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[发明专利]ZP89型移频信号中心频率检测方法、设备及存储介质-CN202211533828.4在审
发明人：蔡云骐;雍鸿程;张锐;倪伟;邓兴高 -专利权人：绵阳市维博电子有限责任公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H04L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了ZP89型移频信号中心频率检测方法、设备及存储介质，方法包括步骤：通过欠采样法对ZP89型移频信号进行采样；对采样数据进行FFT分析；在步骤二所得的频谱上找到左右主峰及其对应的左右次峰，共六个峰；根据左主峰或右主峰的左右次峰幅值的比值的大小，选取最大的二个峰值或四个峰值完成t点的能量重心校正，得到校正后的峰值；根据步骤三所得的校正后的峰值计算欠采样中心频率；对步骤四的计算结果进行频谱还原，得到ZP89型移频信号中心频率。本方案通过能量重心的校正提升频率分辨率，进一步提高计算精度；通过二峰法和四峰法的结合使用解决了频域分析中可能出现的中心频率大幅跳动问题。
zp89 型移频信号中心频率检测方法设备存储介质

[发明专利]半导体装置-CN202180007761.8在审
发明人：阿形泰典;白川彻 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其包括：第一导电型的漂移区，设置于半导体基板；第一导电型的场截止区，设置于漂移区的下方，具有一个或多个峰；以及第二导电型的集电极区，设置于场截止区的下方，在将集电极区的积分浓度设为x[cm‑2]，将一个或多个峰中的从半导体基板的背面起算最浅的第一峰的深度设为y1[μm]，并设线A1：y1＝(‑7.4699E‑01)ln(x)+(2.7810E+01)、线B1：y1＝(‑4.7772E‑01)ln(x)+(1.7960E+01)的情况下，第一峰的深度和积分浓度处于线A1与线B1之间的范围。
半导体装置

[发明专利]阿立派唑的新晶型及其制备方法-CN200410079381.3有效
发明人：诸葛明;邢乃果;张道林 -专利权人：重庆医药工业研究院有限责任公司
申请日： 2004-10-14 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： C07D215/22 文献下载
摘要：本发明涉及阿立哌唑的α、β晶型及其制备方法，以及在制备治疗精神分裂症药物中的应用。α晶型的特征在于：其粉末X－衍射图谱(CuK_α源，α＝1.54056)2θ在以下值左右有特征峰：10.9°，12.5°，16.5°，17.3°，18.0°，18.6°，19.6°，20.3°，22.0°，22.5°,24.3°,24.8°,26.4°，27.7°，29.9°和31.5°；差示热量扫描显示约在374.66K和414.28K处有吸热峰(升温速率：10℃/min)；热重图显示其β晶型的特征在于：其粉末X－衍射图谱(CuK_α源，α＝1.54056)2θ在以下值左右有特征峰：7.7°，10.87°，14.2°，16.3°，19.2°，20.1°，21.9°，23.7°，26.4°和28.2°；差示热量扫描显示约在416.35K和422.45K处有吸热峰(升温速率：10℃/min)。
阿立派唑新晶型及其制备方法

[发明专利]一种产志贺毒素大肠埃希氏菌的分型方法-CN202110924908.1有效
发明人：周巍;李永波;王赞;张雅伦;张瑞;严陶陶;陈晨;刘帅;陈勃旭 -专利权人：河北省食品检验研究院
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种产志贺毒素大肠埃希氏菌的分型方法，包括以下步骤：A、使用待测产志贺毒素大肠埃希氏菌样本分别制作基质混合溶液和样本混合溶液，将基质混合溶液和样本混合溶液滴加在靶板上，制作两个待测靶板；B、使用MALDI‑TOF设备对两个靶板分别进行检测，得到两个质荷比峰谱图；C、对比两个质荷比峰谱图，计算得到各离子峰的特征数据，根据离子峰的特征数据对产志贺毒素大肠埃希氏菌进行分型。本发明能够改进现有技术的不足，提高了基质辅助激光吸附电离飞行时间质谱检测在产志贺毒素大肠埃希氏菌分型中的准确性。
一种产志贺毒素大肠埃希氏菌方法

[发明专利]沸石膜、其制备方法及使用了该沸石膜的分离方法-CN201580035833.4有效
发明人：今坂怜史;板仓正也;长谷川泰久;佐藤刚一 -专利权人：日立造船株式会社
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： B01D69/10 文献下载
摘要：CHA型沸石颗粒的Si/Al(摩尔比)为9.5～100.5，在对沸石膜表面照射X射线而得到的X射线衍射图中，2θ＝18°附近的峰强度小于2θ＝21°附近的峰强度的0.5倍，及/或2θ＝10°附近的峰强度小于2θ＝21°附近的峰强度的4倍。在使用含有Si元素源、Al元素源、碱源及有机模板的水性反应混合物，通过水热合成，在多孔支持体的中间层上形成具有CHA型晶体结构的沸石膜时，使用未经脱铝处理的FAU型沸石作为Si元素源及Al元素源。
沸石膜制备方法使用分离

