所述温度曲率补偿电路用于对所述带隙基准电压进行高阶温度曲率补偿；本发明通过温度曲率补偿电路对带隙基准电压进行高阶温度曲率补偿，使带隙基准电压源核心电路输出电压的温度特性可以和曲率补偿项互补抵消
一种温度补偿基准电压集成电路

[发明专利]一种通用的带隙基准启动电路-CN201010268996.6有效
发明人：黄伟;马成炎;叶甜春 -专利权人：杭州中科微电子有限公司
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开一种通用的带隙基准启动电路，该启动电路为电流比较结构，由自偏置电路、电流镜比较电路以及下拉晶体管组成，用于电压模带隙基准启动电路时，基准电流只需满足一定范围，电路结构简单，用于电流模带隙基准电路，当带隙基准电路因多简并点而工作在一个错误工作状态时，电流比较结果迅速将启动电路开启，使带隙基准电路进入正常工作状态，同时新的电流比较结果立即将启动电路关断，不对基准电路产生影响。本发明有效解决两种模的带隙基准电路启动问题，通用于CMOS工艺下带隙基准电路结构。
一种通用基准启动电路

[发明专利]一种无运放的带隙基准电路-CN201810013863.0有效
发明人：来新泉;王慧;王宇恒;李琴琴 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种无运放的带隙基准电路，该带隙基准电路包括带隙核心单元、钳位单元和启动单元；带隙核心单元用于产生零温度系数基准电压VREF；钳位单元的输入端分别连接钳位电压VA和钳位电压VB，输出端连接基准电压VREF，与带隙核心单元构成负反馈，用于保证带隙核心单元输出的钳位电压VA与钳位电压VB相等；启动单元的输入端连接钳位电压VB，输出端输出启动信号Vstart至钳位单元，用于保证钳位单元和带隙核心单元在上电时迅速进入正常工作状态
一种无运放基准电路

[发明专利]一种具有预稳压结构的高电源抑制比带隙基准电路-CN201910327106.5有效
发明人：李泽宏;胡任任;杨尚翰;洪至超;仪梦帅 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G05F1/575 文献下载
摘要：一种具有预稳压结构的高电源抑制比带隙基准电路，包括第一启动电路、第二启动电路、第三启动电路、预稳压电路、基准电流源电路和带隙基准核心电路，第一启动电路、第二启动电路、第三启动电路分别用于启动预稳压电路、基准电流源电路、带隙基准核心电路；预稳压电路用于产生局部电压为第二启动电路、第三启动电路、基准电流源电路和带隙基准核心电路供电，达到抑制电源纹波的效果；基准电流源电路用于产生基准电流，带隙基准核心电路产生基准电压本发明通过设置带隙基准核心电路的共源共栅电流镜、运放输出端的前馈通路、基准电流源电路增添第三条支路、基准源输出端串联RC低通滤波电路等技术有效改善了带隙基准电路的电源抑制比。
一种具有稳压结构电源抑制基准电路

[发明专利]一种低功耗的带隙基准电路-CN202111002490.5有效
发明人：何越峰;袁国顺 -专利权人：江苏集萃智能集成电路设计技术研究所有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域,公开了一种低功耗的带隙基准电路，包括带隙核心模块、电源输入端、启动模块和运算放大器模块，带隙核心模块被配置于产生正温度系数电压和负温度系数电压，电源输入端分别与带隙核心模块、启动模块和运算放大器模块电连接，启动模块被配置于向带隙核心模块的启动开关的控制端输入启动信号，带隙核心模块接收到启动信号后产生的正温度系数电压和负温度系数电压分别输入到所述运算放大器模块，在实际使用时当运算放大器模块的输出电压的幅值大于等于关断阈值时，启动模块停止向带隙核心模块的启动端输入启动信号，即启动模块停止工作，进而降低本发明在使用时的功耗。
一种功耗基准电路