[发明专利]一种加氢裂化催化剂及其制备方法和应用-CN201410109861.3有效
发明人：杨平;辛靖;李明丰;聂红;胡志海;张毓莹 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： B01J29/78 文献下载
摘要：一种加氢裂化催化剂及其制备和应用，该催化剂含有含Mo‑Beta型沸石分子筛的载体，其中，所述Mo‑Beta型沸石分子筛的n值为0<n<1，n=I/αI0，以FT‑IR方法表征，I为Mo‑Beta型沸石分子筛的FT‑IR谱图中3610cm‑1吸收峰强度，I0为Mo‑Beta型沸石分子筛的母体Beta型沸石分子筛的FT‑IR谱图中3610cm‑1吸收峰强度，α为Mo‑Beta型沸石分子筛的FT‑IR谱图中3740cm‑1吸收峰强度与母体Beta型沸石分子筛的FT‑IR谱图中3740cm‑1吸收峰强度的比值。所述分子筛的制备方法包括（1）将Beta型分子筛与含Mo化合物混合；（2）将步骤（1）得到的混合物在含水蒸气的气氛围下焙烧得到。
一种加氢裂化催化剂及其制备方法应用

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN202280018147.6在审
发明人：洼内源宜;吉村尚;泽雄生;山口省吾 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第一导电型的缓冲区，其设置在比漂移区更靠半导体基板的背面侧的位置，且具有掺杂浓度的第一峰；以及第一晶格缺陷区，其在半导体基板的深度方向上设置在比第一峰更靠半导体基板的正面侧的位置，且具有复合中心，缓冲区具有氢化学浓度分布为峰的氢峰，其设置在比第一晶格缺陷区靠半导体基板的正面侧的位置，在半导体基板的深度方向上，沿从漂移区的上端起到氢峰为止的方向对掺杂浓度进行积分而得的积分浓度为临界积分浓度以上
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202011371539.X在审
发明人：今川铁太郎 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L29/32 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的半导体层，具有第一面和第二面，第二面位于第一面的相反侧；以及第二导电型的半导体层，以与第一导电型的半导体层的第一面接触的方式设置，第一导电型的半导体层在从第一面向第二面的第一方向的不同位置处具有多个杂质浓度峰，第一方向上的从作为第一导电型的半导体层与第二导电型的半导体层的接合界面的第一面起，到多个杂质浓度峰中距第一面最近的第一个杂质浓度峰与距第一面第二近的第二个杂质浓度峰的边界为止的积分浓度为临界积分浓度以下
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201680003832.6有效
发明人：今川铁太郎 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的半导体层，具有第一面和第二面，第二面位于第一面的相反侧；以及第二导电型的半导体层，以与第一导电型的半导体层的第一面接触的方式设置，第一导电型的半导体层在从第一面向第二面的第一方向的不同位置处具有多个杂质浓度峰，第一方向上的从作为第一导电型的半导体层与第二导电型的半导体层的接合界面的第一面起，到多个杂质浓度峰中距第一面最近的第一个杂质浓度峰与距第一面第二近的第二个杂质浓度峰的边界为止的积分浓度为临界积分浓度以下
半导体装置

[发明专利]一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法-CN201410136007.6无效
发明人：李兴冀;刘超铭;杨剑群;马国亮;肖景东;何世禹;杨德庄 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： G01N27/61 文献下载
摘要：一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法，属于电子技术领域。解决了现有双极型晶体管的电离辐射损伤缺陷无法定量化的问题。它的过程为：首先，将双极型器件安装到深能级瞬态谱仪低温测试台上，保证双极型器件与深能级瞬态谱仪低温测试台紧密连接，并将双极型器件基极与集电极分别与深能级瞬态谱仪的高、低测试接头相连；其次，设置测试参数，该参数包括反向偏压V_R、脉冲电压V_P、测试周期T_W、脉冲宽度T_P及温度扫描范围，获得氧化物电荷和界面态的DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽，最后，根据DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽获得双极型器件电离辐射损伤缺陷。
一种基于能级瞬态技术双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法

[发明专利]一种随形金属托模覆膜砂壳型铸造工艺-CN201710238699.9有效
发明人：朱爱军;王彩余;周国平 -专利权人：扬州广润机械有限公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： B22C9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种随形金属托模覆膜砂壳型铸造工艺，通过随形金属托模覆膜砂壳型铸造模具组件实现，该组件包括覆膜砂壳型、随形金属托模及补砂块，覆膜砂壳型设置于随形金属托模上，补砂块卡设于覆膜砂壳型上，浇注系统设计于补砂块之内，其中：随形金属托模包括随形金属托模压盖和随形金属托模底座，随形金属托模底座以对称模式设计，随形金属托模底座上设有模腔及预留空间；随形金属托模压盖和随形金属托模底座侧面的对应位置上分别设置有固定块，覆膜砂壳型放置于随形金属托模底座对应的模腔内，补砂块卡设在覆膜砂壳型上并置于随形金属托模底座对应的预留空间内；本发明所设计的铸造工艺简单易行，劳动强度小，成本低廉。
一种金属托模覆膜砂壳型铸造工艺

[实用新型]一种货架用中托和医药行业用货架-CN201620028176.2有效
发明人：郭清;韦海军;周建忠;毛晓金 -专利权人：新中联物流设施（苏州）有限公司
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： A47B67/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种货架用中托，包括贴靠在立柱上的中托侧板、设置在所述中托侧板正面的中托托板和设置在所述中托侧板背面的挂齿，所述中托还包括设置在中托侧板背面的中托U型槽，所述中托U型槽的槽口向下，所述中托托板垂直设置在所述中托侧板上用于托住层板，所述中托U型槽卡设在U型立柱之间，宽度在立柱U型槽宽度的一半以下；本实用新型还公开了一种医药行业用货架，包括相连的货架单元，所述货架单元包括立柱、层板托和多个层板，顶层之外的层板托为上述货架用中托，所述货架用中托应用到所述医药行业用货架上
一种货架用中托医药行业

[发明专利]一种加氢裂化催化剂及其制备和应用-CN201410108851.8有效
发明人：杨平;辛靖;李明丰;聂红;董松涛;张毓莹 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： B01J29/80 文献下载
摘要：一种加氢裂化催化剂及其制备和应用，该催化剂含有分子筛固体酸组分，所述分子筛固体酸组分为包括MoY型沸石和至少一种选自除MoY之外的Y型沸石的分子筛混合物，所述分子筛混合物中MoY型沸石和至少一种选自除MoY之外的Y型沸石的重量之比为9:1～1:9，其中，所述MoY型沸石分子筛的n值为0型沸石分子筛的FT‑IR谱图中3625cm‑1吸收峰强度，I0为MoY型沸石分子筛的母体Y型沸石分子筛的FT‑IR谱图中3625cm‑1吸收峰强度，α为MoY型沸石分子筛的FT‑IR谱图中3740cm‑1吸收峰强度与母体Y型沸石分子筛的FT‑IR谱图中3740cm‑1吸收峰强度的比值。
一种加氢裂化催化剂及其制备应用

[发明专利]一种各向异性材料残余应力测试的快速寻峰装置及方法-CN202310421066.7在审
发明人：聂祥樊;李阳;王亚洲;李良博;牛腾飞;张占玲;王学德;温广瑞 -专利权人：中国人民解放军空军工程大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本发明公开了一种各向异性材料残余应力测试的快速寻峰装置及方法。本发明中，采用白光X射线源对各向异性材料进行X射线衍射测试分析，并利用二维面阵探测器获得各个晶面的衍射峰信号，通过衍射峰参数标定、自动寻峰、数据提取和峰型拟合，最终获得特定晶面的衍射峰拟合曲线，为后续残余应力计算提供数据支持相比单色X射线光源和线探测器组成的传统残余应力测试系统，本发明在各向异性材料衍射寻峰方面具有原理简单、易操作、获取数据量大、寻峰快速高效等优点，可显著提升各向异性材料残余应力测试的效率。
一种各向异性材料残余应力测试快速装置方法

[发明专利]可见光响应型光催化剂粉末及其制造方法，以及使用了该粉末的可见光响应型光催化剂材料、光催化剂涂料、光催化剂产品-CN200880106188.0有效
发明人：中野佳代;佐藤光;白川康博;布施圭一;冈村正巳 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： B01J35/02 文献下载
摘要：本发明的可见光响应型光催化剂粉末包含氧化钨粉末，用X射线衍射法对氧化钨粉末进行测定时，(1)峰A(2θ＝22.8～23.4°)、峰B(2θ＝23.4～23.8°)、峰C(2θ＝24.0～24.25°)、峰D(2θ＝24.25～24.5°)的强度比中，A/D比和B/D比在0.5～2.0的范围内，C/D比在0.04～2.5的范围内，(2)峰E(2θ＝33.85～34.05°)和峰F(2θ＝34.05～34.25°)的强度比(E/F)在0.1～2.0的范围内，(3)峰G(2θ＝49.1～49.7°)和峰H(2θ＝49.7～50.3°)的强度比(G/H)在0.04～2.0的范围内，且具有1.5～820m2/g的范围的
可见光响应光催化剂粉末及其制造方法以及使用材料涂料产品